'Office Line'
(11)- 4GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.5V4GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.5V Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти
- 2GB DDR2-800 SODIMM Patriot Signature Line, PC6400, CL5, 2 Rank, Double-Sided module, 1.8V2GB DDR2-800 SODIMM Patriot Signature Line, PC6400, CL5, 2 Rank, Double-Sided module, 1.8V Объем 2 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 800 МГц CAS Latency (CL), нс 6 Тип памяти DDR2 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти CL6
- 4GB DDR3L-1600 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.35V4GB DDR3L-1600 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.35V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR3 Объем 4 GB Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 11 Схема таймингов памяти CL11
- 8GB DDR4-3200 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC25600, CL22, 1 Rank, Single-sided module, 1.2V8GB DDR4-3200 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC25600, CL22, 1 Rank, Single-sided module, 1.2V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR4 Объем 8 GB Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 мб/c Схема таймингов памяти CL22
- 8GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 2 Rank, Double-sided module, 1.5V8GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 2 Rank, Double-sided module, 1.5V Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти
- 8GB DDR3L-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 2 Rank, Double-sided module, 1.35V8GB DDR3L-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 2 Rank, Double-sided module, 1.35V Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памя
- 8GB DDR5-4800 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC5-38400, CL40, 1 Rank Single-sided module, On-die ECC, 1.1V8GB DDR5-4800 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC5-38400, CL40, 1 Rank Single-sided module, On-die ECC, 1.1V Бренд PATRIOT Модель PSD58G480041S Тип памяти DDR5 Стандарт памяти PC5-38400 Форм-фактор памяти SO-DIMM Количество модулей в комплекте 1 Объем памяти 8 ГБ Частота функционирования памяти 4800 MГц CAS-латентность
- 16GB DDR4-2666 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC21300, CL19, 2 Rank, Double-sided module, 1.2V16GB DDR4-2666 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC21300, CL19, 2 Rank, Double-sided module, 1.2V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR4 Объем 16 GB Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Схема таймингов памяти CL19
- 16GB DDR4-2666 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC21300, CL19, 1 Rank, Single-sided module, 1.2V16GB DDR4-2666 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC21300, CL19, 1 Rank, Single-sided module, 1.2V Тип памяти DDR4 Объем 16 GB Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Схема таймингов памяти CL19
- 16GB DDR4-3200 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC25600, CL22, 1 Rank, Single-sided module, 1.2V16GB DDR4-3200 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC25600, CL22, 1 Rank, Single-sided module, 1.2V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR4 Объем 16 GB Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 мб/с Схема таймингов памяти CL22
- 16GB DDR5-4800 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC5-38400, CL40, 2 Rank Single-sided module, On-die ECC, 1.1V16GB DDR5-4800 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC5-38400, CL40, 2 Rank Single-sided module, On-die ECC, 1.1V Бренд PATRIOT Модель PSD516G480081S Тип памяти DDR5 Стандарт памяти PC5-38400 Форм-фактор памяти SO-DIMM Количество модулей в комплекте 1 Объем памяти 16 ГБ Частота функционирования памяти 4800 MГц CAS-латентно
