'Original'
(9)- .2GB DDR4-2400MHz SODIMM Samsung Original PC19200, CL17, 260pin DIMM 1.2V .2GB DDR4-2400MHz SODIMM Samsung Original PC19200, CL17, 260pin DIMM 1.2V Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 2GB 2400 MHz Объем 2 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 2400 МГц CAS Latency (CL), нс 17 Тип памяти DDR4
- 4GB DDR4-3200 SODIMM Hynix Original, PC21300, CL19, 1.2V HMA851S6DJR6N-XN - bulk4GB DDR4-3200 SODIMM Hynix Original, PC21300, CL19, 1.2V HMA851S6DJR6N-XN - bulk Тип памяти DDR4 Объем 4 GB Тактовая частота 3200 МГц Схема таймингов памяти CL19
- .8GB DDR5-4800MHz SK Hynix Original (HMCG66MEBUA081N), PC5-38400U, 1Rx16, CL40, 1.1V, Bulk.8GB DDR5-4800MHz SK Hynix Original (HMCG66MEBUA081N), PC5-38400U, 1Rx16, CL40, 1.1V, Bulk Тип памяти : DDR5 Буфер : Небуферизированная Назначение : Для ПК CAS Latency : CL40 Форм-фактор : DIMM
- 16GB DDR5-4800MHz SK Hynix Original (HMCG78AEBUA081N), PC5-38400U, 1Rx8, CL40, 1.1V, Bulk16GB DDR5-4800MHz SK Hynix Original (HMCG78AEBUA081N), PC5-38400U, 1Rx8, CL40, 1.1V, Bulk Объем памяти 16 ГБ Схема таймингов памяти CL40 Назначение Для настольных ПК Количество планок 1
- 16GB DDR5-5600MHz SK Hynix Original (HMCG78AGBUA081N), PC5-44800U, 1Rx8, CL40, 1.1V, Bulk16GB DDR5-5600MHz SK Hynix Original (HMCG78AGBUA081N), PC5-44800U, 1Rx8, CL40, 1.1V, Bulk Тип памяти : DDR5 Буфер : Небуферизированная Назначение : Для ПК CAS Latency : CL40 Бренд : SK Hynix Форм-фактор : DIMM Tip memorie : DDR5 Buffer : Nebuferizat Destinatie : Pentru PC Latenta CAS : CL40 Brand : SK Hynix Form f
- 32GB DDR4- 2666MHz Hynix Original PC21300, CL19, 288pin DIMM 1.2V 32GB DDR4- 2666MHz Hynix Original PC21300, CL19, 288pin DIMM 1.2V Объем 32 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 2660 МГц CAS Latency (CL), нс 19 Тип памяти DDR4
- 32GB DDR5-5600MHz Samsung Original (M323R4GA3DB0), PC5-44800U, 2Rx8, CL40, 1.1V, Bulk32GB DDR5-5600MHz Samsung Original (M323R4GA3DB0), PC5-44800U, 2Rx8, CL40, 1.1V, Bulk Capacitatea Memoriei (Total): 32 GB Frecven?a memorie: 5600 MHz Viteza de memorie nominala: PC5-44800 Laten?a CAS: CL40 Tensiune RAM: 1.1V
- 2 GB DDR3 1333MHz Hynix Original DIMM, PC3 10600, CL9Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 2 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Напряжение питания 1.5 В