MUSW-4B-04-GB
(89)- 1 GB SODIMM Samsung DDR3-1333 PC1066 CL9 originalОбщие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Дополнительно Напряже
- 1 GB SODIMM DDR2-800 Hynix original, PC6400 CL5Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM 200-контактный Тактовая частота 800 МГц Пропускная способность 6400 Мб/с Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Напряжение питания 1.8 В
- 1 GB SODIMM DDR2-667 Kingston, PC2-5300, CL 5Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 5
- 2 GB DDR3 1333MHz Hynix Original DIMM, PC3 10600, CL9Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 2 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Напряжение питания 1.5 В
- 4 GB DDR3 1600 Transcend JetRam DIMM, PC12800 CL11Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 11 Дополнительно Количество чипов каждого моду
- 1 GB DIMM DDR2 PC6400, Apacer, CL5, 800 MHz, 64x8Соответствие стандарту JEDEC DDR2 Speed Grade : 800Mbps Небуферизированный DIMM : 240-коннекторов Сборка памяти : x8 FBGA чипы DRAM Интерфейс DDR2: SSTL_18 Латентность CAS: 5-5-5 Ширина шины : 6400Мб/с Напряжение VDD : 1.8+-0.1V Напряжение VDDQ : 1.8+-0.1V Наличие SPD Высота PCB : 1.18 дюймов Соответстви
- DIMM 2 GB DDR-II PC2-5300, 667 MHz, Kingston, CL 5, for dual channel 2x1024 MB kitОбщие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 2 модуля по 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 5 RAS to CAS Delay (tRCD) 5 Row Precharge Del
- 8GB Transcend JM1600KLN-8GK DDR3 PC12800,1600MHz,CL11 8GB DDR3 1600 MHz Transcend JetRam Dual Channel Kit 2x4 GB PC12800 Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 2 модуля по 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL)
- Fujitsu 16GB (1x16GB) 2Rx8 DDR4-2666 U ECCFujitsu 16GB (1x16GB) 2Rx8 DDR4-2666 U ECC Конфигурация памяти (модули х емкость) 1 x 16 GB Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered) Оперативная память 16 GB Тактовая частота памяти 2666 MHz Тип внутренней памяти DDR4 Error-correcting code (ECC) Да
- Fujitsu 16GB (1x16GB) 1Rx4 DDR4-2933 R ECCFujitsu 16GB (1x16GB) 1Rx4 DDR4-2933 R ECC Конфигурация памяти (модули х емкость) 1 x 16 GB Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered) Оперативная память 16 GB Тактовая частота памяти 2933 MHz Тип внутренней памяти DDR4 Error-correcting code (ECC) Да
- Fujitsu 32GB (1x32GB) 2Rx8 DDR4-2666 U ECCFujitsu 32GB (1x32GB) 2Rx8 DDR4-2666 U ECC Конфигурация памяти (модули х емкость) 1 x 32 GB Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered) Оперативная память 32 GB Тактовая частота памяти 2666 MHz Тип внутренней памяти DDR4 Error-correcting code (ECC) Да
- 32GB DDR5-7200MHz Kingston FURY Renegade (Kit of 2x16GB) (KF572C38RSK2-32), CL38-44, 1.45V, Silver32GB DDR5-7200MHz Kingston FURY Renegade (Kit of 2x16GB) (KF572C38RSK2-32), CL38-44, 1.45V, Silver Capacitatea Memoriei (Total): 32 GB Tip Memorie: DDR5 SDRAM Frecven?a memorie: 7200 MHz Laten?a CAS: CL38 Tensiune RAM: 1.45V Тип комплекта Kit of 2x16GB Тип памяти DDR5 Объем 32 GB Тактовая частота 7200 М
- .1GB DDR3 1333MHz Hynix Original PC3 10600, CL9Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Напряжение питания 1.5 В
- 1GB Apacer DDR3,PC10600,1333MHz,CL9Apacer DDR3 1GB DIMM - модуль памяти, который работает на частоте 1333 МГц. Данная оперативная память обеспечит максимальную производительность вашего ПК и стабильность его работы в условиях экстремального разгона.
- 4GB DDR4-2666 PATRIOT Signature Line, PC21300, CL19, 1Rank, Single Sided Module, 1.2V4GB DDR4-2666 PATRIOT Signature Line, PC21300, CL19, 1Rank, Single Sided Module, 1.2V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR4 Объем 4 GB Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Схема таймингов памяти CL19
- .4GB DDR4 - 2666MHz SODIMM Apacer PC21300, CL19, 260pin DIMM 1.2V.4GB DDR4 - 2666MHz SODIMM Apacer PC21300, CL19, 260pin DIMM 1.2V Модули SO-DIMM от Apacer DDR4 соответствуют стандартам JEDEC. Модули SO-DIMM, изготовленные с использованием высококачественных фирменных чипов DRAM и протестированных на 100%, обеспечивают более высокую производительность, высокую стабильность и выс
- .4GB DDR4- 2666MHz Apacer PC21300, CL19, 288pin DIMM 1.2V.4GB DDR4- 2666MHz Apacer PC21300, CL19, 288pin DIMM 1.2V DDR4 сейчас является доминирующим типом памяти для портативных и настольных компьютеров, серверов и рабочих станций. DDR4 рассчитана на работу на более высоких частотах, чем DDR3, и характеризуется меньшим энергопотреблением. Объем 4 GB Тип комплекта Single S
- 4GB SODIMM DDR4 Samsung M471A5244BB0-CWE PC25600 3200MHz CL22, 1.2V4GB SODIMM DDR4 Samsung M471A5244BB0-CWE PC25600 3200MHz CL22, 1.2V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR4 Объем 4 GB Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность PC19200 Схема таймингов памяти CL22
- 4GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V4GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V DDR3 сейчас является доминирующим типом памяти для настольных компьютеров, серверов и рабочих станций. DDR3 рассчитана на работу на более высоких частотах, чем DDR, и характеризуется меньшим энергопотреблением. Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота
- 4GB DDR4-2666 Kingston ValueRam, PC21300, CL17, 1.2V4GB DDR4-2666 Kingston ValueRam, PC21300, CL17, 1.2V Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 2660 МГц CAS Latency (CL), нс 17 Тип памяти DDR4
- 4GB DDR3L-1600 GOODRAM, PC12800, CL11, Single Rank, 1.35V4GB DDR3L-1600 GOODRAM, PC12800, CL11, Single Rank, 1.35V Модуль оперативной памяти для стационарных ПК, тип памяти DDR3 SDRAM, имеет эффективную пропускную способность 12800 Мбит/с, имеет напряжение питания 1,35 В. Чипы памяти выполнены без радиаторов охлаждения. Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая часто
- 4GB DDR3-1600 Silicon Power, PC12800, CL11, 512Mx8 8Chips, 1.5V4GB DDR3-1600 Silicon Power, PC12800, CL11, 512Mx8 8Chips, 1.5V Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти CL11
- 4GB DDR3-1600 PATRIOT Signature Line, PC12800, CL11, 1Rank, Double-sided Module, 1.5V4GB DDR3-1600 PATRIOT Signature Line, PC12800, CL11, 1Rank, Double-sided Module, 1.5V Тип памяти DDR3 Объем 4 GB Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 мб/с Схема таймингов памяти CL11
- 4GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.5V4GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.5V Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти
- 4GB DDR3L-1600 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.35V4GB DDR3L-1600 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.35V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR3 Объем 4 GB Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 11 Схема таймингов памяти CL11
- 2GB DDR2-800 SODIMM Patriot Signature Line, PC6400, CL5, 2 Rank, Double-Sided module, 1.8V2GB DDR2-800 SODIMM Patriot Signature Line, PC6400, CL5, 2 Rank, Double-Sided module, 1.8V Объем 2 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 800 МГц CAS Latency (CL), нс 6 Тип памяти DDR2 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти CL6
- .4GB DDR3- 1600MHz Apacer PC12800, CL11, 1.5V.4GB DDR3 - 1600MHz Apacer PC12800, CL11, 1.5V модуль оперативной памяти для стационарных ПК, тип памяти DDR3 SDRAM, объём 8192 Mb, частотой 1600 МГц, имеет эффективную пропускную способность 12800 Мбит/с, имеет напряжение питания 1,35 В. Чипы памяти выполнены без радиаторов охлаждения. Apacer имеет схему таймингов
- 4GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Apacer PC12800, CL11, 1.35V4GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Apacer PC12800, CL11, 1.35V Оперативная память — одна из неотъемлемых составляющих компьютера. Тактовая частота и пропускная способность характеризуют скоростные характеристики памяти. Чем выше эти показатели, тем лучше, но стоит обратить внимание, что частота памяти должна согласовыват
