TOP MB Pro 15
(15)- 1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 1.3c M.2 Type 2280 Samsung 980 PRO w/ Heatsink MZ-V8P1T0CW, Read 7000MB/s, Write 5000MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 1.3c M.2 Type 2280 Samsung 980 PRO w/ Heatsink MZ-V8P1T0CW, Read 7000MB/s, Write 5000MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд Samsung Модель 980 PRO Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Тип чипов V-NAND 3bit MLC Скорость чтения 7
- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1.2PB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1.2PB, 3DTLC] Capacitate stocare: 2048 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Бренд: Samsung Модель 990 PRO Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ К
- M.2 NVMe SSD 1.0TB GOODRAM IRDM PRO SLIM, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 7000 MB/s / 5500 MB/s, Random 4K Reads/Writes: 350K IOPS / 700K IOPS, TBW: 700TB, MTBF: 2mln hours, Phison E18 with DRAM Buffer, PM.2 NVMe SSD 1.0TB GOODRAM IRDM PRO SLIM, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 7000 MB/s / 5500 MB/s, Random 4K Reads/Writes: 350K IOPS / 700K IOPS, TBW: 700TB, MTBF: 2mln hours, Phison E18 with DRAM Buffer Объём накопителя: 1000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максима
- 1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Производитель Samsung Интерфейс M.2 PCIe NVMe SSD Объем 1 TB
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 990 PRO, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1200,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 1GB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLCM.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 990 PRO, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1200,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 1GB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLC Общий объем накопителей: 1000 Гб Система хранения данных: M.2 2280 Интерфе
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC] Capacitate stocare: 1000 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: Samsung V-NAND Общий объем накопителей: 1000 Гб Система хранения данных: M.2 2280 Интерфе
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC] Capacitate stocare: 1024 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Бренд: Samsung Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Контроллер PCIe
- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC] Бренд SAMSUNG Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ Контроллер PCIe 4.0 x4 NVMe Тип чипов V-NAND 3bit MLC Скорость чтения 7450 Mб/с Скорость записи 6900 Мб/с IOmeter1400K / 1550K IOPS
- Samsung 980 PRO 2TB SSD M2 Nvme. Gen 4 Samsung 980 PRO 2TB SSD M2 Nvme. Gen 4 Емкость цифрового хранилища 2 ТБ Совместимые устройства Ноутбук, Рабочий стол Интерфейс жесткого диска NVMe Бренд SAMSUNG Ряд 980 ПРО
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 970 PRO [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2700MB/s, 500/500K IOPS, Phoenix, MLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 970 PRO [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2700MB/s, 500/500K IOPS, Phoenix, MLC] Объем накопителя, ГБ 1000 Максимальная скорость записи, Мбайт/с 2700 Максимальная скорость чтения, Мбайт/с 3500
- 512GB SSD 2.5" Intenso Top (3812450), 7mm, Read 520MB/s, Write 500MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)512GB SSD 2.5" Intenso Top (3812450), 7mm, Read 520MB/s, Write 500MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Interfata SATA3 SSD (6Gb/s) Capacitate 512 GB Интерфейс SATA3 SSD (6Gb/s) Объем 512 GB
- 1TB SSD 2.5" Intenso Top (3812460), 7mm, Read 520MB/s, Write 500MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD 2.5" Intenso Top (3812460), 7mm, Read 520MB/s, Write 500MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Форм-фактор 2.5" Объем 1000 ГБ Интерфейс SATA III Скорость чтения 520 МБ/с Скорость записи 500 МБ/с Ударостойкость при работе 1500 G IOPS записи 128 тыс IO
- 2TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO w/ Heatsink MZ-V9P2T0CW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)2TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO w/ Heatsink MZ-V9P2T0CW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд Samsung Модель MZ-V9P2T0CW Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ Тип чипов V-NAND Скорость чтения 7450 Mб/
- .M.2 SATA SSD 256GB Transcend TS256GMTS430S.M.2 SATA SSD 256GB Transcend TS256GMTS430S [42mm, R/W:530/400MB/s, 45K/70K IOPS, SM2258, 3DTLC] Volum 256 GB Viteza de citire 500 MB / s (SATA 6 GB / s) Viteza de inregistrare 410 MB / s Consumul de energie 3,3V ± 5% Factorul de forma M.2 MTBF 1.500.000 h Interfata SATAIII Tipul de celule de memorie 3D NAND (TLC)
- 2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,500 IOPS / Write: 76,800 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,500 IOPS / Write: 76,800 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC Объем 512 ГБ Скорость чтения 550 МБ/с Скорость записи 500 МБ/с Энергопотребление В режиме чтения:


![.M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1.2PB, 3DTLC]](/img/2096098.180.jpg)



![.M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC]](/img/2073361.180.jpg)
![.M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC]](/img/2096107.180.jpg)
![.M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC]](/img/2073362.180.jpg)

![.M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 970 PRO [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2700MB/s, 500/500K IOPS, Phoenix, MLC]](/img/1833024.180.jpg)











