Поиск
Компьютеры & Офис [254 результатов]

SSD 870 EVO

(254)

Вид:

5439.00 MDL
1TB SSD 2.5" Samsung 870 EVO MZ-77E1T0B/EU, Read 560MB/s, Write 530MB/s, SATA III 6.0Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD 2.5" Samsung 870 EVO MZ-77E1T0B/EU, Read 560MB/s, Write 530MB/s, SATA III 6.0Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Производитель Samsung Интерфейс SATA3 SSD (6Gb/s) Объем 1 TB
3620.00 MDL
2.5" SSD 500GB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, 7mm, 512MB Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC2.5" SSD 500GB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, 7mm, 512MB Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC Объём накопителя 500 ГБ Тип ячеек памяти MLC V-NAND
5439.00 MDL
2.5" SSD 1.0TB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, Thickness - 7mm, 1GB LPDDR4 Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC2.5" SSD 1.0TB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, Thickness - 7mm, 1GB LPDDR4 Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC Объем 1 ТБ Скорость чтения до 560 MБ/сек Скорость записи до 530 MБ/сек Энергопотребле
14398.00 MDL
2.5" SSD 4.0TB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, Thickness - 7mm, 4GB LPDDR4 Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC2.5" SSD 4.0TB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, Thickness - 7mm, 4GB LPDDR4 Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC Объём накопителя 4000 ГБ Тип ячеек памяти V-NAND MLC Максимальная скорость записи,
8368.00 MDL
2TB SSD 2.5" Samsung 870 QVO MZ-77Q2T0BW, Read 560MB/s, Write 530MB/s, SATA III 6.0Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)2TB SSD 2.5" Samsung 870 QVO MZ-77Q2T0BW, Read 560MB/s, Write 530MB/s, SATA III 6.0Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)
7440.00 MDL
2TB Samsung Portable SSD T7 MU-PC2T0T/WW External SSD, Black, Read 1050 MB/s, Write 1000 MB/s, Shock Resistance, USB 3.2 Gen.2, (SSD extern/внешний SSD)2TB Samsung Portable SSD T7 MU-PC2T0T/WW External SSD, Black, Read 1050 MB/s, Write 1000 MB/s, Shock Resistance, USB 3.2 Gen.2, (SSD extern/внешний SSD) Объем 2 ТБ Скорость чтения до 1050 МБ/сек Скорость записи до 1000 МБ/сек Интерфейс подключения USB Type-C Назначение Для компьютера, Для ноутбука Тип накопителя Внеш
1885.00 MDL
240GB SSD 2.5" Kingston SSDNow A400 SA400S37/240G 240GB, 7mm, Read 500MB/s, Write 350MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)Kingston SSD Now A400 SA400S37/240G 240GB Твердотельный накопитель Kingston A400 радикально повышает отзывчивость компьютерных систем, обеспечивая невероятно малое время загрузки операционной системы, старта программ и копирования файлов, недостижимое при использовании механических жестких дисков. Под управлением кон
14398.00 MDL
2.5" SATA SSD 4.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E4T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] 2.5" SATA SSD 4.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E4T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Тип внутренний Серия 870 EVO Объём памяти 4 TB Тип флеш-памяти V-NAND 3bit MLC Форм-фактор 2.5" Интерфейс SATA 6Gb/s Скорость чтения, макс. 560 Mb/s Скорость записи, макс. 530 Mb/s Наработка на отказ 1.5 млн.часов Габа
8714.00 MDL
2.5" SATA SSD 2.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E2T0B [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC]2.5" SATA SSD 2.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E2T0B [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Объём накопителя 2 ТБ Тип ячеек памяти V-NAND MLC
2220.00 MDL
512GB SSD 2.5" Intenso Top (3812450), 7mm, Read 520MB/s, Write 500MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)512GB SSD 2.5" Intenso Top (3812450), 7mm, Read 520MB/s, Write 500MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Interfata SATA3 SSD (6Gb/s) Capacitate 512 GB Интерфейс SATA3 SSD (6Gb/s) Объем 512 GB
1124.00 MDL
256GB SSD 2.5" Verbatim Vi550 S3 (49351), 7mm, Read 560MB/s, Write 460MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)256GB SSD 2.5" Verbatim Vi550 S3 (49351), 7mm, Read 560MB/s, Write 460MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Производитель изделия Verbatim Модель Vi500 S3 256GB 3D NAND TLC Код от производителя 49351 Архитектура жесткого диска NAND SSD Формат жесткого диска
2674.00 MDL
480GB SSD 2.5" Kingston SSDNow SA400S37/480G, 7mm, Read 500MB/s, Write 450MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)480GB SSD 2.5" Kingston SSDNow SA400S37/480G, 7mm, Read 500MB/s, Write 450MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Твердотельный накопитель Kingston A400 радикально повышает отзывчивость компьютерных систем, обеспечивая невероятно малое время загрузки операционн
4312.00 MDL
500GB SSD NVMe M.2 Gen3 x4 Type 2280 Samsung 980 MZ-V8V500BW, Read 3100MB/s, Write 2600MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)500GB SSD NVMe M.2 Gen3 x4 Type 2280 Samsung 980 MZ-V8V500BW, Read 3100MB/s, Write 2600MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Производитель Samsung Интерфейс M.2 PCIe NVMe SSD Объем 500 GB
6895.00 MDL
1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Производитель Samsung Интерфейс M.2 PCIe NVMe SSD Объем 1 TB
2474.00 MDL
480GB SSD 2.5" Lexar NQ100 LNQ100X480G-RNNNG, Read 550MB/s, Write 450MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)480GB SSD 2.5" Lexar NQ100 LNQ100X480G-RNNNG, Read 550MB/s, Write 450MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Объем 480 ГБ Форм-фактор 2.5" Интерфейс подключения SATAIII
2784.00 MDL
500GB SSD 2.5" Crucial BX500 CTCT500BX500SSD1, Read 550MB/s, Write 500MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)500GB SSD 2.5" Crucial BX500 CTCT500BX500SSD1, Read 550MB/s, Write 500MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Объём накопителя 500 ГБ Тип ячеек памяти 3D TLC Максимальная скорость записи, мб/с 500 Максимальная скорость чтения, мб/с 550
3056.00 MDL
500GB SSD M.2 Type 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe Lexar NM710 LNM710X500G-RNNNG, Read 5000MB/s, Write 2600MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)500GB SSD M.2 Type 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe Lexar NM710 LNM710X500G-RNNNG, Read 5000MB/s, Write 2600MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд LEXAR Модель NM710 LNM710X500G-RNNNG Форм-фактор накопителя M.2 2280 Память накопителя 500 ГБ Тип чипов TLC Скорость чтения 5000 МБ/с Ско
3366.00 MDL
2.5" SSD 500GB Samsung 870 EVO, SATAIII, Read: 560 MB/s, Write: 530 MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC, MZ-77E500B2.5" SSD 500GB Samsung 870 EVO, SATAIII, Read: 560 MB/s, Write: 530 MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC, MZ-77E500B Общий объем накопителей: 500 Гб Система хранения данных: 2.5"/7 мм Интерфейс накопителя: SATA-3 (6 Гбит/сек) Тип флеш-памяти: MLC (Multi-Level Cell) Макс. скорость чтения: 560 MB/s Макс. скорость пис
3420.00 MDL
960GB SSD 2.5" Patriot Burst PBE960GS25SSDR, 7mm, Read 450MB/s, Write 320MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)960GB SSD 2.5" Patriot Burst PBE960GS25SSDR, 7mm, Read 450MB/s, Write 320MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Объем 960 ГБ Форм-фактор 2.5" Интерфейс подключения SATAIII
4712.00 MDL
1TB SSD 2.5" Crucial BX500 CT1000BX500SSD1, Read 540MB/s, Write 500MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD 2.5" Crucial BX500 CT1000BX500SSD1, Read 540MB/s, Write 500MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Объём накопителя 1000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND Максимальная скорость записи, мб/с 500 Максимальная скорость чтения, мб/с 540
5439.00 MDL
2.5" SATA SSD 1.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E1T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] 2.5" SATA SSD 1.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E1T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Объём накопителя 1 ТБ Тип ячеек памяти MLC V-NAND
7076.00 MDL
1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO w/ Heatsink MZ-V9P1T0CW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO w/ Heatsink MZ-V9P1T0CW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд Samsung Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Контроллер Samsung Phoenix Скорость чтения 7450 Mб/с Скорост
4348.00 MDL
.M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 EVO [PCIe 3.0 x4, R/W:3100/2600MB/s, 400/470K IOPS, Pablo, TLC] .M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 EVO [PCIe 3.0 x4, R/W:3100/2600MB/s, 400/470K IOPS, Pablo, TLC] Объём памяти : 500 ГБ Форм-фактор : M.2 Размер (Д x Ш x Т) : 80.15 x 22.15 x 2.38 мм Вес : 9 г Модель : 980 EVO Тип : SSD Скорость записи : 2700 Mб/с Capacitate memorie : 500 GB Form factor : M.2 Dimensiuni (L x L x G
1105.00 MDL
M.2 External SSD 256GB MyMedia (by Verbatim) External SSD USB3.2 Gen 2, Sequential Read/Write: up to 520/400 MB/s, Light, Sleek space grey aluminium design, Ultra-compact aluminum housingM.2 External SSD 256GB MyMedia (by Verbatim) External SSD USB3.2 Gen 2, Sequential Read/Write: up to 520/400 MB/s, Light, Sleek space grey aluminium design, Ultra-compact aluminum housing Модель MyExternal SSD Цвет Серый космос Рабочая температура 0 °C~70 °C Скорость чтение/запись до 520/400 МБ/с Совместимость Windo
8368.00 MDL
2.5" SATA SSD 2.0TB Samsung 870 QVO "MZ-77Q2T0BW" [R/W:560/530MB/s, 98/88K IOPS, MJX, 4bit MLC] 2.5" SATA SSD 2.0TB Samsung 870 QVO MZ-77Q2T0BW [R/W:560/530MB/s, 98/88K IOPS, MJX, 4bit MLC] Формфактор 2.5" Объем 2 Tб Интерфейс SATA III Скорость чтения 560 МБ/с Скорость записи 530 МБ/с Тип ячеек памяти MLC Энергопотребление 5.0 Вт
14218.00 MDL
2.5" SATA SSD 4.0TB Samsung 870 QVO MZ-77Q4T0BW [R/W:560/530MB/s, 98/88K IOPS, MJX, 4bit MLC] 2.5" SATA SSD 4.0TB Samsung 870 QVO MZ-77Q4T0BW [R/W:560/530MB/s, 98/88K IOPS, MJX, 4bit MLC] Объём накопителя 4 ТБ
24850.00 MDL
2.5" SATA SSD 8.0TB Samsung 870 QVO MZ-77Q8T0BW [R/W:560/530MB/s, 98/88K IOPS, MJX, 4bit MLC] 2.5" SATA SSD 8.0TB Samsung 870 QVO MZ-77Q8T0BW [R/W:560/530MB/s, 98/88K IOPS, MJX, 4bit MLC] Емкость накопителя 8 ТБ Тип памяти VNAND Материал корпуса Металл Форм-фактор 2,5" Интерфейс SATA 3 Максимальная скорость чтения 560 Мб/сек
1600.00 MDL
2.5" SATA SSD 256GB Transcend "SSD230" [R/W:560/520MB/s, 65/85K IOPS, SM2258, 3D NAND TLC, Alu]Transcend SSD230 2.5" SATA SSD 256GB Твердотельный накопитель Transcend SSD230 с интерфейсом SATA III 6 Гбит/с создан на базе самой современной 3D-технологии производства памяти NAND, которая позволяет размещать ячейки памяти в несколько слоев — одна над другой. За счет использования высококачественных микросхем фл
2711.00 MDL
2.5" SATA SSD 512GB Transcend "SSD230" [R/W:560/520MB/s, 85/85K IOPS, SM2258, 3D NAND TLC, Alu]Transcend SSD230 2.5 SATA SSD 512GB Твердотельный накопитель Transcend SSD230 с интерфейсом SATA III 6 Гбит/с создан на базе самой современной 3D-технологии производства памяти NAND, которая позволяет размещать ячейки памяти в несколько слоев — одна над другой. За счет использования высококачественных микросхем флэш
774.00 MDL
.M.2 SSD 120GB Transcend "TS120GMTS820" [80mm, R/W:550/420MB/s, 78K/78K IOPS, SM2256KAB, TLC].M.2 SSD 120GB Transcend "TS120GMTS820" [80mm, R/W:550/420MB/s, 78K/78K IOPS, SM2256KAB, TLC] Модель TS120GMTS820 Основные характеристики Объем 120 GB Интерфейс SATA 3 Скорость записи 420 MBps Скорость чтения 550 MBps Скорость случайной записи 78 K IOPS Поддержка RAID Да Форм-фактор и назначание Тип SSD Форм

Страница:
1
2
3
4
5
6
7
8
9

Заказы по телефону:	Пн-Пт: 9:00 - 19:00; Сб: 9:00 - 15:00
Заказы через сайт:	24/24

Тел:	0 (22) 852 - 852
Моб:	0 (68) 852 - 852 0 (79) 000 - 852
	dostavka.md
	[email protected]

SSD 870 EVO

О нашем интернет-магазине

Приемущества dostavka.md

Новости

Выйграйте 2 билета в кино на нашей страничке в facebook!

Покупайте в кредит - легко и быстро!

Внимание! Новый пункт получения заказов в г. Кишиневе.