CCAP-3535MM-1.5M
(18)- .M.2 SATA SSD 120GB Apacer AST280 "AP120GAST280" [80mm, R/W:500/470MB/s, 23K IOPS, 1.0M MTBF, TLC].M.2 SATA SSD 120GB Apacer AST280 AP120GAST280 [80mm, R/W:500/470MB/s, 23K IOPS, 1.0M MTBF, TLC] AST280 120GB M.2 SATA III TLC эффективно сократит время отклика системы и ускорит производительность мультимедийных программ. Высокая емкость и небольшие размеры, а также легкие конструктивные элементы без корпуса обеспе
- 2.5" SSD 256GB Silicon Power Ace A58, SATAIII, SeqReads: 560 MB/s, SeqWrites: 530 MB/s, Controller Phison S11, MTBF 1.5mln, SLC Cash, BBM, Internal Auto-Copy Technology, SP Toolbox, 7mm, 3D NAND TLC2.5" SSD 256GB Silicon Power Ace A58, SATAIII, SeqReads: 560 MB/s, SeqWrites: 530 MB/s, Controller Phison S11, MTBF 1.5mln, SLC Cash, BBM, Internal Auto-Copy Technology, SP Toolbox, 7mm, 3D NAND TLC Объем 256 ГБ Страна-производитель Китай (Тайвань) Скорость чтения 510 МБ/с Скорость записи 480 МБ/с Форм-фактор 2.5"
- .M.2 SATA SSD 240GB Apacer AST280 "AP240GAST280" [80mm, R/W:520/495MB/s, 84K IOPS, 1.0M MTBF, TLC].M.2 SATA SSD 240GB Apacer AST280 "AP240GAST280" [80mm, R/W:520/495MB/s, 84K IOPS, 1.0M MTBF, TLC] AST280 240GB M.2 SATA III TLC эффективно сократит время отклика системы и ускорит производительность мультимедийных программ. Высокая емкость и небольшие размеры, а также легкие конструктивные элементы без корпуса обес
- M.2 NVMe SSD 500GB KIOXIA (Toshiba) EXCERIA,, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3c, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 1700 MB/s, Sequential Writes 1600 MB/s, Max Random Read/Write Speed: 350K /400K IOPS, MTTF 1.5mln hours, TBW: 200TB, BiCS FLASH™ 3D M.2 NVMe SSD 500GB KIOXIA (Toshiba) EXCERIA,, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3c, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 1700 MB/s, Sequential Writes 1600 MB/s, Max Random Read/Write Speed: 350K /400K IOPS, MTTF 1.5mln hours, TBW: 200TB, BiCS FLASH™ 3D Бренд: KIOXIA (Toshiba) Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память
- M.2 NVMe SSD 500GB Silicon Power UD85, Interface:PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 3600 MB/s / Writes 2400 MB/s, MTBF 1.5mln, HMB, ECC, SLC Cache, E2E Data Protection, LDPC, Phison E21T, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 500GB Silicon Power UD85, Interface:PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 3600 MB/s / Writes 2400 MB/s, MTBF 1.5mln, HMB, ECC, SLC Cache, E2E Data Protection, LDPC, Phison E21T, 3D NAND TLC Бренд SILICON POWER Модель UD85 Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 500 ГБ
- M.2 NVMe SSD 512GB Lexar NM710, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 5000 MB/s/ 2600 MB/s, Random Read/Write 500K IOPS/ 600K IOPS, MAP1602A-F1C, LDPC, HMB 3.0 and SLC Cache technology, TBW: 300TBW, MTBF: 1.5mlM.2 NVMe SSD 512GB Lexar NM710, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 5000 MB/s/ 2600 MB/s, Random Read/Write 500K IOPS/ 600K IOPS, MAP1602A-F1C, LDPC, HMB 3.0 and SLC Cache technology, TBW: 300TBW, MTBF: 1.5ml Объём накопителя 512 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максим
- 2.5" SSD 1.0TB Silicon Power Ace A55, SATAIII, SeqReads: 560 MB/s, SeqWrites: 530 MB/s, Controller Silicon Motion SM2258XT, MTBF 1.5mln, SLC Cash, BBM, SP Toolbox, 7mm, 3D NAND TLC2.5" SSD 1.0TB Silicon Power Ace A55, SATAIII, SeqReads: 560 MB/s, SeqWrites: 530 MB/s, Controller Silicon Motion SM2258XT, MTBF 1.5mln, SLC Cash, BBM, SP Toolbox, 7mm, 3D NAND TLC Бренд Silicon Power Модель Ace A55 Форм-фактор накопителя 2,5" Память накопителя 1.0 ТБ Контроллер Silicon Motion Тип чипов SLC (Singl
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Lexar NM710, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 5000 MB/s/ 4500 MB/s, Random Read/Write 500K IOPS/ 600K IOPS, MAP1602A-F1C, LDPC, HMB 3.0 and SLC Cache technology, TBW: 600TBW, MTBF: 1.5mlM.2 NVMe SSD 1.0TB Lexar NM710, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 5000 MB/s/ 4500 MB/s, Random Read/Write 500K IOPS/ 600K IOPS, MAP1602A-F1C, LDPC, HMB 3.0 and SLC Cache technology, TBW: 600TBW, MTBF: 1.5ml Объём накопителя 1000 ГБ Максимальная скорость записи, мб/с 4
- 2.5" SSD 128GB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 430 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 61,000 IOPS / Write: 81,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC2.5" SSD 128GB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 430 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 61,000 IOPS / Write: 81,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC Производитель изделия Verbatim Модель 2.5" SSD 128GB Verbatim VI550 S3 Формат жесткого диска 2,5 Интерф
- 2.5" SSD 256GB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 65,000 IOPS / Write: 85,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC2.5" SSD 256GB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 65,000 IOPS / Write: 85,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC Производитель изделия Verbatim Модель 2.5" SSD 256GB Verbatim VI550 S3 Архитектура жесткого диска NAND
- M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) форм-фактор: 2280, M емкость: 500 ГБ скорость чтения/записи: 3100 МБ/с / 2600 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 3.0 x4 тип флэш-п
- .mSATA SSD 512GB Kingston KC600 [R/W:550/500MB/s, 90K/80K IOPS, 300TBW, 1M MTBF, 3DTLC].mSATA SSD 512GB Kingston KC600 [R/W:550/500MB/s, 90K/80K IOPS, 300TBW, 1M MTBF, 3DTLC] Capacitate stocare: 512 GB Sistem de stocare a datelor: mSATA Interfa?a SSD: SATA-3 (6 Gb/s) Tip de memorie flash: 3D TLC Viteza maxima de citire: 550 M Объём накопителя 512 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальна
- M.2 NVMe SSD 500GB Samsung SSD 980 PRO, PCIe4.0 x4 / NVMe1.3c, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 6900 MB/s, Seq. Write: 5000 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 800,000/1000,000 IOPS, Samsung Elpis Controller, 512MB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLCM.2 NVMe SSD 500GB Samsung SSD 980 PRO, PCIe4.0 x4 / NVMe1.3c, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 6900 MB/s, Seq. Write: 5000 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 800,000/1000,000 IOPS, Samsung Elpis Controller, 512MB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLC Показатели работы SSD следующего поколения Освободите мощность Samsung 980
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) форм-фактор: 2280, M емкость: 1000 ГБ скорость чтения/записи: 3500 МБ/с / 3000 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 3.0 x4 тип флэш-
- .mSATA SSD 1.0TB Kingston KC600 [R/W:550/520MB/s, 90K/80K IOPS, 600TBW, 1M MTBF, 3DTLC].mSATA SSD 1.0TB Kingston KC600 [R/W:550/520MB/s, 90K/80K IOPS, 600TBW, 1M MTBF, 3DTLC] Capacitate stocare: 1000 GB Sistem de stocare a datelor: mSATA Interfa?a SSD: SATA-3 (6 Gb/s) Tip de memorie flash: 3D TLC Viteza maxima de citire: 550 M Объём накопителя 1000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальн
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7000/5000MB/s, 1000K/1000K IOPS, Elpis, 3DTLC] .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7000/5000MB/s, 1000K/1000K IOPS, Elpis, 3DTLC] Объем 1 ТБ Скорость чтения до 7000 МБ/с Скорость записи до 5000 МБ/с Энергопотребление до 8.9 Вт Время наработки на отказ 1.5 миллиона часов (MTBF) Устойчивость к ударным нагрузкам 1500 G (на протяжении 0.5 мс) Формф
- M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung SSD 990 PRO, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1400,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 2GB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLCM.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung SSD 990 PRO, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1400,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 2GB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLC Освободите мощность Samsung 990 PRO для компьютерных систем следующего пок
- 2.5" SATA SSD 4.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E4T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] 2.5" SATA SSD 4.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E4T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Тип внутренний Серия 870 EVO Объём памяти 4 TB Тип флеш-памяти V-NAND 3bit MLC Форм-фактор 2.5" Интерфейс SATA 6Gb/s Скорость чтения, макс. 560 Mb/s Скорость записи, макс. 530 Mb/s Наработка на отказ 1.5 млн.часов Габа