SKG 1700 B3
(9)- M.2 NVMe SSD 256GB SK Hynix BC711, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 S3 form factor, Sequential Read 2100 MB/s, Sequential Write 1700 MB/s, Random Read 140K IOPS, Random Write 190K IOPS, 3D NAND TLC, BulkM.2 NVMe SSD 256GB SK Hynix BC711, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 S3 form factor, Sequential Read 2100 MB/s, Sequential Write 1700 MB/s, Random Read 140K IOPS, Random Write 190K IOPS, 3D NAND TLC, Bulk Объём накопителя 256 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 1700 Мак
- M.2 NVMe SSD 256GB Patriot P300, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 1700 MB/s, Sequential Write 1100 MB/s, Random Read 290K IOPS, Random Write 260K IOPS, TBW: 80TB, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 256GB Patriot P300, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 1700 MB/s, Sequential Write 1100 MB/s, Random Read 290K IOPS, Random Write 260K IOPS, TBW: 80TB, 3D NAND TLC Объем 256 ГБ Скорость чтения 1700 MB Скорость записи 1100 MB Форм-фактор M.2 Интерфейс подключения P
- M.2 NVMe SSD 240GB Patriot P310, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 1700 MB/s, Sequential Write 1000 MB/s, Random Read 280K IOPS, Random Write 250K IOPS, 120TBW, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 240GB Patriot P310, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 1700 MB/s, Sequential Write 1000 MB/s, Random Read 280K IOPS, Random Write 250K IOPS, 120TBW, 3D NAND TLC Тип устройства:SSD Производитель:Patriot Модель:P310 Форм-фактор:M.2 2280 Емкость накопителя:240 ГБ Ско
- M.2 NVMe SSD 250GB GOODRAM PX600 Gen2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3200 MB/s / 1700 MB/s, TBW: 100TB, MTBF: 2mln hours, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal padM.2 NVMe SSD 250GB GOODRAM PX600 Gen2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3200 MB/s / 1700 MB/s, TBW: 100TB, MTBF: 2mln hours, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal pad Объём накопителя: 250 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 1700 Мак
- M.2 NVMe SSD 500GB GOODRAM PX600 Gen2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 4700 MB/s / 1700 MB/s, TBW: 160TB, MTBF: 2mln hours, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal padM.2 NVMe SSD 500GB GOODRAM PX600 Gen2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 4700 MB/s / 1700 MB/s, TBW: 160TB, MTBF: 2mln hours, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal pad Объём накопителя: 500 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 1700 Мак
- M.2 NVMe SSD 480GB Patriot P310, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 1700 MB/s, Sequential Write 1500 MB/s, Random Read 280K IOPS, Random Write 250K IOPS, SmartECC technology, EtE data path protection, TBW: 240TB, 3M.2 NVMe SSD 480GB Patriot P310, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 1700 MB/s, Sequential Write 1500 MB/s, Random Read 280K IOPS, Random Write 250K IOPS, SmartECC technology, EtE data path protection, TBW: 240TB, 3 Объём накопителя 480 ГБ
- .M.2 NVMe SSD 512GB Apacer AS2280P4X [PCIe 3.0 x4, R/W:2100/1700MB/s, 530/420K IOPS, 350TB,3DTLC].M.2 NVMe SSD 512GB Apacer AS2280P4X [PCIe 3.0 x4, R/W:2100/1700MB/s, 530/420K IOPS, 350TB,3DTLC] Объём накопителя 512 ГБ Тип ячеек памяти 3D TLC Максимальная скорость записи, мб/с 1700 Максимальная скорость чтения, мб/с 2100
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Apacer AS2280P4X [PCIe 3.0 x4, R/W:2100/1700MB/s, 530K/420K IOPS, 350TB,3D TLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Apacer AS2280P4X [PCIe 3.0 x4, R/W:2100/1700MB/s, 530K/420K IOPS, 350TB,3D TLC] Объём накопителя 1000 ГБ Тип ячеек памяти 3D TLC Максимальная скорость записи, мб/с 1700 Максимальная скорость чтения, мб/с 2100
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Transcend 400S [42mm, PCIe 3.0 x4, R/W:2000/1700MB/s, 102/275K IOPS, 400TBW].M.2 NVMe SSD 1.0TB Transcend 400S [42mm, PCIe 3.0 x4, R/W:2000/1700MB/s, 102/275K IOPS, 400TBW] Объём накопителя 1000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND Максимальная скорость записи, мб/с 1700 Максимальная скорость чтения, мб/с 2000