Samsung
(4)- 1 GB SODIMM Samsung DDR3-1333 PC1066 CL9 originalОбщие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Дополнительно Напряже
- 4GB SODIMM DDR4 Samsung M471A5244BB0-CWE PC25600 3200MHz CL22, 1.2V4GB SODIMM DDR4 Samsung M471A5244BB0-CWE PC25600 3200MHz CL22, 1.2V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR4 Объем 4 GB Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность PC19200 Схема таймингов памяти CL22
- 4GB DDR4-3200 SODIMM Samsung,M471A5244CB0-CWE,1.2V - bulk4GB DDR4-3200 SODIMM Samsung, M471A5244CB0-CWE,1.2V - bulk Тип памяти DDR4 Объем 4 GB Тактовая частота 3200 МГц Схема таймингов памяти CL22
- 64GB DDR4-3200MHz Samsung Reg. ECC M393A8G40AB2-CWE, 2Rx4, PC-25600R, CL22, 1.2V64GB DDR4-3200MHz Samsung Reg. ECC M393A8G40AB2-CWE, 2Rx4, PC-25600R, CL22, 1.2V Capacitatea Memoriei (Total): 64GB Tip Memorie: DDR4 SDRAM Frecven?a memorie: 3200 MHz Viteza de memorie nominala: PC4-25600 Laten?a CAS: CL22 Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 64 ГБ Тип DDR4 DIMM 288-p











