BIT Amf-7
(69)- 2.5" SSD 2.0TB Kingston KC600, SATAIII,SeqReads:550 MB/s, SeqWrites:520 MB/s, Max Random 4k Read:90000 IOPS/ Write: 80000 IOPS,7mm, Controller SM2259, XTS-AES 256-bit encryption, 3D NAND TLC2.5" SSD 2.0TB Kingston KC600, SATAIII,SeqReads:550 MB/s, SeqWrites:520 MB/s, Max Random 4k Read:90000 IOPS/ Write: 80000 IOPS,7mm, Controller SM2259, XTS-AES 256-bit encryption, 3D NAND TLC Категория SSD Производитель KINGSTON Форм-фактор 2.5" Part Number SKC600/2048G Модель KC600 Емкость накопителя 2 ТБ Скорость ч
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Corsair MP700, Interface: PCIe5.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 9500 MB/s / Writes 8500 MB/s, Random Read / Write IOPS - 1300K / 1600K, Phison E26, 2GB DRAM, AES 256-bit, SLC Write Cache, TBW-700 TB, 232L MicrM.2 NVMe SSD 1.0TB Corsair MP700, Interface: PCIe5.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 9500 MB/s / Writes 8500 MB/s, Random Read / Write IOPS - 1300K / 1600K, Phison E26, 2GB DRAM, AES 256-bit, SLC Write Cache, TBW-700 TB, 232L Micr Формфактор: M.2 Объем SSD: 1000 ГБ Скорость чтения: 9500 МБ/с
- M.2 NVMe SSD 250GB Samsung SSD 980, PCIe3.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 2900 MB/s, Seq. Write: 1300 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 230K/320K IOPS, Samsung Pablo Controller, 512MB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLCM.2 NVMe SSD 250GB Samsung SSD 980, PCIe3.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 2900 MB/s, Seq. Write: 1300 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 230K/320K IOPS, Samsung Pablo Controller, 512MB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLC Объём накопителя 250 ГБ
- Видеокарта ASUS EAH4850/HTDI, ATI Radeon HD 4850 512MB DDR3, 256-bitВидеокарта ASUS EAH4850/HTDI, ATI Radeon HD 4850 512MB DDR3, 256-bit, PCI-Express 2.0, Dual VGA, HDTV, HDMI, TV-out, DVI-I Тип видеокарты офисная/игровая Графический процессор ATI Radeon HD 4850 Интерфейс PCI-E 16x 2.0 Кодовое название графического процессора RV770 Техпроцесс 55 нм Количество поддерживаемых мони
- M.2 NVMe SSD 500GB Samsung SSD 980, PCIe3.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 3100 MB/s, Seq. Write: 2600 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 400K/470K IOPS, Samsung Pablo Controller, 512MB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLCM.2 NVMe SSD 500GB Samsung SSD 980, PCIe3.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 3100 MB/s, Seq. Write: 2600 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 400K/470K IOPS, Samsung Pablo Controller, 512MB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLC
- mSATA SSD 512GB Kingston KC600, SATAIII,SeqReads:550 MB/s,SeqWrites:500 MB/s, Max Random 4k Read: 90000 IOPS/ Write: 80000 IOPS, 7mm, Controller SM2259, XTS-AES 256-bit encryption, 3D NAND TLCmSATA SSD 512GB Kingston KC600, SATAIII,SeqReads:550 MB/s,SeqWrites:500 MB/s, Max Random 4k Read: 90000 IOPS/ Write: 80000 IOPS, 7mm, Controller SM2259, XTS-AES 256-bit encryption, 3D NAND TLC Производитель: Kingston линейка: KC600 Тип: SSD накопитель Объем, ГБ: 512 интерфейс: mSATA Тип флэш-памяти NAND: 3D TLC конт
- M.2 NVMe SSD 500GB Corsair MP600 PRO NH, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 6600 MB/s / Writes 3600 MB/s, Random Read / Write IOPS - 450K / 880K, Phison PS5018-E18, 512MB DDR4 DRAM, AES 256-bit Encryption, SSD SmarM.2 NVMe SSD 500GB Corsair MP600 PRO NH, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 6600 MB/s / Writes 3600 MB/s, Random Read / Write IOPS - 450K / 880K, Phison PS5018-E18, 512MB DDR4 DRAM, AES 256-bit Encryption, SSD Smar
- M.2 NVMe SSD 500GB Corsair MP600 PRO LPX, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7100 MB/s / Writes 3700 MB/s, Random Read / Write IOPS - 435K / 615K, Phison PS5018-E18, 512MB DRAM, AES 256-bit Encryption, M.2 NVMe SSD 500GB Corsair MP600 PRO LPX, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7100 MB/s / Writes 3700 MB/s, Random Read / Write IOPS - 435K / 615K, Phison PS5018-E18, 512MB DRAM, AES 256-bit Encryption,
- M.2 NVMe SSD 500GB Samsung SSD 980 PRO, PCIe4.0 x4 / NVMe1.3c, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 6900 MB/s, Seq. Write: 5000 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 800,000/1000,000 IOPS, Samsung Elpis Controller, 512MB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLCM.2 NVMe SSD 500GB Samsung SSD 980 PRO, PCIe4.0 x4 / NVMe1.3c, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 6900 MB/s, Seq. Write: 5000 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 800,000/1000,000 IOPS, Samsung Elpis Controller, 512MB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLC Показатели работы SSD следующего поколения Освободите мощность Samsung 980
- mSATA SSD 1.0TB Kingston KC600, SATAIII,SeqReads:550 MB/s,SeqWrites:500 MB/s, Max Random 4k Read: 90000 IOPS/ Write: 80000 IOPS, 7mm, Controller SM2259, XTS-AES 256-bit encryption, 3D NAND TLCmSATA SSD 1.0TB Kingston KC600, SATAIII,SeqReads:550 MB/s,SeqWrites:500 MB/s, Max Random 4k Read: 90000 IOPS/ Write: 80000 IOPS, 7mm, Controller SM2259, XTS-AES 256-bit encryption, 3D NAND TLC Тип внутренний Назначение для ПК Объем 1000 ГБ Форм-фактор mini-SATA Контроллер Silicon Motion SM2259 Тип памяти 3D TLC NAND
- ASUS GT730-4H-SL-2GD5, GeForce GT730 2GB GDDR5, 64-bit, GPU/Mem clock 927/5010MHz, PCI-Express 2.0, 4 display support, 4 x HDMI 1.4b (placa video/видеокарта)ASUS GT730-4H-SL-2GD5, GeForce GT730 2GB GDDR5, 64-bit, GPU/Mem clock 927/5010MHz, PCI-Express 2.0, 4 display support, 4 x HDMI 1.4b (placa video/видеокарта)
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Corsair MP600 PRO XT, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7100 MB/s / Writes 5800 MB/s, Random Read / Write IOPS - 900K / 1200K, Phison PS5018-E18, 1GB DRAM, AES 256-bit, SLC Write CacM.2 NVMe SSD 1.0TB Corsair MP600 PRO XT, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7100 MB/s / Writes 5800 MB/s, Random Read / Write IOPS - 900K / 1200K, Phison PS5018-E18, 1GB DRAM, AES 256-bit, SLC Write Cac
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 990 PRO w/Heatsink, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1200,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 1GB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLCM.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 990 PRO w/Heatsink, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1200,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 1GB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLC Бренд: Samsung Модель 990 PRO Форм-фактор накопителя M.2 NVMe
- 2.5" SSD 960GB Kingston DC600M Data Center Enterprise, SATAIII, Mixed-Use, 24/7, Consistent latency and IOPS, Hardware-based PLP, AES 256-bit self-encrypting drive, Seq Reads/Writes :560 MB/s / 530 MB/s, Steady-state 4k Read: 94,000 IOPS / Write: 65,0002.5" SSD 960GB Kingston DC600M Data Center Enterprise, SATAIII, Mixed-Use, 24/7, Consistent latency and IOPS, Hardware-based PLP, AES 256-bit self-encrypting drive, Seq Reads/Writes :560 MB/s / 530 MB/s, Steady-state 4k Read: 94,000 IOPS / Write: 65,000 Бренд KINGSTON Форм-фактор накопителя 2.5" Память накопителя 9
- M.2 NVMe SSD 2.0TB Corsair MP600 PRO XT, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7100 MB/s / Writes 6800 MB/s, Random Read / Write IOPS - 1000K / 1200K, Phison PS5018-E18, 2GB DRAM, AES 256-bit, SLC Write CaM.2 NVMe SSD 2.0TB Corsair MP600 PRO XT, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7100 MB/s / Writes 6800 MB/s, Random Read / Write IOPS - 1000K / 1200K, Phison PS5018-E18, 2GB DRAM, AES 256-bit, SLC Write Ca
- ASUS TUF-GTX1650-4GD6-P-V2-GAMING, GeForce GTX1650 4GB GDDR6, 128-bit, GPU/Mem clock 1620/12002MHz, PCI-Express 3.0, DVI/HDMI/Display Port (placa video/видеокарта)ASUS TUF-GTX1650-4GD6-P-V2-GAMING, GeForce GTX1650 4GB GDDR6, 128-bit, GPU/Mem clock 1620/12002MHz, PCI-Express 3.0, DVI/HDMI/Display Port (placa video/видеокарта) Производитель Чипсета NVIDIA Объем памяти, Гб 4 Тип памяти GDDR6 Разрядность шины памяти 128 бит Графический чип GeForce GTX 1650 Порты DisplayPort, HD
- M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung SSD 990 PRO, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1400,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 2GB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLCM.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung SSD 990 PRO, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1400,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 2GB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLC Освободите мощность Samsung 990 PRO для компьютерных систем следующего пок
- 2.5" SSD 1.92TB Kingston DC600M Data Center Enterprise, SATAIII, Mixed-Use, 24/7, Consistent latency and IOPS, Hardware-based PLP, AES 256-bit self-encrypting drive, Seq Reads/Writes :560 MB/s / 530 MB/s, Steady-state 4k Read: 94,000 IOPS / Write: 78,002.5" SSD 1.92TB Kingston DC600M Data Center Enterprise, SATAIII, Mixed-Use, 24/7, Consistent latency and IOPS, Hardware-based PLP, AES 256-bit self-encrypting drive, Seq Reads/Writes :560 MB/s / 530 MB/s, Steady-state 4k Read: 94,000 IOPS / Write: 78,00. Твердотельный накопитель Kingston DC600M - это твердотельный
- ASUS DUAL-RTX3050-O8G-V2, GeForce RTX3050 8GB GDDR6, 128-bit, GPU/Mem speed 1852/14Gbps, PCI-Express 4.0, HDMI 2.1a/Display Port 1.4a/DVI-D (placa video/видеокарта)ASUS DUAL-RTX3050-O8G-V2, GeForce RTX3050 8GB GDDR6, 128-bit, GPU/Mem speed 1852/14Gbps, PCI-Express 4.0, HDMI 2.1a/Display Port 1.4a/DVI-D (placa video/видеокарта) Производитель GPU: NVIDIA Графический процессор: GeForce RTX 3050 Объём памяти | VGA: 8GB Тип памяти | VGA: GDDR6 Ширина шины памяти : 128 бит Частота па
- M.2 NVMe SSD 4.0TB Corsair MP600 PRO LPX, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Seq Reads 7100 MB/s / Writes 6800 MB/s, Random Read / Write IOPS - 1000K / 1200K, Phison PS5018-E18, 4GB DDR4 DRAM, AES 256-bit Encryption, SLM.2 NVMe SSD 4.0TB Corsair MP600 PRO LPX, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Seq Reads 7100 MB/s / Writes 6800 MB/s, Random Read / Write IOPS - 1000K / 1200K, Phison PS5018-E18, 4GB DDR4 DRAM, AES 256-bit Encryption, SL
- ASUS DUAL-RTX4060TI-O8G, GeForce RTX4060 Ti 8GB GDDR6, 128-bit, GPU/Mem speed 2595/18Gbps, PCI-Express 4.0, HDMI 2.1a/3xDisplay Port 1.4a (placa video/видеокарта)ASUS DUAL-RTX4060TI-O8G, GeForce RTX4060 Ti 8GB GDDR6, 128-bit, GPU/Mem speed 2595/18Gbps, PCI-Express 4.0, HDMI 2.1a/3xDisplay Port 1.4a (placa video/видеокарта) Графический чип: GeForce RTX 4060 Ti Объем памяти 8 ГБ Разрядность шины памяти 128 бит Тип памяти GDDR6 Тип системы охлаждения Активная
- Видеокарта ASUS DUAL-RTX4070-O12G, GeForce RTX4070 12GB GDDR6X, 192-bitВидеокарта ASUS DUAL-RTX4070-O12G, GeForce RTX4070 12GB GDDR6X, 192-bit, GPU/Mem speed 2550/21Gbps, PCI-Express 4.0, HDMI 2.1/3xDisplay Port 1.4a (placa video/видеокарта) Производитель Чипсета NVIDIA Объем памяти, Гб 12 Тип памяти GDDR6X Разрядность шины памяти 192 бит Графический чип GeForce RTX 4070 Порты Displa
- Видеокарта ASUS TUF-RTX4070-O12G-GAMING, GeForce RTX4070 12GB GDDR6X, 192-bit, GPU/Mem speed 2580/21Gbps, PCI-Express 4.0, HDMI 2.1/3xDisplay Port 1.4aВидеокарта ASUS TUF-RTX4070-O12G-GAMING, GeForce RTX4070 12GB GDDR6X, 192-bit, GPU/Mem speed 2580/21Gbps, PCI-Express 4.0, HDMI 2.1/3xDisplay Port 1.4a Объем видеопамяти: 12 ГБ Разрядность шины памяти: 192 бит Частота ядра: 2550 МГц Частота ядра в режиме Boost: 2580 МГц Частота памяти: 21000 МГц Тип памяти: GDDR6X Гр
- Видеокарта ASUS TUF-RTX4070TI-O12G-GAMING, GeForce RTX4070 Ti 12GB GDDR6X, 192-bit, GPU/Mem speed 2760/21Gbps, PCI-Express 4.0, 2xHDMI 2.1/3xDisplay Port 1.4a Видеокарта ASUS TUF-RTX4070TI-O12G-GAMING, GeForce RTX4070 Ti 12GB GDDR6X, 192-bit, GPU/Mem speed 2760/21Gbps, PCI-Express 4.0, 2xHDMI 2.1/3xDisplay Port 1.4a Производитель GPU: NVIDIA Графический процессор: GeForce RTX 4070 Ti Объём памяти | VGA: 12ГБ Тип памяти | VGA: GDDR6X Ширина шины памяти : 192 бит
- ASUS ROG-STRIX-RTX4070TI-O12G-GAMING, GeForce RTX4070 Ti 12GB GDDR6X, 192-bit, GPU/Mem speed 2790/21Gbps, PCI-Express 4.0, 2xHDMI 2.1/3xDisplay Port 1.4a (placa video/видеокарта)ASUS ROG-STRIX-RTX4070TI-O12G-GAMING, GeForce RTX4070 Ti 12GB GDDR6X, 192-bit, GPU/Mem speed 2790/21Gbps, PCI-Express 4.0, 2xHDMI 2.1/3xDisplay Port 1.4a (placa video/видеокарта) Графический чип GeForce RTX 4070 Ti Частота памяти 21000 МГц Частота ядра OC mode: 2640 МГц Default mode: 2610 МГц (Boost Clock) Система ох
- CPU Intel Pentium Dual Core Mobile T3200 2000MHz (Socket P, 2000MHz, 667MHz, 1MB, (SLAVG)) TrayCPU Intel Pentium Dual Core Mobile T3200 2000MHz (Socket P, 2000MHz, 667MHz, 1MB, (SLAVG)) Tray Серия:Intel Pentium Dual Core Код:Merom Тактовая частота:2000 * МГц FSB:667 МГц Кэш 2-го уровня:1024 КБ Число ядер/потоков:2/2 Максимальное энергопотребление (TDP):35 Вт Техпроцесс:65 нм Макс. температура:100 °C Дополните
- External DVDRW Drive Gembird DVD-USB-02-SV, Portable-17mm, CDR/RW +24x/-24x, DVDR+8x/-8x, RW+6x/-6x, DL+6x, RAM 5x, USB2.0, Silver, RetailExternal DVDRW Drive Gembird DVD-USB-02-SV, Portable-17mm, CDR/RW +24x/-24x, DVDR+8x/-8x, RW+6x/-6x, DL+6x, RAM 5x, USB2.0, Silver, Retail Интерфейс: USB 2.0 Питание: от USB Максимальная скорость записи: 24x: CD-R, CD-RW; 8x: DVD+/-RW, DVD+/-R; 6x: DVD-RW, DVD+/-R DL; 5x: DVD-RAM; 4x: M-Disc Максимальная скорос
- Материнская плата GIGABYTE B760 GAMING X AX DDR4, Socket 1700, Intel® B760, ATXМатеринская плата GIGABYTE B760 GAMING X AX DDR4, Socket 1700, Intel® B760 (14/13/12th Gen CPU), 10Phases, CPU iGPU, Dual 4xDDR4-5333, HDMI, DP, 1xPCIe X16 4.0, 2XPCIe X16 3.0, 4xSATA3, RAID, 3xM.2 4.0, ALC897 HDA 7.1, 1x2.5GbE LAN, WiFi6E/BT, 1xUSB-C 3.2 Gen2, 1xUSB3.2Gen Производитель GIGABYTE Серия Gaming Модель B
- CPU Intel® Celeron® Dual Core B820 (FCPGA988, 1.70 GHz, 2M, SR0HQ) TRAY OEMCPU Intel Celeron B820 Процессор: Intel Celeron Dual-Core Код процессора: B820 Частота процессора: 1700 Мгц Тип Socket: Socket G2 (FCPGA988) Количество ядер: два L2 кэш (Кб) 512 L3 кэш (МБ) 2 Частота шины: 5000 МТ/с Температура корпуса (° C) 100 Особенности: EM64T technology Enhanced SpeedStep technology Execut
- Intel Celeron Dual Core E3400, 2.6 GHz, 800MHz, 1MB L2, 45nm, 65W, LGA775, trayОбщие характеристики Socket LGA775 Ядро Ядро Wolfdale Количество ядер 2 Техпроцесс 45 нм Частотные характеристики Тактовая частота 2600 МГц Системная шина 800 МГц Коэффициент умножения 13 Напряжение на ядре 0.85 B Кэш Объем кэша L1 64 Кб Объем кэша L2 1024 Кб Наборы команд Инструкции MMX, SSE, SSE2, S