18.5V-3.5A (65W)
(25)- M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) форм-фактор: 2280, M емкость: 500 ГБ скорость чтения/записи: 3100 МБ/с / 2600 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 3.0 x4 тип флэш-п
- 2.5" SATA SSD 250GB Samsung 870 EVO MZ-77E250B, [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC]2.5" SATA SSD 250GB Samsung 870 EVO MZ-77E250B [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Capacitate stocare: 250 GB Sistem de stocare a datelor: 2.5" Tip de memorie flash: 3D TLC Viteza maxima de citire: 560 MB/s. Объём накопителя 250 ГБ Тип ячеек памяти V-NAND MLC Максимальная скорость записи, мб/с 5
- 2.5" SATA SSD 500GB Samsung 870 EVO MZ-77E500BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] 2.5" SATA SSD 500GB Samsung 870 EVO MZ-77E500BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Объём накопителя 500 ГБ Тип ячеек памяти MLC V-NAND
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) форм-фактор: 2280, M емкость: 1000 ГБ скорость чтения/записи: 3500 МБ/с / 3000 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 3.0 x4 тип флэш-
- 2.5" SATA SSD 1.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E1T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] 2.5" SATA SSD 1.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E1T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Объём накопителя 1 ТБ Тип ячеек памяти MLC V-NAND
- 2.5" SATA SSD 1.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E1T0B [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC]2.5" SATA SSD 1.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E1T0B [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Capacitate stocare: 1000 GB Sistem de stocare a datelor: 2.5" Interfa?a SSD: SATA-3 (6 Gb/s) Tip de memorie flash: MLC (Multi-Level Cell) Бренд SAMSUNG Модель 870 EVO MZ-77E1T0B Форм-фактор накопителя 2.5" Память
- 2.5" SATA SSD 2.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E2T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] 2.5" SATA SSD 2.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E2T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Объём накопителя 2 ТБ Тип ячеек памяти MLC V-NAND
- 2.5" SATA SSD 2.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E2T0B [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC]2.5" SATA SSD 2.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E2T0B [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Объём накопителя 2 ТБ Тип ячеек памяти V-NAND MLC
- 2.5" SATA SSD 4.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E4T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] 2.5" SATA SSD 4.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E4T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Тип внутренний Серия 870 EVO Объём памяти 4 TB Тип флеш-памяти V-NAND 3bit MLC Форм-фактор 2.5" Интерфейс SATA 6Gb/s Скорость чтения, макс. 560 Mb/s Скорость записи, макс. 530 Mb/s Наработка на отказ 1.5 млн.часов Габа
- M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) Объём накопителя 256 ГБ Тип ячеек памяти TLC
- M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 970 EVO Plus, PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 970 EVO Plus, PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) Объём накопителя, ГБ 250 Максимальная скорость записи, Мбайт/с 2300 Максимальная скорость чтения, Мбайт/с 3500
- 2.5" SSD 250GB Samsung 870 EVO V-Nand 3bit MLC, R/W:560 MB/s/530 MB/s MB/s, MZ-77E250B/EU2.5" SSD 250GB Samsung 870 EVO V-Nand 3bit MLC, R/W:560 MB/s/530 MB/s MB/s, MZ-77E250B/EU Объем 250 ГБ Форм-фактор 2.5" Интерфейс подключения SATAIII
- 2.5" SSD 500GB Samsung 870 EVO, SATAIII, Read: 560 MB/s, Write: 530 MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC, MZ-77E500B2.5" SSD 500GB Samsung 870 EVO, SATAIII, Read: 560 MB/s, Write: 530 MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC, MZ-77E500B Общий объем накопителей: 500 Гб Система хранения данных: 2.5"/7 мм Интерфейс накопителя: SATA-3 (6 Гбит/сек) Тип флеш-памяти: MLC (Multi-Level Cell) Макс. скорость чтения: 560 MB/s Макс. скорость пис
- M.2 NVMe SSD 500GB Samsung SSD 980, PCIe3.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 3100 MB/s, Seq. Write: 2600 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 400K/470K IOPS, Samsung Pablo Controller, 512MB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLCM.2 NVMe SSD 500GB Samsung SSD 980, PCIe3.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 3100 MB/s, Seq. Write: 2600 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 400K/470K IOPS, Samsung Pablo Controller, 512MB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLC
- .M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 970 EVO Plus [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2300MB/s, 250/550K IOPS, Phx, TLC].M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 970 EVO Plus [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2300MB/s, 250/550K IOPS, Phx, TLC] SSD накопитель, который предлагает большее Твердотельные накопители (SSD) Samsung серии 970 Evo обеспечивают невероятную скорость, лучшую в своем классе надежность и широкий выбор емкостей вплоть до 2 ТБ*. Новейшая тех
- .M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 970 EVO Plus [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/3200MB/s, 480/550K IOPS, Phx, TLC].M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 970 EVO Plus [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/3200MB/s, 480/550K IOPS, Phx, TLC] SSD накопитель, который предлагает большее Твердотельные накопители (SSD) Samsung серии 970 Evo обеспечивают невероятную скорость, лучшую в своем классе надежность и широкий выбор емкостей вплоть до 2 ТБ*. Новейшая тех
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 970 EVO Plus [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/3300MB/s, 600/550K IOPS, Phx, TLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 970 EVO Plus [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/3300MB/s, 600/550K IOPS, Phx, TLC] SSD накопитель, который предлагает большее Твердотельные накопители (SSD) Samsung серии 970 Evo обеспечивают невероятную скорость, лучшую в своем классе надежность и широкий выбор емкостей вплоть до 2 ТБ*. Новейшая техн
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC] Capacitate stocare: 1000 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: Samsung V-NAND Общий объем накопителей: 1000 Гб Система хранения данных: M.2 2280 Интерфе
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7000/5000MB/s, 1000K/1000K IOPS, Elpis, 3DTLC] .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7000/5000MB/s, 1000K/1000K IOPS, Elpis, 3DTLC] Объем 1 ТБ Скорость чтения до 7000 МБ/с Скорость записи до 5000 МБ/с Энергопотребление до 8.9 Вт Время наработки на отказ 1.5 миллиона часов (MTBF) Устойчивость к ударным нагрузкам 1500 G (на протяжении 0.5 мс) Формф
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC] Capacitate stocare: 1024 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Бренд: Samsung Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Контроллер PCIe
- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO, [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC] Capacitate stocare: 2000 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: MLC (Multi-Level Cell) Объём накопителя 2000 ГБ. Тип ячеек памяти V-NAND MLC Максималь
- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC] Бренд SAMSUNG Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ Контроллер PCIe 4.0 x4 NVMe Тип чипов V-NAND 3bit MLC Скорость чтения 7450 Mб/с Скорость записи 6900 Мб/с IOmeter1400K / 1550K IOPS
- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1.2PB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1.2PB, 3DTLC] Capacitate stocare: 2048 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Бренд: Samsung Модель 990 PRO Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ К
- 2TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)2TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд Samsung Модель 990 PRO MZ-V9P2T0BW Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ Тип чипов V-NAND 3bit MLC Скорость чтения 745
- 4TB SSD M.2 Type 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe Lexar NM790 LNM790X004T-RNNNG, Read 7400MB/s, Write 6500MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)4TB SSD M.2 Type 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe Lexar NM790 LNM790X004T-RNNNG, Read 7400MB/s, Write 6500MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд LEXAR Модель NM790 LNM790X004T-RNNNG Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 4.0 ТБ Тип чипов V-NAND 3bit MLC Скорость чтения 740