Sampon pentr copii Victoras Cosmeplant 250 ml
(24)- Видеокарты Sapphire Radeon R7 250 2GB DDR3 128BitВидеокарты Sapphire Radeon R7 250 2GB DDR3 128Bit 1050/1800Mhz with boost DVI, HDMI, Retail Radeon R7 250 (11215-01-20G) — это младший представитель нового поколения видеокарт AMD от Sapphire, который подарит вам совершенно новые ощущения в мире виртуальных развлечений. Смена системы наименования графических адаптеро
- Cable Organizers NYTFR-250x3.6, Nylon cable ties, 250 x 3.6 mm, UV resistant, bag of 100 pcsCable Organizers NYTFR-250x3.6, Nylon cable ties, 250 x 3.6 mm, UV resistant, bag of 100 pcs Устойчивые к солнцу и морозу нейлоновые кабельные стяжки Длина 250 мм x 3.6 мм шириной Самозатягивающиеся, неразъемные
- M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 970 EVO Plus, PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 970 EVO Plus, PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) Объём накопителя, ГБ 250 Максимальная скорость записи, Мбайт/с 2300 Максимальная скорость чтения, Мбайт/с 3500
- Heatsink Silicone Thermal pad Gembird TG-P-01, 100 x 100 x 1 mm, Operation Temperature: -40 ~ 250° C, GreyHeatsink Silicone Thermal pad Gembird TG-P-01, 100 x 100 x 1 mm, Operation Temperature: -40 ~ 250° C, Grey Термопаста для теплоотводов (радиаторов) Помогает отводить тепло от процессоров, чипсетов к радиатору Отличная теплопроводность Прекрасная стабильность - не рассыпается, не вытекает Электрически непроводящая
- Cooler Arctic Alpine 17 CO, Intel Socket 1700, FAN 92mm, 250-2700rpm PWM, MX-4 Pre-applied, Noise Level 0.3 Sone, Dual Ball Bearing, ACALP00041ACooler Arctic Alpine 17 CO, Intel Socket 1700, FAN 92mm, 250-2700rpm PWM, MX-4 Pre-applied, Noise Level 0.3 Sone, Dual Ball Bearing, ACALP00041A
- M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) Объём накопителя 256 ГБ Тип ячеек памяти TLC
- M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) форм-фактор: 2280, M емкость: 500 ГБ скорость чтения/записи: 3100 МБ/с / 2600 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 3.0 x4 тип флэш-п
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Lexar NM710, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 5000 MB/s/ 4500 MB/s, Random Read/Write 500K IOPS/ 600K IOPS, MAP1602A-F1C, LDPC, HMB 3.0 and SLC Cache technology, TBW: 600TBW, MTBF: 1.5mlM.2 NVMe SSD 1.0TB Lexar NM710, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 5000 MB/s/ 4500 MB/s, Random Read/Write 500K IOPS/ 600K IOPS, MAP1602A-F1C, LDPC, HMB 3.0 and SLC Cache technology, TBW: 600TBW, MTBF: 1.5ml Объём накопителя 1000 ГБ Максимальная скорость записи, мб/с 4
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) форм-фактор: 2280, M емкость: 1000 ГБ скорость чтения/записи: 3500 МБ/с / 3000 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 3.0 x4 тип флэш-
- M.2 NVMe SSD 250GB GOODRAM PX600 Gen2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3200 MB/s / 1700 MB/s, TBW: 100TB, MTBF: 2mln hours, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal padM.2 NVMe SSD 250GB GOODRAM PX600 Gen2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3200 MB/s / 1700 MB/s, TBW: 100TB, MTBF: 2mln hours, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal pad Объём накопителя: 250 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 1700 Мак
- .M.2 NVMe SSD 250GB Kingston NV2 [PCIe 4.0 x4, R/W:3000/1300MB/s, 80TBW, 3D-NAND QLC].M.2 NVMe SSD 250GB Kingston NV2 [PCIe 4.0 x4, R/W:3000/1300MB/s, 80TBW, 3D-NAND QLC] Capacitate stocare: 250 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D QLC (Quad-Level Cell) Объём накопителя 250 ГБ Тип ячеек памяти QLC 3D NAND Максимальная скорость
- 2.5" SATA SSD 250GB Transcend SSD225S [R/W:500/330MB/s, 40K/75K IOPS, 90 TBW, 3DTLC]2.5" SATA SSD 250GB Transcend SSD225S [R/W:500/330MB/s, 40K/75K IOPS, 90 TBW, 3DTLC] Capacitate stocare: 250 GB Sistem de stocare a datelor: 2.5" Interfa?a SSD: SATA-3 (6 Gb/s) Tip de memorie flash: 3D Viteza maxima de citire: 500 MB/s Форм-фактор 2.5" Объем 250 ГБ Интерфейс SATA III Скорость чтения 500
- .M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 980 EVO [PCIe 3.0 x4, R/W:2900/1300MB/s, 230/320K IOPS, Pablo, TLC] .M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 980 EVO [PCIe 3.0 x4, R/W:2900/1300MB/s, 230/320K IOPS, Pablo, TLC] Объём памяти : 250 ГБ Форм-фактор : M.2 Размер (Д x Ш x Т) : 80.15 x 22.15 x 2.38 мм Вес : 9 г Модель : 980 EVO Тип : SSD Скорость записи : 2700 Mб/с Capacitate memorie : 250 GB Form factor : M.2 Dimensiuni (L x L x G
- 2.5" SATA SSD 250GB Samsung 870 EVO MZ-77E250B, [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC]2.5" SATA SSD 250GB Samsung 870 EVO MZ-77E250B [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Capacitate stocare: 250 GB Sistem de stocare a datelor: 2.5" Tip de memorie flash: 3D TLC Viteza maxima de citire: 560 MB/s. Объём накопителя 250 ГБ Тип ячеек памяти V-NAND MLC Максимальная скорость записи, мб/с 5
- M.2 NVMe SSD 240GB Patriot P310, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 1700 MB/s, Sequential Write 1000 MB/s, Random Read 280K IOPS, Random Write 250K IOPS, 120TBW, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 240GB Patriot P310, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 1700 MB/s, Sequential Write 1000 MB/s, Random Read 280K IOPS, Random Write 250K IOPS, 120TBW, 3D NAND TLC Тип устройства:SSD Производитель:Patriot Модель:P310 Форм-фактор:M.2 2280 Емкость накопителя:240 ГБ Ско
- .M.2 NVMe SSD 250GB Transcend 115S [PCIe 3.0 x4, R/W:3200/1300MB/s, 250/170K IOPS, 100TBW,3DTLC].M.2 NVMe SSD 250GB Transcend 115S [PCIe 3.0 x4, R/W:3200/1300MB/s, 250/170K IOPS, 100TBW,3DTLC] Capacitate stocare: 250 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 3.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC
- M.2 NVMe SSD 250GB Patriot P400 Lite, w/Graphene Heatshield, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3200 MB/s, Sequential Write 1300 MB/s, Random Read 110K IOPS, Random Write 300K IOPS, EtE data path protection, TBW: 1M.2 NVMe SSD 250GB Patriot P400 Lite, w/Graphene Heatshield, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3200 MB/s, Sequential Write 1300 MB/s, Random Read 110K IOPS, Random Write 300K IOPS, EtE data path protection Объём накопителя: 250 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная
- .M.2 NVMe SSD 250GB WD Black SN750 [PCIe 3.0 x4, R/W:3100/1600MB/s, 220/180K IOPS, TLC BiCS3] .M.2 NVMe SSD 250GB WD Black SN750 [PCIe 3.0 x4, R/W:3100/1600MB/s, 220/180K IOPS, TLC BiCS3] Производитель WD Емкость накопителя 250 GB Тип накопителя M.2 PCIe NVMe SSD
- 2.5" SSD 250GB Samsung 870 EVO V-Nand 3bit MLC, R/W:560 MB/s/530 MB/s MB/s, MZ-77E250B/EU2.5" SSD 250GB Samsung 870 EVO V-Nand 3bit MLC, R/W:560 MB/s/530 MB/s MB/s, MZ-77E250B/EU Объем 250 ГБ Форм-фактор 2.5" Интерфейс подключения SATAIII
- 250GB SSD 2.5" Samsung 870 EVO MZ-77E250BW, Read 560MB/s, Write 530MB/s, SATA III 6.0Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)250GB SSD 2.5" Samsung 870 EVO MZ-77E250BW, Read 560MB/s, Write 530MB/s, SATA III 6.0Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд SAMSUNG Модель 870 EVO MZ-77E250BW Форм-фактор накопителя 2.5" Память накопителя 250 ГБ Контроллер Samsung MKX Тип чипов MLC (Multi Level Cell) Скоро
- 2.5" SSD 250GB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, 7mm, 512MB Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC2.5" SSD 250GB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, 7mm, 512MB Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC Объём накопителя 250 ГБ Тип ячеек памяти MLC
- .M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 970 EVO Plus [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2300MB/s, 250/550K IOPS, Phx, TLC].M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 970 EVO Plus [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2300MB/s, 250/550K IOPS, Phx, TLC] SSD накопитель, который предлагает большее Твердотельные накопители (SSD) Samsung серии 970 Evo обеспечивают невероятную скорость, лучшую в своем классе надежность и широкий выбор емкостей вплоть до 2 ТБ*. Новейшая тех
- "Case ITX 250W Tower/Desktop Chieftec BT-02B-U3-250VS, 2xUSB 3.0, Black . Компактный дизайн для установки 2x полноразмерных PCI-E слотов ВозмоCase ITX 250W Tower/Desktop Chieftec BT-02B-U3-250VS, 2xUSB 3.0, Black Код производителя BT-02B-U3-250VS Мощность блока питания 250 Вт Форм-фактор материнской платы Mini-ITX Разъемы для подключения HDD/FDD/SATA, Микрофонный Вес 3.5 Тип корпуса Minitower Материал Пластик
- AC be quiet! Dark Rock Pro 4 (12.8-24,3dBA, 1500RPM, 2x135/120mm, PWM, 250W, 7 Heatpipes, 1130g.)AC be quiet! Dark Rock Pro 4 (12.8-24,3dBA, 1500RPM, 2x135/120mm, PWM, 250W, 7 Heatpipes, 1130g.) максимальная рассеиваемая мощность (TDP): 250 Вт высота кулера: 162.8 мм сокет: AM2, AM4, AM3, AM3+, AM2+, LGA 1151, FM2, LGA 1150, FM1, LGA 1155, LGA 1156, LGA 1356, FM2+, LGA 1151-v2, LGA 2066, LGA 1366, LGA 2011-3 (Sq