CL 16
(6)- 1 GB SODIMM Samsung DDR3-1333 PC1066 CL9 originalОбщие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Дополнительно Напряже
- 4GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL114GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11 DDR3 сейчас является доминирующим типом памяти для настольных компьютеров, серверов и рабочих станций. DDR3 рассчитана на работу на более высоких частотах, чем DDR, и характеризуется меньшим энергопотреблением. Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600
- 4GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V4GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V DDR3 сейчас является доминирующим типом памяти для настольных компьютеров, серверов и рабочих станций. DDR3 рассчитана на работу на более высоких частотах, чем DDR, и характеризуется меньшим энергопотреблением. Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота
- 8GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 2 Rank, Double-sided module, 1.5V8GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 2 Rank, Double-sided module, 1.5V Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти
- 8GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V8GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V Производитель GOODRAM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1600 МГц Объем 1 модуль 8 Гб Напряжение питания 1.35V Поддержка ECC есть CAS Latency (CL) 11
- 8GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Apacer PC12800, CL11, 1.35V8GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Apacer PC12800, CL11, 1.35V Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3
