GoodRam
(46)- 4GB DDR3-1600 GOODRAM, PC12800, CL114GB DDR3-1600 GOODRAM, PC12800, CL11 Модули памяти Goodram типа DDR3 широко используются в компьютерах, где требуется большая скорость передачи данных, большая емкость и низкое энергопотребление. Качество модулей памяти Goodram В целях обеспечения высочайшего качества модулей памяти марки Goodram, компания работает
- 2.5" SSD 256GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Read: 550 MB/s, Write: 480 MB/s, 3D NAND TLC SSDPR-CX400-256-G22.5" SSD 256GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Read: 550 MB/s, Write: 480 MB/s, 3D NAND TLC SSDPR-CX400-256-G2 Категория:SSD Производитель:GOODRAM Part Number:SSDPR-CX400-256-G2 Модель:CX400 Gen.2 Форм-фактор:2.5" Емкость накопителя:256 ГБ Скорость чтения:550 МБ/с Скорость записи:480 МБ/с Скорость произвольного чтен
- 2.5" SSD 240GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Sequential Reads: 520 MB/s, Sequential Writes: 400 MB/s, Thickness- 7mm, Controller Marvell 88NV1120, 3D NAND TLC2.5" SSD 240GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Sequential Reads: 520 MB/s, Sequential Writes: 400 MB/s, Thickness- 7mm, Controller Marvell 88NV1120, 3D NAND TLC Категория SSD Производитель GOODRAM Форм-фактор 2.5" Емкость накопителя 240 GB Скорость чтения 520 MB/s Скорость записи 400 MB/s Тип ячеек памяти TLC Контролл
- 8GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V8GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V Производитель GOODRAM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1600 МГц Объем 1 модуль 8 Гб Напряжение питания 1.35V Поддержка ECC есть CAS Latency (CL) 11
- 8GB DDR3-1600 GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V8GB DDR3-1600 GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V Модуль памяти DDR3 Goodram 4GB 1600MHz CL11 1.35V [GR1600D3V64L11/4G] вы можете приобрести в нашем интернет-магазине по самой выгодной цене. Покупать в «ЮЛАЙН» всегда приятно! Добавьте товар в корзину и оформите заказ. После этого наш менеджер свяжется с вами и уточнит все
- 8GB DDR4-2666 SODIMM GOODRAM, PC21300, CL19, Single Rank, 1024x8, 1.2V8GB DDR4-2666 SODIMM GOODRAM, PC21300, CL19, Single Rank, 1024x8, 1.2V Оперативная память GOODRAM обладает замечательными характеристиками, высокой степенью производительности и малой степенью энергопотребления. Этот модуль памяти был создан специально для ноутбуков. Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая ча
- 2.5" SSD 480GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Read: 540 MB/s, Write: 460 MB/s, 3D NAND TLC SSDPR-CL100-480-G32.5" SSD 480GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Read: 540 MB/s, Write: 460 MB/s, 3D NAND TLC SSDPR-CL100-480-G3 Категория:SSD Производитель:GOODRAM Part Number:SSDPR-CL100-480-G3 Модель:CL100 Gen.3 Форм-фактор:2.5" Емкость накопителя:480 ГБ Скорость чтения:540 МБ/с Скорость записи:460 МБ/с Тип ячеек памяти:TLC Контро
- 16GB DDR4-2666 SODIMM GOODRAM, PC21300, CL19, 1024x8, 1.2V16GB DDR4-2666 SODIMM GOODRAM, PC21300, CL19, 1024x8, 1.2V Производитель GOODRAM Модель GR2666S464L19/16G Тип памяти DDR4 Стандарт памяти PC21300 Форм-фактор памяти SO-DIMM Количество модулей в комплекте 1 Объем памяти 16ГБ Частота функционирования памяти 2666 МГц Поддержка ECC – CAS-латентность CL19 Напряжение пита
- 32GB DDR5-4800 GOODRAM, PC5-38400, CL40, 2048x8, 1.1V32GB DDR5-4800 GOODRAM, PC5-38400, CL40, 2048x8, 1.1V Тип устройства:RAM Тип устройства:Оперативная память Производитель:GOODRAM Модель:GR4800D564L40/32G Тип памяти:DDR5 DIMM Объем памяти:32 ГБ Количество планок:1 Частота памяти:4800 МГц. Назначение:Для настольных ПК Радиаторы на планках:Нет Схема таймингов памяти:CL
- 2.5" SSD 120GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Read: 485 MB/s, Writes: 380 MB/s, 7mm, Controller Marvell 88NV1120, NAND TLC2.5" SSD 120GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Read: 485 MB/s, Writes: 380 MB/s, 7mm, Controller Marvell 88NV1120, NAND TLC Объем 120 ГБ Формфактор 2.5" Интерфейс SATAIII
- 2.5" SSD 120GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Sequential Reads: 485 MB/s, Sequential Writes: 380 MB/s, Thickness- 7mm, Controller Marvell 88NV1120, 3D NAND TLC2.5" SSD 120GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Sequential Reads: 485 MB/s, Sequential Writes: 380 MB/s, Thickness- 7mm, Controller Marvell 88NV1120, 3D NAND TLC Объем 120 ГБ Формфактор 2.5" Интерфейс SATAIII
- 4GB DDR4-2666 GOODRAM, PC21300, CL19, 1.2V4GB DDR4-2666 GOODRAM, PC21300, CL19, 1.2V Объем памяти 4 ГБ Тип памяти DDR4 SDRAM Напряжение питания 1.2 В Радиаторы на планках Нет Частота памяти 2666 МГц Эффективная пропускная способность 21300 МБ/с Схема таймингов памяти CL19 Количество планок 1 Назначение Для настольных ПК Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет
- 2.5" SSD 128GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Read: 550 MB/s, Write: 480 MB/s, 3D NAND TLC SSDPR-CX400-128-G22.5" SSD 128GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Read: 550 MB/s, Write: 480 MB/s, 3D NAND TLC SSDPR-CX400-128-G2 Формфактор 2.5" Объем 128 Гб Интерфейс SATA III Скорость чтения 550 МБ/с Скорость записи 480 МБ/с Тип ячеек памяти 3D V-NAND (TLC) Энергопотребление В режиме чтения: 2.3 Вт, В режиме записи: 4.3 Вт, В режим
- 2.5" SSD 128GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 65,000 IOPS / Write: 82,500 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC2.5" SSD 128GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 65,000 IOPS / Write: 82,500 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC Объём накопителя 128 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи 460 МБ/сек Ма
- 4GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V4GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V DDR3 сейчас является доминирующим типом памяти для настольных компьютеров, серверов и рабочих станций. DDR3 рассчитана на работу на более высоких частотах, чем DDR, и характеризуется меньшим энергопотреблением. Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота
- 4GB DDR3L-1600 GOODRAM, PC12800, CL11, Single Rank, 1.35V4GB DDR3L-1600 GOODRAM, PC12800, CL11, Single Rank, 1.35V Модуль оперативной памяти для стационарных ПК, тип памяти DDR3 SDRAM, имеет эффективную пропускную способность 12800 Мбит/с, имеет напряжение питания 1,35 В. Чипы памяти выполнены без радиаторов охлаждения. Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая часто
- 2.5" SSD 240GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Read: 520 MB/s, Writes: 400 MB/s, 7mm, Controller Marvell 88NV1120, NAND TLC 3D2.5" SSD 240GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Read: 520 MB/s, Writes: 400 MB/s, 7mm, Controller Marvell 88NV1120, NAND TLC 3D Модель Goodram CL100 gen.3 Основной цвет черный Объем накопителя 240 ГБ Физический интерфейс SATA III Тип чипов памяти TLC 3D NAND NVMe нет Максимальная скорость записи (сжатые данные) 40
- 2.5" SSD 256GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 480 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 65,000 IOPS / Write: 61,440 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC2.5" SSD 256GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 480 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 65,000 IOPS / Write: 61,440 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC Объем 256 ГБ Формфактор 2.5" Интерфейс SATAIII
- 8GB DDR3-1600 GOODRAM, PC12800, CL118GB DDR3-1600 GOODRAM, PC12800, CL11 Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3
- 8GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL118GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11 Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3
- 8GB DDR4-2666 GOODRAM, PC21300, CL19, 1.2V8GB DDR4-2666 GOODRAM, PC21300, CL19, 1.2V Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 2660 МГц CAS Latency (CL), нс 19 Тип памяти DDR4
- 8GB DDR4-3200 SODIMM GOODRAM, PC25600, CL22, 1024x8, 1.2V8GB DDR4-3200 SODIMM GOODRAM, PC25600, CL22, 1024x8, 1.2V Объем памяти 8 ГБ Тип памяти SODIMM DDR4 Частота памяти 3200 МГц Схема таймингов памяти CL22 Количество планок 1 Назначение Для ноутбуков
- 8GB DDR4-3200 GOODRAM, PC25600, CL22, 1024x8, 1.2V8GB DDR4-3200 GOODRAM, PC25600, CL22, 1024x8, 1.2V Объем памяти 8 ГБ Тип памяти DDR4 SDRAM Частота памяти 3200 МГц Схема таймингов памяти CL22 Количество планок 1 Назначение Для настольных ПК
- 8GB DDR5-4800 SODIMM GOODRAM, PC5-38400, CL40, 1024x16, 1.1V8GB DDR5-4800 SODIMM GOODRAM, PC5-38400, CL40, 1024x16, 1.1V Бренд GOODRAM Модель GR4800S564L40S/8G Тип памяти DDR5 Стандарт памяти PC5-38400 Форм-фактор памяти SO-DIMM Количество модулей в комплекте 1 Объем памяти 8 ГБ Частота функционирования памяти 4800 MГц CAS-латентность CL40 Напряжение питания 1.1 В
- M.2 NVMe SSD 250GB GOODRAM PX600 Gen2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3200 MB/s / 1700 MB/s, TBW: 100TB, MTBF: 2mln hours, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal padM.2 NVMe SSD 250GB GOODRAM PX600 Gen2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3200 MB/s / 1700 MB/s, TBW: 100TB, MTBF: 2mln hours, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal pad Объём накопителя: 250 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 1700 Мак
- 2.5" SSD 480GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Sequential Reads: 540 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Thickness- 7mm, Controller Marvell 88NV1120, 3D NAND TLC2.5" SSD 480GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Sequential Reads: 540 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Thickness- 7mm, Controller Marvell 88NV1120, 3D NAND TLC Объём накопителя, ГБ 480 Максимальная скорость записи, Мбайт/с 460 Максимальная скорость чтения, Мбайт/с 540
- 2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,500 IOPS / Write: 76,800 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,500 IOPS / Write: 76,800 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC Объем 512 ГБ Скорость чтения 550 МБ/с Скорость записи 500 МБ/с Энергопотребление В режиме чтения:
- 16GB DDR4-3200 SODIMM GOODRAM, PC25600, CL22, 1024x8, 1.2V16GB DDR4-3200 SODIMM GOODRAM, PC25600, CL22, 1024x8, 1.2V Объем памяти 16 ГБ Тип памяти SODIMM DDR4 Частота памяти 3200 МГц Схема таймингов памяти CL22 Количество планок 1 Назначение Для ноутбуков
- 16GB DDR4-3600 GOODRAM IRDM PRO DDR4 DEEP BLACK, PC28800, CL18, Latency 18-22-22, 1.35V, 1024x8, Aluminium BLACK heatsink16GB DDR4-3600 GOODRAM IRDM PRO DDR4 DEEP BLACK, PC28800, CL18, Latency 18-22-22, 1.35V, 1024x8, Aluminium BLACK heatsink Объем памяти 16 ГБ Частота памяти 3600 МГц. Тип памяти DDR4 SDRAM Схема таймингов памяти CL18-22-22 Назначение Для настольных ПК Количество планок 1
- M.2 NVMe SSD 256GB GOODRAM IRDM, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3000 MB/s/ 1000 MB/s, Random 4K Read/Write 149K IOPS/ 250K IOPS, 8-Channel Phison E12 w/DRAM buffer, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 256GB GOODRAM IRDM, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3000 MB/s/ 1000 MB/s, Random 4K Read/Write 149K IOPS/ 250K IOPS, 8-Channel Phison E12 w/DRAM buffer, 3D NAND TLC Формфактор SSD M.2 Объем 256 Гб Интерфейс PCI Express 3.0 x4 Скорость чтения 3000 МБ/с Ск
