IGBB-PRO
(27)- M.2 NVMe SSD 256GB ADATA XPG SX8200 PRO, PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 , Read: 3500 MB/s, Write: 3000 MB/s, Controller SMI, 3D NAND TLC, ASX8200PNP-256GT-CM.2 NVMe SSD 256GB ADATA XPG SX8200 PRO, PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 , Read: 3500 MB/s, Write: 3000 MB/s, Controller SMI, 3D NAND TLC, ASX8200PNP-256GT-C Твердотельный накопитель SX8200 Pro M.2 2280 — на сегодняшний день самый скоростной из твердотельных накопителей XPG, предназначенный для любителей ПК, гей
- .M.2 NVMe SSD 512GB ADATA XPG GAMMIX S11 Pro [PCIe3.0 x4, R/W:3500/3000MB/s, 390/380K IOPS, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 512GB ADATA XPG GAMMIX S11 Pro [PCIe3.0 x4, R/W:3500/3000MB/s, 390/380K IOPS, 3DTLC] Не нагревается при работе с молниеносной скоростью Благодаря сверхскоростному интерфейсу PCIe Gen3x4 и поддержке NVMe 1.3 модель Gammix S11 Pro достигает молниеносной скорости чтения/ записи до 3500/2300 МБ в секунду.
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB ADATA XPG SX8200 Pro [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/3000MB/s, 390/380K IOPS, 3D TLC] .M.2 NVMe SSD 1.0TB ADATA XPG SX8200 Pro [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/3000MB/s, 390/380K IOPS, 3D TLC] Твердотельный накопитель SX8200 Pro M.2 2280 — на сегодняшний день самый скоростной из твердотельных накопителей XPG, предназначенный для любителей ПК, геймеров и поклонников разгона системы. Он характеризуется сверхско
- .M.2 NVMe SSD 512GB ADATA XPG SX6000 Pro [PCIe 3.0 x4, R/W:2100/1500MB/s, 250K IOPS, RTS, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 512GB ADATA XPG SX6000 Pro [PCIe 3.0 x4, R/W:2100/1500MB/s, 250K IOPS, RTS, 3DTLC] Накопитель XPG SX6000 Pro в компактном форм-факторе M.2 2280, обеспечивающий превосходные скорости обмена и лучшее соотношение цены и качества, — отличный выбор для геймеров, компьютерных энтузиастов и профессиональных в
- 2.5" SSD 256GB GOODRAM IRDM PRO GEN.2, SATAIII, Sequential Reads: 555 MB/s, Sequential Writes: 535 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 96,000 IOPS / Write: 81,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller 8Channel Phison PS3112-S12, DRAM DDR3L cache, 3D NAND TLC2.5" SSD 256GB GOODRAM IRDM PRO GEN.2, SATAIII, Sequential Reads: 555 MB/s, Sequential Writes: 535 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 96,000 IOPS / Write: 81,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller 8Channel Phison PS3112-S12, DRAM DDR3L cache, 3D NAND TLC Модель IRDM PRO GEN.2 IRP-SSDPR-S25C-256 Форм-фактор накопителя 2,5"
- .M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:6900/5000MB/s, 800/1000K IOPS, Elpis, 3DTLC] .M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:6900/5000MB/s, 800/1000K IOPS, Elpis, 3DTLC] Интерфейс : PCIe Gen 4.0 x4 Модель : 980 PRO Тип : SSD M.2 NVMe Объем : 500 ГБ Скорость записи : 5000 Мб/c Скорость чтения : 7000 Мб/c
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 990 PRO w/Heatsink RGB Lights, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1200,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 1GB LPDDR4, V-NANDM.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 990 PRO w/Heatsink RGB Lights, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1200,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 1GB LPDDR4, V-NAND Бренд: Samsung Модель 990 PRO Форм-фактор накопителя M.2 NVMe
- M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung SSD 990 PRO w/Hetsing RGB Lights, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1400,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 2GB LPDDR4, V-NAND M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung SSD 990 PRO w/Hetsing RGB Lights, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1400,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 2GB LPDDR4, V-NAND Бренд: Samsung Модель 990 PRO Форм-фактор накопителя M.2 NVMe
- M.2 NVMe SSD 500GB Corsair MP600 PRO NH, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 6600 MB/s / Writes 3600 MB/s, Random Read / Write IOPS - 450K / 880K, Phison PS5018-E18, 512MB DDR4 DRAM, AES 256-bit Encryption, SSD SmarM.2 NVMe SSD 500GB Corsair MP600 PRO NH, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 6600 MB/s / Writes 3600 MB/s, Random Read / Write IOPS - 450K / 880K, Phison PS5018-E18, 512MB DDR4 DRAM, AES 256-bit Encryption, SSD Smar
- M.2 NVMe SSD 500GB Corsair MP600 PRO LPX, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7100 MB/s / Writes 3700 MB/s, Random Read / Write IOPS - 435K / 615K, Phison PS5018-E18, 512MB DRAM, AES 256-bit Encryption, M.2 NVMe SSD 500GB Corsair MP600 PRO LPX, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7100 MB/s / Writes 3700 MB/s, Random Read / Write IOPS - 435K / 615K, Phison PS5018-E18, 512MB DRAM, AES 256-bit Encryption,
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7000/5000MB/s, 1000K/1000K IOPS, Elpis, 3DTLC] .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7000/5000MB/s, 1000K/1000K IOPS, Elpis, 3DTLC] Объем 1 ТБ Скорость чтения до 7000 МБ/с Скорость записи до 5000 МБ/с Энергопотребление до 8.9 Вт Время наработки на отказ 1.5 миллиона часов (MTBF) Устойчивость к ударным нагрузкам 1500 G (на протяжении 0.5 мс) Формф
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Corsair MP600 PRO XT, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7100 MB/s / Writes 5800 MB/s, Random Read / Write IOPS - 900K / 1200K, Phison PS5018-E18, 1GB DRAM, AES 256-bit, SLC Write CacM.2 NVMe SSD 1.0TB Corsair MP600 PRO XT, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7100 MB/s / Writes 5800 MB/s, Random Read / Write IOPS - 900K / 1200K, Phison PS5018-E18, 1GB DRAM, AES 256-bit, SLC Write Cac
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC] Capacitate stocare: 1000 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: Samsung V-NAND Общий объем накопителей: 1000 Гб Система хранения данных: M.2 2280 Интерфе
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC] Capacitate stocare: 1024 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Бренд: Samsung Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Контроллер PCIe
- 1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Производитель Samsung Интерфейс M.2 PCIe NVMe SSD Объем 1 TB
- 1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO w/ Heatsink MZ-V9P1T0CW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO w/ Heatsink MZ-V9P1T0CW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд Samsung Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Контроллер Samsung Phoenix Скорость чтения 7450 Mб/с Скорост
- M.2 NVMe SSD 2.0TB GOODRAM IRDM PRO SLIM, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 7000 MB/s / 6850 MB/s, Random 4K Reads/Writes: 650K IOPS / 700K IOPS, TBW: 1400TB, MTBF: 2mln hours, Phison E18 with DRAM Buffer, M.2 NVMe SSD 2.0TB GOODRAM IRDM PRO SLIM, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 7000 MB/s / 6850 MB/s, Random 4K Reads/Writes: 650K IOPS / 700K IOPS, TBW: 1400TB, MTBF: 2mln hours, Phison E18 with DRAM Buffer, Объём накопителя: 2000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максима
- M.2 NVMe SSD 2.0TB Corsair MP600 PRO XT, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7100 MB/s / Writes 6800 MB/s, Random Read / Write IOPS - 1000K / 1200K, Phison PS5018-E18, 2GB DRAM, AES 256-bit, SLC Write CaM.2 NVMe SSD 2.0TB Corsair MP600 PRO XT, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 7100 MB/s / Writes 6800 MB/s, Random Read / Write IOPS - 1000K / 1200K, Phison PS5018-E18, 2GB DRAM, AES 256-bit, SLC Write Ca
- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 980 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7000/5100MB/s, 1000K/1000K IOPS, Elpis, 3DTLC] .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 980 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7000/5100MB/s, 1000K/1000K IOPS, Elpis, 3DTLC] Объём накопителя от 2 до 4 ТБ Тип ячеек памяти 3D TLC Максимальная скорость записи Более 3000 МБ/сек Максимальная скорость чтения Более 3500 МБ/сек
- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 980 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7000/5100MB/s, PC&PS5® Compatible].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 980 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7000/5100MB/s, PC&PS5® Compatible] Capacitate stocare: 2000 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Viteza maxima de citire: 7000 MB/s Объём накопителя 2000 ГБ Тип ячеек памяти 3D TLC Максимальная скорость
- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC] Бренд SAMSUNG Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ Контроллер PCIe 4.0 x4 NVMe Тип чипов V-NAND 3bit MLC Скорость чтения 7450 Mб/с Скорость записи 6900 Мб/с IOmeter1400K / 1550K IOPS
- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO, [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC] Capacitate stocare: 2000 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: MLC (Multi-Level Cell) Объём накопителя 2000 ГБ. Тип ячеек памяти V-NAND MLC Максималь
- M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung SSD 980 PRO w/Heatsink, PCIe4.0 x4 / NVMe1.3c, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7000 MB/s, Seq. Write: 5100 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1,000,000/ 1,000,000 IOPS, Samsung Elpis Controller, 2GB LPDDR4, PCI-SIG® D8 stanM.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung SSD 980 PRO w/Heatsink, PCIe4.0 x4 / NVMe1.3c, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7000 MB/s, Seq. Write: 5100 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1,000,000/ 1,000,000 IOPS, Samsung Elpis Controller, 2GB LPDDR4, PCI-SIG® D8 stan Объём накопителя 2000 ГБ Тип ячеек памяти 3D TLC Максимальн
- Samsung 980 PRO 2TB SSD M2 Nvme. Gen 4 Samsung 980 PRO 2TB SSD M2 Nvme. Gen 4 Емкость цифрового хранилища 2 ТБ Совместимые устройства Ноутбук, Рабочий стол Интерфейс жесткого диска NVMe Бренд SAMSUNG Ряд 980 ПРО
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 970 PRO [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2700MB/s, 500/500K IOPS, Phoenix, MLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 970 PRO [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2700MB/s, 500/500K IOPS, Phoenix, MLC] Объем накопителя, ГБ 1000 Максимальная скорость записи, Мбайт/с 2700 Максимальная скорость чтения, Мбайт/с 3500
- M.2 NVMe SSD 4.0TB Corsair MP600 PRO LPX, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Seq Reads 7100 MB/s / Writes 6800 MB/s, Random Read / Write IOPS - 1000K / 1200K, Phison PS5018-E18, 4GB DDR4 DRAM, AES 256-bit Encryption, SLM.2 NVMe SSD 4.0TB Corsair MP600 PRO LPX, w/Heatsink, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Seq Reads 7100 MB/s / Writes 6800 MB/s, Random Read / Write IOPS - 1000K / 1200K, Phison PS5018-E18, 4GB DDR4 DRAM, AES 256-bit Encryption, SL
- 2TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)2TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд Samsung Модель 990 PRO MZ-V9P2T0BW Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ Тип чипов V-NAND 3bit MLC Скорость чтения 745