Extreme 3D Pro Joystick
(139)- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1.2PB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1.2PB, 3DTLC] Capacitate stocare: 2048 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Бренд: Samsung Модель 990 PRO Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ К
- M.2 NVMe SSD 1.0TB GOODRAM IRDM PRO SLIM, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 7000 MB/s / 5500 MB/s, Random 4K Reads/Writes: 350K IOPS / 700K IOPS, TBW: 700TB, MTBF: 2mln hours, Phison E18 with DRAM Buffer, PM.2 NVMe SSD 1.0TB GOODRAM IRDM PRO SLIM, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 7000 MB/s / 5500 MB/s, Random 4K Reads/Writes: 350K IOPS / 700K IOPS, TBW: 700TB, MTBF: 2mln hours, Phison E18 with DRAM Buffer Объём накопителя: 1000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максима
- 1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 1.3c M.2 Type 2280 Samsung 980 PRO w/ Heatsink MZ-V8P1T0CW, Read 7000MB/s, Write 5000MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 1.3c M.2 Type 2280 Samsung 980 PRO w/ Heatsink MZ-V8P1T0CW, Read 7000MB/s, Write 5000MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд Samsung Модель 980 PRO Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Тип чипов V-NAND 3bit MLC Скорость чтения 7
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC] Capacitate stocare: 1024 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Бренд: Samsung Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Контроллер PCIe
- .M.2 SATA SSD 250GB Transcend TS250GMTS425S [42mm, R/W:500/330MB/s, 40K/75K IOPS, 90 TBW, 3D TLC].M.2 SATA SSD 250GB Transcend TS250GMTS425S [42mm, R/W:500/330MB/s, 40K/75K IOPS, 90 TBW, 3D TLC] Capacitate stocare: 250 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2242 Interfa?a SSD: SATA-3 (6 Gb/s) Tip de memorie flash: 3D Объём накопителя 250 ГБ Тип ячеек памяти 3D TLC Максимальная скорость записи, мб/с 330
- 2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,500 IOPS / Write: 76,800 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,500 IOPS / Write: 76,800 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC Объем 512 ГБ Скорость чтения 550 МБ/с Скорость записи 500 МБ/с Энергопотребление В режиме чтения:
- .mSATA SSD 256GB Kingston KC600 [R/W:550/500MB/s, 90K/80K IOPS, 150TBW, 3D-NAND TLC].mSATA SSD 256GB Kingston KC600 [R/W:550/500MB/s, 90K/80K IOPS, 150TBW, 3D-NAND TLC] Capacitate stocare: 256 GB Sistem de stocare a datelor: mSATA Interfa?a SSD: SATA-3 (6 Gb/s) Tip de memorie flash: 3D TLC Viteza maxima de citire: 550 MB/s Объём накопителя 256 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальна
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Apacer AS2280P4U [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/3000MB/s, 670/670K IOPS, 760TB, 3D TLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Apacer AS2280P4U [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/3000MB/s, 670/670K IOPS, 760TB, 3D TLC] Capacitate stocare: 1024 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 3.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Бренд APACER Модель AS2280P4U Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Kingston Fury Renegade, w/HeatSpreader, PCIe4.0 x4 / NVMe, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7300 MB/s, Sequential Writes 6000 MB/s, Max Random 4k Read 900,000 / Write 1000,000 IOPS, Phison E18 controller, 1000TBW, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 1.0TB Kingston Fury Renegade, w/HeatSpreader, PCIe4.0 x4 / NVMe, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7300 MB/s, Sequential Writes 6000 MB/s, Max Random 4k Read 900,000 / Write 1000,000 IOPS, Phison E18 controller, 1000TBW, 3D NAND TLC Название Накопитель SSD 1.0TB Kingston Fury Renegade M.2 2280 P
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Kingston FURY Renegade w/Heatsink10.5mm [PCIe 4.0 x4, R/W:7300/6000MB/s, 3D TLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Kingston FURY Renegade w/Heatsink10.5mm [PCIe 4.0 x4, R/W:7300/6000MB/s, 3D TLC] Capacitate stocare: 1000 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Общий объем накопителей: 1000 Гб Система хранения данных: M.2 2280 Интерфейс накоп
- 1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Производитель Samsung Интерфейс M.2 PCIe NVMe SSD Объем 1 TB
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 990 PRO, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1200,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 1GB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLCM.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 990 PRO, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1200,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 1GB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLC Общий объем накопителей: 1000 Гб Система хранения данных: M.2 2280 Интерфе
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC] Capacitate stocare: 1000 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: Samsung V-NAND Общий объем накопителей: 1000 Гб Система хранения данных: M.2 2280 Интерфе
- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC] Бренд SAMSUNG Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ Контроллер PCIe 4.0 x4 NVMe Тип чипов V-NAND 3bit MLC Скорость чтения 7450 Mб/с Скорость записи 6900 Мб/с IOmeter1400K / 1550K IOPS
- Samsung 980 PRO 2TB SSD M2 Nvme. Gen 4 Samsung 980 PRO 2TB SSD M2 Nvme. Gen 4 Емкость цифрового хранилища 2 ТБ Совместимые устройства Ноутбук, Рабочий стол Интерфейс жесткого диска NVMe Бренд SAMSUNG Ряд 980 ПРО
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 970 PRO [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2700MB/s, 500/500K IOPS, Phoenix, MLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 970 PRO [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2700MB/s, 500/500K IOPS, Phoenix, MLC] Объем накопителя, ГБ 1000 Максимальная скорость записи, Мбайт/с 2700 Максимальная скорость чтения, Мбайт/с 3500
- 2.5" SSD 128GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Read: 550 MB/s, Write: 480 MB/s, 3D NAND TLC SSDPR-CX400-128-G22.5" SSD 128GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Read: 550 MB/s, Write: 480 MB/s, 3D NAND TLC SSDPR-CX400-128-G2 Формфактор 2.5" Объем 128 Гб Интерфейс SATA III Скорость чтения 550 МБ/с Скорость записи 480 МБ/с Тип ячеек памяти 3D V-NAND (TLC) Энергопотребление В режиме чтения: 2.3 Вт, В режиме записи: 4.3 Вт, В режим
- 2.5" SSD 128GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 65,000 IOPS / Write: 82,500 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC2.5" SSD 128GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 65,000 IOPS / Write: 82,500 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC Объём накопителя 128 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи 460 МБ/сек Ма
- 2.5" SSD 240GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Read: 520 MB/s, Writes: 400 MB/s, 7mm, Controller Marvell 88NV1120, NAND TLC 3D2.5" SSD 240GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Read: 520 MB/s, Writes: 400 MB/s, 7mm, Controller Marvell 88NV1120, NAND TLC 3D Модель Goodram CL100 gen.3 Основной цвет черный Объем накопителя 240 ГБ Физический интерфейс SATA III Тип чипов памяти TLC 3D NAND NVMe нет Максимальная скорость записи (сжатые данные) 40
- 2.5" SATA SSD 240GB Apacer AS340X [R/W:550/520MB/s, 38/75K IOPS, 3D-NAND TLC], Retail 2.5" SATA SSD 240GB Apacer AS340X [R/W:550/520MB/s, 38/75K IOPS, 3D-NAND TLC], Retail Объём накопителя 240 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC
- M.2 NVMe SSD 250GB Kingston NV2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 3000 MB/s, Sequential Writes 1300 MB/s, Phison E19T controller, TBW: 80TB, 3D QLC NAND flashM.2 NVMe SSD 250GB Kingston NV2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 3000 MB/s, Sequential Writes 1300 MB/s, Phison E19T controller, TBW: 80TB, 3D QLC NAND flash Объём накопителя 250 ГБ Тип ячеек памяти QLC 3D NAND Максимальная скорость записи, мб/с 1300 Максимальная скорос
- M.2 NVMe SSD 250GB GOODRAM PX600 Gen2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3200 MB/s / 1700 MB/s, TBW: 100TB, MTBF: 2mln hours, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal padM.2 NVMe SSD 250GB GOODRAM PX600 Gen2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3200 MB/s / 1700 MB/s, TBW: 100TB, MTBF: 2mln hours, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal pad Объём накопителя: 250 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 1700 Мак
- mSATA SSD 256GB Kingston KC600, SATAIII,SeqReads:550 MB/s,SeqWrites:500 MB/s, Max Random 4k Read: 90000 IOPS/ Write: 80000 IOPS, 7mm, Controller SM2259, XTS-AES 256-bit encryption, 3D NAND TLCmSATA SSD 256GB Kingston KC600, SATAIII,SeqReads:550 MB/s,SeqWrites:500 MB/s, Max Random 4k Read: 90000 IOPS/ Write: 80000 IOPS, 7mm, Controller SM2259, XTS-AES 256-bit encryption, 3D NAND TLC Виробник : Kingston Лінійка: KC600 Тип: SSD накопичувач Обсяг, ГБ: 256 Інтерфейс: mSATA Тип флеш-пам'яті NAND: 3D TLC Контро
- 2.5" SATA SSD 256GB Kingston KC600 [R/W:550/500MB/s, 90K/80K IOPS, SM2259, 3D NAND TLC] 2.5" SATA SSD 256GB Kingston KC600 [R/W:550/500MB/s, 90K/80K IOPS, SM2259, 3D NAND TLC] Страна-производитель товара Китай Объем 256 ГБ Скорость чтения До 550 МБ/с Скорость записи До 500 МБ/с Энергопотребление Макс. при чтении: 1.3 Вт Макс. при записи: 3.2 Вт В режиме простоя: 0.06 Вт Формфактор 2.5" Время наработк
- .M.2 NVMe SSD 512GB Apacer AS2280P4 [PCIe 3.0 x4, R/W:2100/1500MB/s, 250K/240K IOPS, 3D TLC] .M.2 NVMe SSD 512GB Apacer AS2280P4 [PCIe 3.0 x4, R/W:2100/1500MB/s, 250K/240K IOPS, 3D TLC] Тип внутренний Применение для настольного компьютера Объем SSD, ГБ 512 Форм-фактор M.2 Объем накопителя 512 Тип NAND памяти 3D TLC
- M.2 NVMe SSD 512GB Verbatim Vi3000, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3300 MB/s, Sequential Write 2500 MB/s, Random Read 150K IOPS, Random Write 100K IOPS, Phison E13T, TBW: 375TB, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 512GB Verbatim Vi3000, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3300 MB/s, Sequential Write 2500 MB/s, Random Read 150K IOPS, Random Write 100K IOPS, Phison E13T, TBW: 375TB, 3D NAND TLC Общий объем памяти 512 ГБ Количество бит на ячейку 3 бит TLC Структура памяти 3D NA
- M.2 SATA SSD 512GB Verbatim Vi560 S3, SATA 6Gb/s, M.2 Type 2280 form factor, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 520 MB/s, Max Random 4k: Read: 101,376 IOPS / Write: 80,400 IOPS, Phison Controller, 3D NAND TLCM.2 SATA SSD 512GB Verbatim Vi560 S3, SATA 6Gb/s, M.2 Type 2280 form factor, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 520 MB/s, Max Random 4k: Read: 101,376 IOPS / Write: 80,400 IOPS, Phison Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 512 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC
- M.2 NVMe SSD 256GB GOODRAM IRDM, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3000 MB/s/ 1000 MB/s, Random 4K Read/Write 149K IOPS/ 250K IOPS, 8-Channel Phison E12 w/DRAM buffer, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 256GB GOODRAM IRDM, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3000 MB/s/ 1000 MB/s, Random 4K Read/Write 149K IOPS/ 250K IOPS, 8-Channel Phison E12 w/DRAM buffer, 3D NAND TLC Формфактор SSD M.2 Объем 256 Гб Интерфейс PCI Express 3.0 x4 Скорость чтения 3000 МБ/с Ск
![.M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1.2PB, 3DTLC]](/img/2096098.180.jpg)

![2.5" SATA SSD 256GB Transcend "SSD230" [R/W:560/520MB/s, 65/85K IOPS, SM2258, 3D NAND TLC, Alu]](/img/1786949.180.jpg)
![2.5" SATA SSD 512GB Transcend "SSD230" [R/W:560/520MB/s, 85/85K IOPS, SM2258, 3D NAND TLC, Alu]](/img/1786911.180.jpg)


![.M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC]](/img/2096107.180.jpg)
![.M.2 SATA SSD 250GB Transcend TS250GMTS425S [42mm, R/W:500/330MB/s, 40K/75K IOPS, 90 TBW, 3D TLC]](/img/2064450.180.jpg)

![.mSATA SSD 256GB Kingston KC600 [R/W:550/500MB/s, 90K/80K IOPS, 150TBW, 3D-NAND TLC]](/img/2065922.180.jpg)
![.M.2 NVMe SSD 1.0TB Apacer AS2280P4U [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/3000MB/s, 670/670K IOPS, 760TB, 3D TLC]](/img/2087239.180.jpg)

![.M.2 NVMe SSD 1.0TB Kingston FURY Renegade w/Heatsink10.5mm [PCIe 4.0 x4, R/W:7300/6000MB/s, 3D TLC]](/img/2068928.180.jpg)


![.M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC]](/img/2073361.180.jpg)
![.M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC]](/img/2073362.180.jpg)

![.M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 970 PRO [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2700MB/s, 500/500K IOPS, Phoenix, MLC]](/img/1833024.180.jpg)



![2.5" SATA SSD 240GB Apacer AS340X [R/W:550/520MB/s, 38/75K IOPS, 3D-NAND TLC], Retail](/img/1997168.180.jpg)



![2.5" SATA SSD 256GB Kingston KC600 [R/W:550/500MB/s, 90K/80K IOPS, SM2259, 3D NAND TLC]](/img/1927084.180.jpg)
![.M.2 NVMe SSD 512GB Apacer AS2280P4 [PCIe 3.0 x4, R/W:2100/1500MB/s, 250K/240K IOPS, 3D TLC]](/img/1973398.180.jpg)









