'K & W'
(8)- 1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 1.3c M.2 Type 2280 Samsung 980 PRO w/ Heatsink MZ-V8P1T0CW, Read 7000MB/s, Write 5000MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 1.3c M.2 Type 2280 Samsung 980 PRO w/ Heatsink MZ-V8P1T0CW, Read 7000MB/s, Write 5000MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд Samsung Модель 980 PRO Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Тип чипов V-NAND 3bit MLC Скорость чтения 7
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC] Capacitate stocare: 1024 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Бренд: Samsung Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Контроллер PCIe
- 2TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO w/ Heatsink MZ-V9P2T0CW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)2TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO w/ Heatsink MZ-V9P2T0CW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд Samsung Модель MZ-V9P2T0CW Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ Тип чипов V-NAND Скорость чтения 7450 Mб/
- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1.2PB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1.2PB, 3DTLC] Capacitate stocare: 2048 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Бренд: Samsung Модель 990 PRO Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ К
- 2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,500 IOPS / Write: 76,800 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,500 IOPS / Write: 76,800 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC Объем 512 ГБ Скорость чтения 550 МБ/с Скорость записи 500 МБ/с Энергопотребление В режиме чтения:
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Apacer AS2280P4 [PCIe 3.0 x4, R/W:3000/2000MB/s, 360K/360K IOPS, 3D TLC] .M.2 NVMe SSD 1.0TB Apacer AS2280P4 [PCIe 3.0 x4, R/W:3000/2000MB/s, 360K/360K IOPS, 3D TLC] Бренд APACER Модель AS2280P4 Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Крепёж для порта М.2 Память накопителя 256 ГБ Тип чипов 3D TLC Скорость чтения 1800 МБ/с Скорость записи 1100 МБ/с IOmeter 180 / 190 K IOPS Поддержка TRIM + Интер
- .M.2 NVMe SSD 4.0TB Kingston FURY Renegade [PCIe 4.0 x4, R/W:7300/7000MB/s, 1000K/1000K IOPS, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 4.0TB Kingston FURY Renegade [PCIe 4.0 x4, R/W:7300/7000MB/s, 1000K/1000K IOPS, 3DTLC] Бренд KINGSTON Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 4 ГБ Тип чипов 3D TLC Скорость чтения 7300 МБ/c Скорость записи 7000 Мб/с IOmeter 1000/1000 K IOPS


![.M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC]](/img/2096107.180.jpg)

![.M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1.2PB, 3DTLC]](/img/2096098.180.jpg)

![.M.2 SSD 120GB Transcend "TS120GMTS820" [80mm, R/W:550/420MB/s, 78K/78K IOPS, SM2256KAB, TLC]](/img/1782307.180.jpg)
![.M.2 NVMe SSD 1.0TB Apacer AS2280P4 [PCIe 3.0 x4, R/W:3000/2000MB/s, 360K/360K IOPS, 3D TLC]](/img/1973421.180.jpg)
![.M.2 NVMe SSD 4.0TB Kingston FURY Renegade [PCIe 4.0 x4, R/W:7300/7000MB/s, 1000K/1000K IOPS, 3DTLC]](/img/2073363.180.jpg)






