VX3276-MHD-3
(26)- Card Reader Gembird FD2-MSD-3, MicroSDHC, Key ring cord, Black/Orange, USB2.0Card Reader Gembird FD2-MSD-3, MicroSDHC, Key ring cord, Black/Orange, USB2.0 Поддержка MicroSD карт, включая SDHC Миниатюрный высокоскоростной кардридер Всегда с собой на кольце с ключами Позволяет работать с MicroSD (также называемыми T-Flash или TransFlash) картами памяти Поддерживает карты SD High Capacity (SDHC)
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 990 PRO, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1200,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 1GB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLCM.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 990 PRO, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1200,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 1GB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLC Общий объем накопителей: 1000 Гб Система хранения данных: M.2 2280 Интерфе
- 2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,500 IOPS / Write: 76,800 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,500 IOPS / Write: 76,800 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC Объем 512 ГБ Скорость чтения 550 МБ/с Скорость записи 500 МБ/с Энергопотребление В режиме чтения:
- M.2 SATA SSD 256GB Verbatim Vi560 S3, SATA 6Gb/s, M.2 Type 2280 form factor, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Max Random 4k: Read: 102,000 IOPS / Write: 80,000 IOPS, Phison Controller, 3D NAND TLCM.2 SATA SSD 256GB Verbatim Vi560 S3, SATA 6Gb/s, M.2 Type 2280 form factor, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Max Random 4k: Read: 102,000 IOPS / Write: 80,000 IOPS, Phison Controller, 3D NAND TLC Форм-фактор: M.2 2280 Основной интерфейс: интерфейс Serial ATA со скоростью передачи данных 6 Гб
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Verbatim Vi3000, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3300 MB/s, Sequential Write 3300 MB/s, Random Read 150K IOPS, Random Write 100K IOPS, Phison E13T, TBW: 750TB, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 1.0TB Verbatim Vi3000, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3300 MB/s, Sequential Write 3300 MB/s, Random Read 150K IOPS, Random Write 100K IOPS, Phison E13T, TBW: 750TB, 3D NAND TLC Форм-фактор: M.2 Основной интерфейс: PCI Express 3-го поколения, X4 линии на один п
- Fujitsu SSD SATA 6G 480GB Mixed-Use 3.5' H-P EPFujitsu SSD SATA 6G 480GB Mixed-Use 3.5' H-P EP Модель S26361-F5732-L480 Жесткий диск SATA 6 гбит / с, 480 ГБ 3,5 дюйма Тип диска SSD Форм-фактор диска 3,5" (LFF) Тип привода Внутренний Емкость накопителя 480 ГБ Интерфейс жесткого диска SATA
- .M.2 SSD 120GB Transcend "TS120GMTS820" [80mm, R/W:550/420MB/s, 78K/78K IOPS, SM2256KAB, TLC].M.2 SSD 120GB Transcend "TS120GMTS820" [80mm, R/W:550/420MB/s, 78K/78K IOPS, SM2256KAB, TLC] Модель TS120GMTS820 Основные характеристики Объем 120 GB Интерфейс SATA 3 Скорость записи 420 MBps Скорость чтения 550 MBps Скорость случайной записи 78 K IOPS Поддержка RAID Да Форм-фактор и назначание Тип SSD Форм
- M.2 NVMe SSD 256GB Verbatim Vi3000, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3300 MB/s, Sequential Write 1300 MB/s, Random Read 100K IOPS, Random Write 100K IOPS, Phison E13T, TBW: 185TB, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 256GB Verbatim Vi3000, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3300 MB/s, Sequential Write 1300 MB/s, Random Read 100K IOPS, Random Write 100K IOPS, Phison E13T, TBW: 185TB, 3D NAND TLC Формфактор: M.2 Объем SSD: 256 ГБ Скорость чтения: 3300 МБ/с Скорость записи: 1300
- .M.2 SATA SSD 256GB Transcend TS256GMTS430S.M.2 SATA SSD 256GB Transcend TS256GMTS430S [42mm, R/W:530/400MB/s, 45K/70K IOPS, SM2258, 3DTLC] Volum 256 GB Viteza de citire 500 MB / s (SATA 6 GB / s) Viteza de inregistrare 410 MB / s Consumul de energie 3,3V ± 5% Factorul de forma M.2 MTBF 1.500.000 h Interfata SATAIII Tipul de celule de memorie 3D NAND (TLC)
- M.2 NVMe SSD 512GB Verbatim Vi3000, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3300 MB/s, Sequential Write 2500 MB/s, Random Read 150K IOPS, Random Write 100K IOPS, Phison E13T, TBW: 375TB, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 512GB Verbatim Vi3000, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3300 MB/s, Sequential Write 2500 MB/s, Random Read 150K IOPS, Random Write 100K IOPS, Phison E13T, TBW: 375TB, 3D NAND TLC Общий объем памяти 512 ГБ Количество бит на ячейку 3 бит TLC Структура памяти 3D NA
- M.2 NVMe SSD 512GB Verbatim Vi5000, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 5000 MB/s, Sequential Write 2500 MB/s, Random Read 375K IOPS, Random Write 500K IOPS, TBW: 500TB, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 512GB Verbatim Vi5000, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 5000 MB/s, Sequential Write 2500 MB/s, Random Read 375K IOPS, Random Write 500K IOPS, TBW: 500TB, 3D NAND TLC Формфактор: M.2 Объем SSD: 512 ГБ Скорость чтения: 5000 МБ/с Скорость записи: 2500 МБ/с Тип ячее
- M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) форм-фактор: 2280, M емкость: 500 ГБ скорость чтения/записи: 3100 МБ/с / 2600 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 3.0 x4 тип флэш-п
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Verbatim Vi5000, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 5000 MB/s, Sequential Write 4500 MB/s, Random Read 645K IOPS, Random Write 725K IOPS, TBW: 500TB, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 1.0TB Verbatim Vi5000, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 5000 MB/s, Sequential Write 4500 MB/s, Random Read 645K IOPS, Random Write 725K IOPS, TBW: 500TB, 3D NAND TLC Формфактор: M.2 Объем SSD: 1000 ГБ Скорость чтения: 5000 МБ/с Скорость записи: 4500 МБ/с Тип яче
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) форм-фактор: 2280, M емкость: 1000 ГБ скорость чтения/записи: 3500 МБ/с / 3000 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 3.0 x4 тип флэш-
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Verbatim Vi7000G w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 7400 MB/s, Sequential Write 5500 MB/s, Random Read 600K IOPS, Random Write 800K IOPS, DRAM Buffer, TBW: 500TB, PS5 Compatibile, 3D M.2 NVMe SSD 1.0TB Verbatim Vi7000G w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 7400 MB/s, Sequential Write 5500 MB/s, Random Read 600K IOPS, Random Write 800K IOPS, DRAM Buffer, TBW: 500TB, PS5 Compatibile, 3D Бренд Verbatim Объем памяти, ГБ 1000 Назначение PS5,моноблок,н
- Fujitsu HD SATA 6G 1TB 7.2K HOT PL 3.5' BCFujitsu HD SATA 6G 1TB 7.2K HOT PL 3.5' BC Тип диска HDD Форм-фактор диска 3,5" (LFF) Тип привода Внутренний Емкость накопителя 1 ТБ Интерфейс жесткого диска SATA III - 6 Gb/s Скорость вращения 7200 об/мин.
- M.2 NVMe SSD 2.0TB Verbatim Vi3000, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3300 MB/s, Sequential Write 3300 MB/s, Random Read 150K IOPS, Random Write 100K IOPS, Phison E13T, TBW: 1500TB, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 2.0TB Verbatim Vi3000, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3300 MB/s, Sequential Write 3300 MB/s, Random Read 150K IOPS, Random Write 100K IOPS, Phison E13T, TBW: 1500TB, 3D NAND TLC Общий объем памяти 2 ТБ Количество бит на ячейку 3 бит TLC Структура памяти 3D NAN
- M.2 NVMe SSD 2.0TB Verbatim Vi5000, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 5000 MB/s, Sequential Write 4300 MB/s, Random Read 715K IOPS, Random Write 730K IOPS, TBW: 500TB, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 2.0TB Verbatim Vi5000, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 5000 MB/s, Sequential Write 4300 MB/s, Random Read 715K IOPS, Random Write 730K IOPS, TBW: 500TB, 3D NAND TLC Формфактор: M.2 Объем SSD: 2000 ГБ Скорость чтения: 5000 МБ/с Скорость записи: 4300 МБ/с Тип яче
- Fujitsu HD SATA 6G 2TB 7.2K 512e HOT PL 2.5' BCFujitsu HD SATA 6G 2TB 7.2K 512e HOT PL 2.5' BC Тип диска: HDD Форм-фактор диска 3,5" (LFF) Тип привода Внутренний Емкость накопителя 2 ТБ Интерфейс жесткого диска SATA III - 6 Gb/s Скорость вращения 7200 об/мин
- Fujitsu HD SATA 6G 1TB 7.2K 512e HOT PL 2.5' BCFujitsu HD SATA 6G 1TB 7.2K 512e HOT PL 2.5' BC Тип диска HDD Форм-фактор диска 3,5" (LFF) Тип привода Внутренний Емкость накопителя 1 ТБ Интерфейс жесткого диска SATA III - 6 Gb/s Скорость вращения 7200 об/мин Размер сектора диска, 512e
- M.2 NVMe SSD 2.0TB Verbatim Vi7000G w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 7400 MB/s, Sequential Write 6700 MB/s, Random Read 600K IOPS, Random Write 1000K IOPS, DRAM Buffer, TBW: 700TB, PS5 Compatibile, 3DM.2 NVMe SSD 2.0TB Verbatim Vi7000G w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 7400 MB/s, Sequential Write 6700 MB/s, Random Read 600K IOPS, Random Write 1000K IOPS, DRAM Buffer, TBW: 700TB, PS5 Compatibile, 3D Бренд Verbatim Объем памяти, ГБ 2000 Назначение PS5,моноблок,н
- M.2 NVMe SSD 4.0TB Kingston KC3000, w/HeatSpreader, PCIe4.0 x4 / NVMe, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7000 MB/s, Sequential Writes 7000 MB/s, Max Random 4k Read 1000,000 / Write 1000,000 IOPS, Phison E18 controller, TBW=3.2PBW, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 4.0TB Kingston KC3000, w/HeatSpreader, PCIe4.0 x4 / NVMe, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7000 MB/s, Sequential Writes 7000 MB/s, Max Random 4k Read 1000,000 / Write 1000,000 IOPS, Phison E18 controller, TBW=3.2PBW, 3D NAND TLC Формфактор: M.2 Объем SSD: 4000 ГБ Скорость чтения: 7000 МБ/с Скор
- M.2 NVMe SSD 4.0TB Kingston Fury Renegade, w/Aluminum Heatsink, PCIe4.0 x4 / NVMe, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7300 MB/s, Sequential Writes 7000 MB/s, Max Random 4k Read 1,000,000 / Write 1,000,000 IOPS, Phison E18 controller, 4000TBW, 3D NM.2 NVMe SSD 4.0TB Kingston Fury Renegade, w/Aluminum Heatsink, PCIe4.0 x4 / NVMe, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7300 MB/s, Sequential Writes 7000 MB/s, Max Random 4k Read 1,000,000 / Write 1,000,000 IOPS, Phison E18 controller, 4000TBW, 3D N Формфактор: M.2 Объем SSD: 4000 ГБ Скорость чтения: 7300 МБ/с
- 2.5" SATA SSD 8.0TB Samsung 870 QVO MZ-77Q8T0BW [R/W:560/530MB/s, 98/88K IOPS, MJX, 4bit MLC] 2.5" SATA SSD 8.0TB Samsung 870 QVO MZ-77Q8T0BW [R/W:560/530MB/s, 98/88K IOPS, MJX, 4bit MLC] Емкость накопителя 8 ТБ Тип памяти VNAND Материал корпуса Металл Форм-фактор 2,5" Интерфейс SATA 3 Максимальная скорость чтения 560 Мб/сек
- 3.5" HDD 16.0TB-SATA-512MB SYNOLOGY HAT5300-16T (MG08ACA16TE)3.5" HDD 16.0TB-SATA-512MB SYNOLOGY HAT5300-16T (MG08ACA16TE) Исполнение внутренний Тип накопителя HDD Назначение для сервера Объем 16000 ГБ Форм-фактор 3.5 " Интерфейсы подключения SATA, SATA 2, SATA 3 Объем буфера обмена 512 МБ Метод записи CMR Частота вращения шпинделя 7200 об/мин Кол-во пластин 9 шт Потребляема
![.M.2 SSD 120GB Transcend "TS120GMTS820" [80mm, R/W:550/420MB/s, 78K/78K IOPS, SM2256KAB, TLC]](/img/1782307.jpg)
![2.5" SATA SSD 8.0TB Samsung 870 QVO MZ-77Q8T0BW [R/W:560/530MB/s, 98/88K IOPS, MJX, 4bit MLC]](/img/1989244.jpg)
