W7X 92O W H
(7)- 1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 1.3c M.2 Type 2280 Samsung 980 PRO w/ Heatsink MZ-V8P1T0CW, Read 7000MB/s, Write 5000MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 1.3c M.2 Type 2280 Samsung 980 PRO w/ Heatsink MZ-V8P1T0CW, Read 7000MB/s, Write 5000MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд Samsung Модель 980 PRO Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Тип чипов V-NAND 3bit MLC Скорость чтения 7
- Fujitsu SSD SATA 6G 480GB Mixed-Use 3.5' H-P EPFujitsu SSD SATA 6G 480GB Mixed-Use 3.5' H-P EP Модель S26361-F5732-L480 Жесткий диск SATA 6 гбит / с, 480 ГБ 3,5 дюйма Тип диска SSD Форм-фактор диска 3,5" (LFF) Тип привода Внутренний Емкость накопителя 480 ГБ Интерфейс жесткого диска SATA
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC] Capacitate stocare: 1024 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Бренд: Samsung Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Контроллер PCIe
- 2TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO w/ Heatsink MZ-V9P2T0CW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)2TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO w/ Heatsink MZ-V9P2T0CW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд Samsung Модель MZ-V9P2T0CW Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ Тип чипов V-NAND Скорость чтения 7450 Mб/
- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1.2PB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1.2PB, 3DTLC] Capacitate stocare: 2048 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Бренд: Samsung Модель 990 PRO Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ К
- 2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,500 IOPS / Write: 76,800 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,500 IOPS / Write: 76,800 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC Объем 512 ГБ Скорость чтения 550 МБ/с Скорость записи 500 МБ/с Энергопотребление В режиме чтения:
- .M.2 SATA SSD 256GB Transcend TS256GMTS430S.M.2 SATA SSD 256GB Transcend TS256GMTS430S [42mm, R/W:530/400MB/s, 45K/70K IOPS, SM2258, 3DTLC] Volum 256 GB Viteza de citire 500 MB / s (SATA 6 GB / s) Viteza de inregistrare 410 MB / s Consumul de energie 3,3V ± 5% Factorul de forma M.2 MTBF 1.500.000 h Interfata SATAIII Tipul de celule de memorie 3D NAND (TLC)
![.M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC]](/img/2096107.jpg)
![.M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1.2PB, 3DTLC]](/img/2096098.jpg)
