GBG 3500
(46)- Генератор GenPower GBG 20i,бензинОписание Инверторный генератор Genpower GBG 20i исполнен на закрытой раме в шумоизолирующем кожухе и оснащен 3,2 литровым топливным баком для автономной работы. Благодаря своим размерам и весу аппарат является очень мобильным и достаточно мощным продуктом. Генератор GBG 20i сконструирован на основе 4-тактного верхнек
- M.2 NVMe SSD 256GB ADATA XPG SX8200 PRO, PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 , Read: 3500 MB/s, Write: 3000 MB/s, Controller SMI, 3D NAND TLC, ASX8200PNP-256GT-CM.2 NVMe SSD 256GB ADATA XPG SX8200 PRO, PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 , Read: 3500 MB/s, Write: 3000 MB/s, Controller SMI, 3D NAND TLC, ASX8200PNP-256GT-C Твердотельный накопитель SX8200 Pro M.2 2280 — на сегодняшний день самый скоростной из твердотельных накопителей XPG, предназначенный для любителей ПК, гей
- Генератор GenPower GBG 10i,бензинИнверторная электростанция Genpower GBG 10i Тип Инверторная электростанция Поставляется В картонной коробке Количество фаз однофазный Обороты 3000 об/мин Тип двигателя (топливо) бензиновый Максимальная мощность 1 кВа Номинальная мощность 0.9 кВа Шумозащита
- M.2 NVMe SSD 500GB Kingston NV2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 3500 MB/s, Sequential Writes 2100 MB/s, Phison E19T controller, TBW: 160TB, 3D QLC NAND flashM.2 NVMe SSD 500GB Kingston NV2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 3500 MB/s, Sequential Writes 2100 MB/s, Phison E19T controller, TBW: 160TB, 3D QLC NAND flash Объём накопителя 500 ГБ Тип ячеек памяти QLC 3D NAND Максимальная скорость записи, мб/с 2100 Максимальная скоро
- M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 970 EVO Plus, PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 970 EVO Plus, PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) Объём накопителя, ГБ 250 Максимальная скорость записи, Мбайт/с 2300 Максимальная скорость чтения, Мбайт/с 3500
- M.2 NVMe SSD 500GB Patriot P400 Lite, w/Graphene Heatshield, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3500 MB/s, Sequential Write 2400 MB/s, Random Read 220K IOPS, Random Write 500K IOPS, EtE data path protection, TBW: 2M.2 NVMe SSD 500GB Patriot P400 Lite, w/Graphene Heatshield, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3500 MB/s, Sequential Write 2400 MB/s, Random Read 220K IOPS, Random Write 500K IOPS, EtE data path protection, TBW: 2 Объём накопителя 500 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максималь
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Kingston SNV2S, PCIe 4.0 x4 NVMe/ M2 Type 2280 ,up To Read:3500 MB/s, Write:2100 MB/s, SNV2S/1000GM.2 NVMe SSD 1.0TB Kingston SNV2S, PCIe 4.0 x4 NVMe/ M2 Type 2280 ,up To Read:3500 MB/s, Write:2100 MB/s, SNV2S/1000G Формфактор SSD M.2 Объем 1 Tб Интерфейс PCI Express 4.0 x4 Скорость чтения 3500 МБ/с Скорость записи 2100 МБ/с Тип ячеек памяти 3D NAND (QLC )
- M.2 NVMe SSD 500GB Samsung SSD 970 EVO Plus, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 3500 MB/s, Seq. Write: 3200 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 480,000/550,000 IOPS, Samsung Phoenix controller, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 500GB Samsung SSD 970 EVO Plus, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 3500 MB/s, Seq. Write: 3200 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 480,000/550,000 IOPS, Samsung Phoenix controller, 3D TLC (V-NAND) Объём накопителя, ГБ 500 Максимальная скорость записи, Мбайт/с 3200 Максим
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Patriot P400 Lite, w/Graphene Heatshield, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3500 MB/s, Sequential Write 2700 MB/s, Random Read 340K IOPS, Random Write 540K IOPS, EtE data path protection, TBW: 5M.2 NVMe SSD 1.0TB Patriot P400 Lite, w/Graphene Heatshield, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3500 MB/s, Sequential Write 2700 MB/s, Random Read 340K IOPS, Random Write 540K IOPS, EtE data path protection, TBW: 5 Объём накопителя 1000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Макси
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) форм-фактор: 2280, M емкость: 1000 ГБ скорость чтения/записи: 3500 МБ/с / 3000 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 3.0 x4 тип флэш-
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 970 EVO Plus, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 3500 MB/s, Seq. Write: 3300 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 600,000/550,000 IOPS, Samsung Phoenix controller, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 970 EVO Plus, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 3500 MB/s, Seq. Write: 3300 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 600,000/550,000 IOPS, Samsung Phoenix controller, 3D TLC (V-NAND) SSD накопитель, который предлагает большее Твердотельные накопители (SSD)
- M.2 NVMe SSD 2.0TB Kingston NV2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 3500 MB/s, Sequential Writes 2800 MB/s, Phison E19T controller, TBW: 640TB, 3D QLC NAND flashM.2 NVMe SSD 2.0TB Kingston NV2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 3500 MB/s, Sequential Writes 2800 MB/s, Phison E19T controller, TBW: 640TB, 3D QLC NAND flash Объём накопителя 2000 ГБ Тип ячеек памяти QLC 3D NAND Максимальная скорость записи, мб/с 2800 Максимальная скор
- M.2 NVMe SSD 4.0TB Kingston NV2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 3500 MB/s, Sequential Writes 2800 MB/s, Phison E19T controller, TBW: 1280TB, 3D QLC NAND flashM.2 NVMe SSD 4.0TB Kingston NV2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 3500 MB/s, Sequential Writes 2800 MB/s, Phison E19T controller, TBW: 1280TB, 3D QLC NAND flash Объем 4 ТБ Скорость чтения До 3500 МБ/с Скорость записи До 2800 МБ/с Форм-фактор M.2 Время наработки на отказ 1 50
- M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) Объём накопителя 256 ГБ Тип ячеек памяти TLC
- M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) форм-фактор: 2280, M емкость: 500 ГБ скорость чтения/записи: 3100 МБ/с / 2600 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 3.0 x4 тип флэш-п
- M.2 NVMe SSD 500GB Corsair MP600 GS, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 4800 MB/s / Writes 3500 MB/s, Random Read / Write IOPS - 450K / 700K, Phison PS2021-E21T, AES-256 encryption, TBW - 300 TB, 176L Micron 3D TLCM.2 NVMe SSD 500GB Corsair MP600 GS, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 4800 MB/s / Writes 3500 MB/s, Random Read / Write IOPS - 450K / 700K, Phison PS2021-E21T, AES-256 encryption, TBW - 300 TB, 176L Micron 3D TLC
- DELL E5 90-Watt Type-C AC Adapter (EUR), Kit for Lati 3400, 3500, 5300, 5400, 5401, 5500, 5501, 7300, 7400, Precision 3540DELL E5 90-Watt Type-C AC Adapter (EUR), Kit for Lati 3400, 3500, 5300, 5400, 5401, 5500, 5501, 7300, 7400, Precision 3540 Перестаньте таскать свой адаптер переменного тока взад и вперед между домом и офисом. Получите второй адаптер переменного тока для вашего ноутбука и держите его в офисе, а также для дома или путе
- .M.2 NVMe SSD 512GB ADATA XPG GAMMIX S11 Pro [PCIe3.0 x4, R/W:3500/3000MB/s, 390/380K IOPS, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 512GB ADATA XPG GAMMIX S11 Pro [PCIe3.0 x4, R/W:3500/3000MB/s, 390/380K IOPS, 3DTLC] Не нагревается при работе с молниеносной скоростью Благодаря сверхскоростному интерфейсу PCIe Gen3x4 и поддержке NVMe 1.3 модель Gammix S11 Pro достигает молниеносной скорости чтения/ записи до 3500/2300 МБ в секунду.
- DIESEL GENERATOR JDP3500-LHE/230V/SINGLE PHASE - Open Type, Air-cooledDIESEL GENERATOR JDP3500-LHE/230V/SINGLE PHASE - Open Type, Air-cooled Open Type GENERATOR Type Revolving field , 2 pole ,Self-Excitating Brush type with AVR Frequency(Hz) 50 Output(kw) 3 Voltage(A.C)(V) 230V Engine Speed(r/min) 3000 Phase SINGLE PHASE
- DIESEL GENERATOR JDP3500-LDEA/230V/SINGLE PHASE/ATSDIESEL GENERATOR JDP3500-LDEA/230V/SINGLE PHASE/ATS
- Green2 GT-H-7115X, HP C7115X Compatible, 3500pages, Black: HP LaserJet 1000(w)/1005/1200(n)/1220(n)(se)/3300/3310/ 3320(n)/ 3330/3380Green2 GT-H-7115X, Картридж для HP C7115X Compatible, Black: HP LaserJet 1000(w)/1005/1200(n)/1220(n)(se)/3300/3310/ 3320(n)/ 3330/3380 Ресурс 3500 стр.
- Laser Cartridge for HP CB530A black SCC CRT HEW SCC530A BLKLaser Cartridge for HP CB530A black SCC CRT HEW SCC530A BLK Imprimante Compatibile: Canon LBP/ Canon MF/ HP CLJ Randament imprimare: 3500 Pagini Совместимость HP Тип печати Лазерная печать
- Stabilizer Voltage PowerCom TCA-2000, (Germany Socket)СТЕПЕНЬ ЗАЩИТЫ Стабилизаторы напряжения (автоматические регуляторы напряжения) TCA-1200 и TCA-2000 обеспечивают функцию автоматической регулировки напряжения с микропроцессорным управлением. СФЕРА ПРИМЕНЕНИЯ Автоматические регуляторы напряжения серии ТСА предназначены для примения в быту или офисе там, где необходим
- .M.2 NVMe SSD 256GB Transcend 220S [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2100MB/s, 210/290K IOPS, SM2262, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 256GB Transcend 220S [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2100MB/s, 210/290K IOPS, SM2262, 3DTLC] Объём накопителя, ГБ 256 Максимальная скорость записи, Мбайт/с 2100 Максимальная скорость чтения, Мбайт/с 3500
- .M.2 NVMe SSD 500GB Kingston NV2 [PCIe 4.0 x4, R/W:3500/2100MB/s, 160TBW, 3D-NAND QLC].M.2 NVMe SSD 500GB Kingston NV2 [PCIe 4.0 x4, R/W:3500/2100MB/s, 160TBW, 3D-NAND QLC] Capacitate stocare: 500 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D QLC (Quad-Level Cell) Объём накопителя 500 ГБ Тип ячеек памяти QLC 3D NAND Максимальная скорость
- .M.2 NVMe SSD 512GB Apacer AS2280P4U [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2300MB/s, 400/600K IOPS, 350TB,3DTLC].M.2 NVMe SSD 512GB Apacer AS2280P4U [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2300MB/s, 400/600K IOPS, 350TB,3DTLC] Capacitate stocare: 512 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 3.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Объём накопителя 512 ГБ Тип ячеек памяти 3D TLC Максимальная скорость записи, мб/с 23
- Battery Dell Inspiron 15 7577 7588 17 7778 7779 G3 G5 PVHT1 33YDH OriginalBattery Dell Inspiron 15 7577 7588 17 7778 7779 G3 G5 PVHT1 33YDH Original аккумулятор для ноутбуков емкость аккумулятора 3500 мА·ч тип аккумулятора: Li-Ion напряжение 15.2 В совместимость: DELL
- .M.2 NVMe SSD 512GB Transcend 220S [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2100MB/s, 210/310K IOPS, SM2262, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 512GB Transcend 220S [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2100MB/s, 210/310K IOPS, SM2262, 3DTLC] Объём накопителя, ГБ 512 Максимальная скорость записи, Мбайт/с 2100 Максимальная скорость чтения, Мбайт/с 3500