DualShock 4 V2
(10)- 4GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Apacer PC12800, CL11, 1.35V4GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Apacer PC12800, CL11, 1.35V Оперативная память — одна из неотъемлемых составляющих компьютера. Тактовая частота и пропускная способность характеризуют скоростные характеристики памяти. Чем выше эти показатели, тем лучше, но стоит обратить внимание, что частота памяти должна согласовыват
- 4GB Transcend SODIMM DDR3 PC12800,204pin,1600MHz,CL114GB Transcend DDR3 1600MHz SODIMM 204pin PC12800, CL11, 1.35v 1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1066 МГц Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1066 МГц Пропускная способность 8500 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Под
- 256 MB SODIMM DDR2-667 Nanya, PC2-5300, CL5, 32x16Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM 200-контактный Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 1 модуль 256 Мб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 5 Дополнительно Количество чипов каждого мод
- .4GB DDR4 - 2666MHz SODIMM Apacer PC21300, CL19, 260pin DIMM 1.2V.4GB DDR4 - 2666MHz SODIMM Apacer PC21300, CL19, 260pin DIMM 1.2V Модули SO-DIMM от Apacer DDR4 соответствуют стандартам JEDEC. Модули SO-DIMM, изготовленные с использованием высококачественных фирменных чипов DRAM и протестированных на 100%, обеспечивают более высокую производительность, высокую стабильность и выс
- 4GB SODIMM DDR4 Samsung M471A5244BB0-CWE PC25600 3200MHz CL22, 1.2V4GB SODIMM DDR4 Samsung M471A5244BB0-CWE PC25600 3200MHz CL22, 1.2V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR4 Объем 4 GB Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность PC19200 Схема таймингов памяти CL22
- 4GB DDR3L-1600 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.35V4GB DDR3L-1600 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.35V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR3 Объем 4 GB Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 11 Схема таймингов памяти CL11
- 4GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V4GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V DDR3 сейчас является доминирующим типом памяти для настольных компьютеров, серверов и рабочих станций. DDR3 рассчитана на работу на более высоких частотах, чем DDR, и характеризуется меньшим энергопотреблением. Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота
- 4GB DDR3L-1600 SODIMM Silicon Power, PC12800, CL11, 512Mx8 8Chips, 1.35V4GB DDR3L-1600 SODIMM Silicon Power, PC12800, CL11, 512Mx8 8Chips, 1.35V 1 модуль памяти DDR3L объем модуля 4 ГБ форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1600 МГц CAS Latency (CL): 11
- 4GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.5V4GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.5V Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти
- 4GB DDR4-3200 SODIMM Samsung,M471A5244CB0-CWE,1.2V - bulk4GB DDR4-3200 SODIMM Samsung, M471A5244CB0-CWE,1.2V - bulk Тип памяти DDR4 Объем 4 GB Тактовая частота 3200 МГц Схема таймингов памяти CL22
