Playstation 4 Pro
(40)- Samsung 980 PRO 2TB SSD M2 Nvme. Gen 4 Samsung 980 PRO 2TB SSD M2 Nvme. Gen 4 Емкость цифрового хранилища 2 ТБ Совместимые устройства Ноутбук, Рабочий стол Интерфейс жесткого диска NVMe Бренд SAMSUNG Ряд 980 ПРО
- M.2 NVMe SSD 256GB ADATA XPG SX8200 PRO, PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 , Read: 3500 MB/s, Write: 3000 MB/s, Controller SMI, 3D NAND TLC, ASX8200PNP-256GT-CM.2 NVMe SSD 256GB ADATA XPG SX8200 PRO, PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 , Read: 3500 MB/s, Write: 3000 MB/s, Controller SMI, 3D NAND TLC, ASX8200PNP-256GT-C Твердотельный накопитель SX8200 Pro M.2 2280 — на сегодняшний день самый скоростной из твердотельных накопителей XPG, предназначенный для любителей ПК, гей
- .M.2 NVMe SSD 512GB ADATA XPG GAMMIX S11 Pro [PCIe3.0 x4, R/W:3500/3000MB/s, 390/380K IOPS, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 512GB ADATA XPG GAMMIX S11 Pro [PCIe3.0 x4, R/W:3500/3000MB/s, 390/380K IOPS, 3DTLC] Не нагревается при работе с молниеносной скоростью Благодаря сверхскоростному интерфейсу PCIe Gen3x4 и поддержке NVMe 1.3 модель Gammix S11 Pro достигает молниеносной скорости чтения/ записи до 3500/2300 МБ в секунду.
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB ADATA XPG SX8200 Pro [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/3000MB/s, 390/380K IOPS, 3D TLC] .M.2 NVMe SSD 1.0TB ADATA XPG SX8200 Pro [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/3000MB/s, 390/380K IOPS, 3D TLC] Твердотельный накопитель SX8200 Pro M.2 2280 — на сегодняшний день самый скоростной из твердотельных накопителей XPG, предназначенный для любителей ПК, геймеров и поклонников разгона системы. Он характеризуется сверхско
- .M.2 NVMe SSD 512GB ADATA XPG SX6000 Pro [PCIe 3.0 x4, R/W:2100/1500MB/s, 250K IOPS, RTS, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 512GB ADATA XPG SX6000 Pro [PCIe 3.0 x4, R/W:2100/1500MB/s, 250K IOPS, RTS, 3DTLC] Накопитель XPG SX6000 Pro в компактном форм-факторе M.2 2280, обеспечивающий превосходные скорости обмена и лучшее соотношение цены и качества, — отличный выбор для геймеров, компьютерных энтузиастов и профессиональных в
- 2.5" SSD 256GB GOODRAM IRDM PRO GEN.2, SATAIII, Sequential Reads: 555 MB/s, Sequential Writes: 535 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 96,000 IOPS / Write: 81,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller 8Channel Phison PS3112-S12, DRAM DDR3L cache, 3D NAND TLC2.5" SSD 256GB GOODRAM IRDM PRO GEN.2, SATAIII, Sequential Reads: 555 MB/s, Sequential Writes: 535 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 96,000 IOPS / Write: 81,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller 8Channel Phison PS3112-S12, DRAM DDR3L cache, 3D NAND TLC Модель IRDM PRO GEN.2 IRP-SSDPR-S25C-256 Форм-фактор накопителя 2,5"
- .M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:6900/5000MB/s, 800/1000K IOPS, Elpis, 3DTLC] .M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:6900/5000MB/s, 800/1000K IOPS, Elpis, 3DTLC] Интерфейс : PCIe Gen 4.0 x4 Модель : 980 PRO Тип : SSD M.2 NVMe Объем : 500 ГБ Скорость записи : 5000 Мб/c Скорость чтения : 7000 Мб/c
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 990 PRO w/Heatsink RGB Lights, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1200,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 1GB LPDDR4, V-NANDM.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 990 PRO w/Heatsink RGB Lights, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1200,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 1GB LPDDR4, V-NAND Бренд: Samsung Модель 990 PRO Форм-фактор накопителя M.2 NVMe
- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 980 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7000/5100MB/s, 1000K/1000K IOPS, Elpis, 3DTLC] .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 980 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7000/5100MB/s, 1000K/1000K IOPS, Elpis, 3DTLC] Объём накопителя от 2 до 4 ТБ Тип ячеек памяти 3D TLC Максимальная скорость записи Более 3000 МБ/сек Максимальная скорость чтения Более 3500 МБ/сек
- M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung SSD 990 PRO w/Hetsing RGB Lights, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1400,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 2GB LPDDR4, V-NAND M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung SSD 990 PRO w/Hetsing RGB Lights, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1400,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 2GB LPDDR4, V-NAND Бренд: Samsung Модель 990 PRO Форм-фактор накопителя M.2 NVMe
- M.2 NVMe SSD 500GB Corsair MP600 PRO NH, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 6600 MB/s / Writes 3600 MB/s, Random Read / Write IOPS - 450K / 880K, Phison PS5018-E18, 512MB DDR4 DRAM, AES 256-bit Encryption, SSD SmarM.2 NVMe SSD 500GB Corsair MP600 PRO NH, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 6600 MB/s / Writes 3600 MB/s, Random Read / Write IOPS - 450K / 880K, Phison PS5018-E18, 512MB DDR4 DRAM, AES 256-bit Encryption, SSD Smar
- M.2 NVMe SSD 500GB Corsair MP600 PRO LPX, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7100 MB/s / Writes 3700 MB/s, Random Read / Write IOPS - 435K / 615K, Phison PS5018-E18, 512MB DRAM, AES 256-bit Encryption, M.2 NVMe SSD 500GB Corsair MP600 PRO LPX, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7100 MB/s / Writes 3700 MB/s, Random Read / Write IOPS - 435K / 615K, Phison PS5018-E18, 512MB DRAM, AES 256-bit Encryption,
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7000/5000MB/s, 1000K/1000K IOPS, Elpis, 3DTLC] .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7000/5000MB/s, 1000K/1000K IOPS, Elpis, 3DTLC] Объем 1 ТБ Скорость чтения до 7000 МБ/с Скорость записи до 5000 МБ/с Энергопотребление до 8.9 Вт Время наработки на отказ 1.5 миллиона часов (MTBF) Устойчивость к ударным нагрузкам 1500 G (на протяжении 0.5 мс) Формф
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Corsair MP600 PRO XT, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7100 MB/s / Writes 5800 MB/s, Random Read / Write IOPS - 900K / 1200K, Phison PS5018-E18, 1GB DRAM, AES 256-bit, SLC Write CacM.2 NVMe SSD 1.0TB Corsair MP600 PRO XT, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7100 MB/s / Writes 5800 MB/s, Random Read / Write IOPS - 900K / 1200K, Phison PS5018-E18, 1GB DRAM, AES 256-bit, SLC Write Cac
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC] Capacitate stocare: 1000 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: Samsung V-NAND Общий объем накопителей: 1000 Гб Система хранения данных: M.2 2280 Интерфе
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC] Capacitate stocare: 1024 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Бренд: Samsung Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Контроллер PCIe
- 1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Производитель Samsung Интерфейс M.2 PCIe NVMe SSD Объем 1 TB
- 1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO w/ Heatsink MZ-V9P1T0CW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO w/ Heatsink MZ-V9P1T0CW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд Samsung Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Контроллер Samsung Phoenix Скорость чтения 7450 Mб/с Скорост
- M.2 NVMe SSD 2.0TB GOODRAM IRDM PRO SLIM, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 7000 MB/s / 6850 MB/s, Random 4K Reads/Writes: 650K IOPS / 700K IOPS, TBW: 1400TB, MTBF: 2mln hours, Phison E18 with DRAM Buffer, M.2 NVMe SSD 2.0TB GOODRAM IRDM PRO SLIM, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 7000 MB/s / 6850 MB/s, Random 4K Reads/Writes: 650K IOPS / 700K IOPS, TBW: 1400TB, MTBF: 2mln hours, Phison E18 with DRAM Buffer, Объём накопителя: 2000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максима
- M.2 NVMe SSD 2.0TB Corsair MP600 PRO XT, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7100 MB/s / Writes 6800 MB/s, Random Read / Write IOPS - 1000K / 1200K, Phison PS5018-E18, 2GB DRAM, AES 256-bit, SLC Write CaM.2 NVMe SSD 2.0TB Corsair MP600 PRO XT, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7100 MB/s / Writes 6800 MB/s, Random Read / Write IOPS - 1000K / 1200K, Phison PS5018-E18, 2GB DRAM, AES 256-bit, SLC Write Ca
- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 980 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7000/5100MB/s, PC&PS5® Compatible].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 980 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7000/5100MB/s, PC&PS5® Compatible] Capacitate stocare: 2000 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Viteza maxima de citire: 7000 MB/s Объём накопителя 2000 ГБ Тип ячеек памяти 3D TLC Максимальная скорость
- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC] Бренд SAMSUNG Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ Контроллер PCIe 4.0 x4 NVMe Тип чипов V-NAND 3bit MLC Скорость чтения 7450 Mб/с Скорость записи 6900 Мб/с IOmeter1400K / 1550K IOPS
- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO, [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC] Capacitate stocare: 2000 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: MLC (Multi-Level Cell) Объём накопителя 2000 ГБ. Тип ячеек памяти V-NAND MLC Максималь
- M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung SSD 980 PRO w/Heatsink, PCIe4.0 x4 / NVMe1.3c, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7000 MB/s, Seq. Write: 5100 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1,000,000/ 1,000,000 IOPS, Samsung Elpis Controller, 2GB LPDDR4, PCI-SIG® D8 stanM.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung SSD 980 PRO w/Heatsink, PCIe4.0 x4 / NVMe1.3c, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7000 MB/s, Seq. Write: 5100 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1,000,000/ 1,000,000 IOPS, Samsung Elpis Controller, 2GB LPDDR4, PCI-SIG® D8 stan Объём накопителя 2000 ГБ Тип ячеек памяти 3D TLC Максимальн
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 970 PRO [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2700MB/s, 500/500K IOPS, Phoenix, MLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 970 PRO [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2700MB/s, 500/500K IOPS, Phoenix, MLC] Объем накопителя, ГБ 1000 Максимальная скорость записи, Мбайт/с 2700 Максимальная скорость чтения, Мбайт/с 3500
- M.2 NVMe SSD 4.0TB Corsair MP600 PRO LPX, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Seq Reads 7100 MB/s / Writes 6800 MB/s, Random Read / Write IOPS - 1000K / 1200K, Phison PS5018-E18, 4GB DDR4 DRAM, AES 256-bit Encryption, SLM.2 NVMe SSD 4.0TB Corsair MP600 PRO LPX, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Seq Reads 7100 MB/s / Writes 6800 MB/s, Random Read / Write IOPS - 1000K / 1200K, Phison PS5018-E18, 4GB DDR4 DRAM, AES 256-bit Encryption, SL
- 2TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)2TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд Samsung Модель 990 PRO MZ-V9P2T0BW Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ Тип чипов V-NAND 3bit MLC Скорость чтения 745
- M.2 NVMe SSD 2.0TB Verbatim Vi3000, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3300 MB/s, Sequential Write 3300 MB/s, Random Read 150K IOPS, Random Write 100K IOPS, Phison E13T, TBW: 1500TB, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 2.0TB Verbatim Vi3000, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3300 MB/s, Sequential Write 3300 MB/s, Random Read 150K IOPS, Random Write 100K IOPS, Phison E13T, TBW: 1500TB, 3D NAND TLC Общий объем памяти 2 ТБ Количество бит на ячейку 3 бит TLC Структура памяти 3D NAN
- 2.5" SATA SSD 2.0TB Kingston KC600 [R/W:550/520MB/s, 90K/80K IOPS, SM2259, 3D NAND TLC] 2.5" SATA SSD 2.0TB Kingston KC600 [R/W:550/520MB/s, 90K/80K IOPS, SM2259, 3D NAND TLC] Модель Kingston KC600 Основной цвет черный Объем накопителя 2048 ГБ Физический интерфейс SATA III Шифрование данных есть Контроллер Silicon Motion SM2259 Тип чипов памяти TLC 3D NAND NVMe нет Максимальная скорость записи (
- 2.5" SSD 4.0TB Samsung SSD 870 QVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, 7mm, Cache 4GB LPDDR4, Samsung MKX controller, V-NAND 4bit MLC2.5" SSD 4.0TB Samsung SSD 870 QVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, 7mm, Cache 4GB LPDDR4, Samsung MKX controller, V-NAND 4bit MLC форм-фактор: 2.5" емкость: 4000 ГБ скорость чтения/записи: 560 МБ/с / 530 МБ/с интерфейс подключе