Smart Band 8
(229)- CPU AMD Ryzen 3 3200G 4-Core, 4 Threads, 3.6-4GHz, Unlocked, Radeon Vega 8 Graphics, 8 GPU Cores, 6MB Cache, AM4, Wraith Stealth Cooler, BOXCPU AMD Ryzen 3 3200G 4-Core, 4 Threads, 3.6-4GHz, Unlocked, Radeon Vega 8 Graphics, 8 GPU Cores, 6MB Cache, AM4, Wraith Stealth Cooler, BOX Socket: AM4 Объем кэша L3: 4096 КБ Количество ядер: 4 Частота процессора: 3600 МГц Интегрированное графическое ядро: да Комплектация: BOX, OEM 4-ядерный процессор, Socket AM4 ч
- APU AMD Ryzen 3 3200G (3.6-4.0GHz, 4C/4T,L2 2MB,L3 4MB,12nm, Vega 8 Graphics, 65W), Socket AM4, TrayAPU AMD Ryzen 3 3200G (3.6-4.0GHz, 4C/4T,L2 2MB,L3 4MB,12nm, Vega 8 Graphics, 65W), Socket AM4, Tray Бренд: AMD Модель Ryzen 3 3200G Частота работы процессора 3.6-3.8 ГГц Количество ядер 4 Количество потоков 4 Техпроцесс 12 нм Тепловыделение 65 Вт Объём кэша L3 4 МБ Тип памяти DDR4 Графический процессор Radeon Vega
- M.2 NVMe SSD 2.0TB GOODRAM IRDM w/Heatsink, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3200 MB/s/ 3000 MB/s, Random 4K Read/Write 490K IOPS/ 500K IOPS, 8-Channel Phison E12 w/DRAM buffer, TBW 1200, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 2.0TB GOODRAM IRDM w/Heatsink, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3200 MB/s/ 3000 MB/s, Random 4K Read/Write 490K IOPS/ 500K IOPS, 8-Channel Phison E12 w/DRAM buffer, TBW 1200, 3D NAND TLC Объем 2 ТБ Скорость чтения 3200 Скорость записи 3000 Форм-фактор M.2
- Процессор AMD Ryzen 7 7700 8-Core, 16 Threads, 3.8-5.3GHz, Unlocked, AMD Radeon Graphics, 8MB L2 Cache, 32MB L3 Cache, AM5, Tray + Wraith Prism Cooler (100-100000592MPK)Процессор AMD Ryzen 7 7700 8-Core, 16 Threads, 3.8-5.3GHz, Unlocked, AMD Radeon Graphics, 8MB L2 Cache, 32MB L3 Cache, AM5, Tray + Wraith Prism Cooler (100-100000592MPK) Количество ядер 8 Частота процессора 3800 MHz Макс. тактовая частота 5300 MHz Тепловыделение (TDP) 65 W Встроенное графическое ядро Radeon Graphics
- DEEPCOOL "EC300-CPU8P-RD", RED, Extension cable 8 (4+4)-pin ATX, 18AWG fiber wire and a high-quality terminal, wire length 300mmDEEPCOOL EC300-CPU8P-RD, RED, Extension cable 8 (4+4)-pin ATX, 18AWG fiber wire and a high-quality terminal, wire length 300mm Подходит к различным типам блоков питания, и удовлетворяет разнообразные потребности игроков в прокладке кабелей. Обеспечивает высококачественные волоконные проводники 18 калибра и высококаче
- Zalman Thermal Compound ZM-STC8, 8,3 W/mxk, 1,5gZalman Thermal Compound ZM-STC8, 8,3 W/mxk, 1,5g Формат шприц Плотность 2.6 г/см3 Теплопроводность 8.3 Вт/м•К Рабочая температура -40 ~ +200 °C Вес пасты 1.5 гр Размер 66x19x12 мм Производитель Zalman
- 2.5" SSD 120GB Patriot Burst Elite, SATAIII, Sequential Read: 450MB/s, Sequential Write: 320MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 40K IOPS, SMART ZIP, TRIM, 7mm, TBW: up to 50TB, Phison S11 Controller, 3D NAND TLC2.5" SSD 120GB Patriot Burst Elite, SATAIII, Sequential Read: 450MB/s, Sequential Write: 320MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 40K IOPS, SMART ZIP, TRIM, 7mm, TBW: up to 50TB, Phison S11 Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 120 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с
- PC Case Fan NZXT F120 RGB Core, 120x120x26mm, 8 LEDs, 33.8dB, 78.86CFM, 500-1800RPM, FDB, 4 Pin, BlackPC Case Fan NZXT F120 RGB Core, 120x120x26mm, 8 LEDs, 33.8dB, 78.86CFM, 500-1800RPM, FDB, 4 Pin, Black Максимальная скорость вращения 1800 rpm Регулятор оборотов Есть Уровень шума, Дб 33.88 Размеры вентилятора (ДхШ) 20 x 120 мм. Тип Охлаждения Для Корпуса Тип Коннектора 4-pin
- 2,5" SSD 128GB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 480MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 60TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 128GB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 480MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 60TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 128 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 480 Максимальная с
- 2,5" SSD 128GB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 450MB/s, Sequential Write: 350MB/s, 4K Random Read: 30K IOPS, 4K Random Write: 30K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 60TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 128GB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 450MB/s, Sequential Write: 350MB/s, 4K Random Read: 30K IOPS, 4K Random Write: 30K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 60TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 128 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 450 Максимальная с
- 2.5" SSD 240GB Patriot Burst Elite, SATAIII, Sequential Read: 450MB/s, Sequential Write: 320MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 40K IOPS, SMART ZIP, TRIM, 7mm, TBW: up to 100TB, Phison S11 Controller, 3D NAND TLC2.5" SSD 240GB Patriot Burst Elite, SATAIII, Sequential Read: 450MB/s, Sequential Write: 320MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 40K IOPS, SMART ZIP, TRIM, 7mm, TBW: up to 100TB, Phison S11 Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 240 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с
- 2,5" SSD 256GB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 500MB/s, Sequential Write: 400MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 30K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 120TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 256GB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 500MB/s, Sequential Write: 400MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 30K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 120TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 256 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 5546 Максимальная
- 2,5" SSD 256GB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 490MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 120TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 256GB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 490MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 120TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 256 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 490 Максимальная
- M.2 NVMe SSD 256GB GOODRAM IRDM, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3000 MB/s/ 1000 MB/s, Random 4K Read/Write 149K IOPS/ 250K IOPS, 8-Channel Phison E12 w/DRAM buffer, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 256GB GOODRAM IRDM, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3000 MB/s/ 1000 MB/s, Random 4K Read/Write 149K IOPS/ 250K IOPS, 8-Channel Phison E12 w/DRAM buffer, 3D NAND TLC Формфактор SSD M.2 Объем 256 Гб Интерфейс PCI Express 3.0 x4 Скорость чтения 3000 МБ/с Ск
- 2.5" SSD 480GB Patriot Burst Elite, SATAIII, Sequential Read: 450MB/s, Sequential Write: 320MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 40K IOPS, SMART ZIP, TRIM, 7mm, TBW: up to 200TB, Phison S11 Controller, 3D NAND TLC2.5" SSD 480GB Patriot Burst Elite, SATAIII, Sequential Read: 450MB/s, Sequential Write: 320MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 40K IOPS, SMART ZIP, TRIM, 7mm, TBW: up to 200TB, Phison S11 Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 480 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с
- 2,5" SSD 512GB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 520MB/s, Sequential Write: 430MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 240TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 512GB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 520MB/s, Sequential Write: 430MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 240TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 512 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 430 Максимальная
- 2,5" SSD 512GB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 500MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 240TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 512GB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 500MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 240TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 512 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 500 Максимальная
- M.2 NVMe SSD 512GB GOODRAM IRDM, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3200 MB/s/ 2000 MB/s, Random 4K Read/Write 295K IOPS/ 500K IOPS, 8-Channel Phison E12 w/DRAM buffer, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 512GB GOODRAM IRDM, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3200 MB/s/ 2000 MB/s, Random 4K Read/Write 295K IOPS/ 500K IOPS, 8-Channel Phison E12 w/DRAM buffer, 3D NAND TLC Формфактор SSD M.2 Объем 512GB Интерфейс PCI Express 3.0 x4 Тип ячеек памяти 3D V-NAND (T
- Case Miditower ATX HPC R-05 Black, 650W, 12cm fan, 24 pin, 8 pin(4+4), 2x 8pin(6+2), 2xSATA cables, Glass side panel, 1xRGB fan, 1xUSB 3.0, 2xUSB 2.0 & Audio (carcasa/корпус)Case Miditower ATX HPC R-05 Black, 650W, 12cm fan, 24 pin, 8 pin(4+4), 2x 8pin(6+2), 2xSATA cables, Glass side panel, 1xRGB fan, 1xUSB 3.0, 2xUSB 2.0 & Audio (carcasa/корпус) Бренд HPC Модель R-05 Black Тип корпуса ATX Наличие блока питания Входит в комплект поставки Мощность блока питания 650 Вт Разъемы на пере
- 2.5" SSD 960GB Patriot Burst Elite, SATAIII, Sequential Read: 450MB/s, Sequential Write: 320MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 40K IOPS, SMART ZIP, TRIM, 7mm, TBW: up to 400TB, Phison S11 Controller, 3D NAND TLC2.5" SSD 960GB Patriot Burst Elite, SATAIII, Sequential Read: 450MB/s, Sequential Write: 320MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 40K IOPS, SMART ZIP, TRIM, 7mm, TBW: up to 400TB, Phison S11 Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 960 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с
- 2,5" SSD 1.0TB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 520MB/s, Sequential Write: 430MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 480TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 1.0TB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 520MB/s, Sequential Write: 430MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 480TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 1000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 430 Максимальная
- 2,5" SSD 1.0TB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 500MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 480TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 1.0TB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 500MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 480TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 1000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 500 Максимальная
- AMD Ryzen 3 3200G, Socket AM4, 3.6-4.0GHz (4C/4T), 4MB L3, Integrated Radeon Vega 8 Graphics, 12nm 65W, trayAMD Ryzen 3 3200G, Socket AM4, 3.6-4.0GHz (4C/4T), 4MB L3, Integrated Radeon Vega 8 Graphics, 12nm 65W, tray Сокет : AM4 Технология производства : 12 нм Кэш : 4 МБ Тип видеокарты : Встроенная Тип процессора : AMD Количество ядер : 4 Частота процессора : 3600 - 4000 МГц Socket : AM4 Tehnologie de fabricatie : 12 nm M
- ASUS PRIME H610M-R D4-SI Intel H610, LGA1700, Dual DDR4 3200MHz, PCI-E 4.0 x16, DVI/D-Sub/HDMI, USB3.2, SATA 6 Gbps, PCIe 3.0 x4 mode, SB 8-Ch., GigabitLAN, LED lightingASUS PRIME H610M-R D4-SI Intel H610, LGA1700, Dual DDR4 3200MHz, PCI-E 4.0 x16, DVI/D-Sub/HDMI, USB3.2, SATA 6 Gbps, PCIe 3.0 x4 mode, SB 8-Ch., GigabitLAN, LED lighting Тип памяти : DDR4 Количество слотов RAM : 2 USB 2.0 : 2 SATA : 4 PS/2 : 2 NGFF M.2 : 4 Максимальный объем оперативной памяти : 64 ГБ Tip memorie :
- M.2 NVMe SSD 1.0TB GOODRAM IRDM w/Heatsink, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3200 MB/s/ 3000 MB/s, Random 4K Read/Write 255K IOPS/ 500K IOPS, 8-Channel Phison E12 w/DRAM buffer, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 1.0TB GOODRAM IRDM w/Heatsink, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3200 MB/s/ 3000 MB/s, Random 4K Read/Write 255K IOPS/ 500K IOPS, 8-Channel Phison E12 w/DRAM buffer, 3D NAND TLC Объем 1 ТБ Страна-производитель Китай (Тайвань) Скорость чтения до 3200 МБ/с С
- Power Supply ATX 750W Chieftec ATMOS CPX-750FC, 80+ Gold, 120mm, ATX 3.0, FB LLC, DC/DC, Smart Fan Control, Full ModularPower Supply ATX 750W Chieftec ATMOS CPX-750FC, 80+ Gold, 120mm, ATX 3.0, FB LLC, DC/DC, Smart Fan Control, Full Modular
- Power Supply ATX 850W Chieftec ATMOS CPX-850FC, 80+ Gold, 120mm, ATX 3.0, FB LLC, DC/DC, Smart Fan Control, Full ModularPower Supply ATX 850W Chieftec ATMOS CPX-850FC, 80+ Gold, 120mm, ATX 3.0, FB LLC, DC/DC, Smart Fan Control, Full Modular
- AIO Liquid Cooling be quiet! Pure Loop 2 FX 240mm (8-32.3dB, 2x120mm, PWM, 2500RPM, ARGB, 1180g.)AIO Liquid Cooling be quiet! Pure Loop 2 FX 240mm (8-32.3dB, 2x120mm, PWM, 2500RPM, ARGB, 1180g.) Размеры вентилятора 2 x 120 мм Скорость вращения 5500 об./мин. Управление скоростью вращения PWM (Широтно-импульсная модуляция) Воздушный поток 70.53 куб.футов/мин Рассеиваемая мощность 230 Вт Уровень шума 32.3 дБ(А) Вес
- 2.5" SSD 1.92TB Patriot Burst Elite, SATAIII, Sequential Read: 450MB/s, Sequential Write: 320MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 40K IOPS, SMART ZIP, TRIM, 7mm, TBW: up to 800TB, Phison S11 Controller, 3D NAND TLC2.5" SSD 1.92TB Patriot Burst Elite, SATAIII, Sequential Read: 450MB/s, Sequential Write: 320MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 40K IOPS, SMART ZIP, TRIM, 7mm, TBW: up to 800TB, Phison S11 Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 2000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/
- 2,5" SSD 2.0TB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 520MB/s, Sequential Write: 430MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 960TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 2.0TB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 520MB/s, Sequential Write: 430MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 960TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 2000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 430 Максимальная