Для полноценного использования нашего сайта используйте современные браузеры, поддерживающие Javascript.

Seller.md - Продавайте и покупайте с умом

V 400 75 F42 P4

(20)

Вид:

3620.00 MDL
2.5" SSD 500GB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, 7mm, 512MB Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC2.5" SSD 500GB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, 7mm, 512MB Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC Объём накопителя 500 ГБ Тип ячеек памяти MLC V-NAND
5439.00 MDL
2.5" SATA SSD 1.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E1T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] 2.5" SATA SSD 1.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E1T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Объём накопителя 1 ТБ Тип ячеек памяти MLC V-NAND
7076.00 MDL
M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 990 PRO, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1200,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 1GB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLCM.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 990 PRO, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1200,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 1GB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLC Общий объем накопителей: 1000 Гб Система хранения данных: M.2 2280 Интерфе
8714.00 MDL
2.5" SATA SSD 2.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E2T0B [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC]2.5" SATA SSD 2.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E2T0B [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Объём накопителя 2 ТБ Тип ячеек памяти V-NAND MLC
14398.00 MDL
2.5" SSD 4.0TB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, Thickness - 7mm, 4GB LPDDR4 Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC2.5" SSD 4.0TB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, Thickness - 7mm, 4GB LPDDR4 Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC Объём накопителя 4000 ГБ Тип ячеек памяти V-NAND MLC Максимальная скорость записи,
14398.00 MDL
2.5" SATA SSD 4.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E4T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] 2.5" SATA SSD 4.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E4T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Тип внутренний Серия 870 EVO Объём памяти 4 TB Тип флеш-памяти V-NAND 3bit MLC Форм-фактор 2.5" Интерфейс SATA 6Gb/s Скорость чтения, макс. 560 Mb/s Скорость записи, макс. 530 Mb/s Наработка на отказ 1.5 млн.часов Габа
2000.00 MDL
2.5" SSD 512GB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 535 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,000 IOPS / Write: 86,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC2.5" SSD 512GB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 535 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,000 IOPS / Write: 86,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC Внутренний 7-мм твердотельный накопитель 2,5'' SATA III Высокая надежность за счет превосходного флэш-ко
2165.00 MDL
M.2 SATA SSD 512GB Verbatim Vi560 S3, SATA 6Gb/s, M.2 Type 2280 form factor, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 520 MB/s, Max Random 4k: Read: 101,376 IOPS / Write: 80,400 IOPS, Phison Controller, 3D NAND TLCM.2 SATA SSD 512GB Verbatim Vi560 S3, SATA 6Gb/s, M.2 Type 2280 form factor, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 520 MB/s, Max Random 4k: Read: 101,376 IOPS / Write: 80,400 IOPS, Phison Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 512 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC
3366.00 MDL
2.5" SSD 500GB Samsung 870 EVO, SATAIII, Read: 560 MB/s, Write: 530 MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC, MZ-77E500B2.5" SSD 500GB Samsung 870 EVO, SATAIII, Read: 560 MB/s, Write: 530 MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC, MZ-77E500B Общий объем накопителей: 500 Гб Система хранения данных: 2.5"/7 мм Интерфейс накопителя: SATA-3 (6 Гбит/сек) Тип флеш-памяти: MLC (Multi-Level Cell) Макс. скорость чтения: 560 MB/s Макс. скорость пис
5439.00 MDL
2.5" SSD 1.0TB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, Thickness - 7mm, 1GB LPDDR4 Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC2.5" SSD 1.0TB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, Thickness - 7mm, 1GB LPDDR4 Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC Объем 1 ТБ Скорость чтения до 560 MБ/сек Скорость записи до 530 MБ/сек Энергопотребле
7076.00 MDL
.M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC] Capacitate stocare: 1000 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: Samsung V-NAND Общий объем накопителей: 1000 Гб Система хранения данных: M.2 2280 Интерфе
1150.00 MDL
.mSATA SSD 128GB Transcend "TS128GMSA230S" [R/W:550/400MB/s, 55/70K IOPS, SM2258H, 3D TLC].mSATA SSD 128GB Transcend TS128GMSA230S [R/W:550/400MB/s, 55/70K IOPS, SM2258H, 3D TLC] Объём накопителя, ГБ 128 Максимальная скорость записи, Мбайт/с 400 Максимальная скорость чтения, Мбайт/с 550
1657.00 MDL
Накопитель SSD 256GB TRANSCEND TS256GMSA230S mSATAНакопитель SSD 256GB TRANSCEND TS256GMSA230S mSATA Производитель TRANSCEND Модель TS256GMSA230S Форм-фактор накопителя mSATA Память накопителя 256 ГБ Контроллер JMicron JMF616 Тип чипов 3D TLC Скорость чтения 550 МБ/с Скорость записи 400 МБ/с IOmeter 55K/70K IOPS Интерфейс накопителя mSATA
3438.00 MDL
2.5" SSD 1.0TB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 535 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 71,262 IOPS / Write: 85,241 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC2.5" SSD 1.0TB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 535 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 71,262 IOPS / Write: 85,241 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC Формфактор 2.5" Объем 1 Tб Интерфейс SATA III Скорость чтения 560 МБ/с Скорость записи 535 МБ/с Тип ячее
3748.00 MDL
Kit - 4TB 7.2K RPM SATA 6Gbps 3.5in Cabled Hard Drive, R430/T430Kit - 4TB 7.2K RPM SATA 6Gbps 3.5in Cabled Hard Drive, R430/T430 Жесткий диск DELL 4TB 7.2K RPM SATA 6Gbps 3.5in Hot-plug Hard Drive, for 13G Servers, CusKit, 400-AEGK Совместимость: Dell PowerEdge R230 Dell PowerEdge R330 Dell PowerEdge R430 Dell PowerEdge R530 Dell PowerEdge R730 Dell PowerEdge R730XD Dell PowerEdg
5603.00 MDL
SYNOLOGY M.2 2280 400Gb Enterprise NVMe solid-state drive SNV3410-400GSYNOLOGY M.2 2280 400Gb Enterprise NVMe solid-state drive SNV3410-400G Бренд SYNOLOGY Модель SNV3410-400G Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 400 Гб Тип чипов 3D NAND QLC Скорость чтения 3000 МБ/с Скорость записи 750 МБ/с IOmeter 255 000 IOPS
5603.00 MDL
SYNOLOGY M.2 22110 400Gb Enterprise NVMe solid-state drive SNV3510-400GSYNOLOGY M.2 22110 400Gb Enterprise NVMe solid-state drive SNV3510-400G Бренд SYNOLOGY Модель SNV3510-400G Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 400 Гб Контроллер PCIe 3.0 x4 M.2 22110 Тип чипов 3D NAND QLC Скорость чтения 3000 МБ/с Скорость записи 750 МБ/с IOmeter 45000/225000 IOPS
7258.00 MDL
.M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC] Capacitate stocare: 1024 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Бренд: Samsung Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Контроллер PCIe
9077.00 MDL
.M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC] Бренд SAMSUNG Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ Контроллер PCIe 4.0 x4 NVMe Тип чипов V-NAND 3bit MLC Скорость чтения 7450 Mб/с Скорость записи 6900 Мб/с IOmeter1400K / 1550K IOPS
9259.00 MDL
.M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1.2PB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1.2PB, 3DTLC] Capacitate stocare: 2048 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Бренд: Samsung Модель 990 PRO Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ К

О нашем интернет-магазине

В нашем интернет магазине вы сможете купить по самым низким ценам в Кишиневе и Молдове.

Только интернет магазин dostavka.md предоставляет доставку до дому по всей Молдове и Кишиневу, по самым выгодным тарифам.

Мы принимаем платежи через банковские карточки, WebMoney, терминалы QIWI, перечислением и конечно же наличными при доставке или в любом представительстве dostavka.md.

Интернет магазин dostavka.md это единственный интернет магазин в Молдове, который вам понадобится!

Приятных вам покупок в нашем интернет магазине!

Приемущества dostavka.md

ГАРАНТИЯ: Мы продаем только оригинальные товары с гарантией от производителя.

КРЕДИТ: Возможность покупки в кредит любого товара на нашем сайте - широкий выбор кредитных организаций.

ДОСТАВКА: Мы доставим товар в любой населенный пункт Молдовы - по самым выгодным тарифам!

Заказы по телефону:	Пн-Пт: 9:00 - 19:00; Сб: 9:00 - 15:00
Заказы через сайт:	24/24

Тел:	0 (22) 852 - 852
Моб:	0 (68) 852 - 852 0 (79) 000 - 852
	dostavka.md
	[email protected]

V 400 75 F42 P4

О нашем интернет-магазине

Приемущества dostavka.md

Новости

Выйграйте 2 билета в кино на нашей страничке в facebook!

Покупайте в кредит - легко и быстро!

Внимание! Новый пункт получения заказов в г. Кишиневе.