MUSW-4B-04-GB
(166)- External DVD USB Drive Gembird DVD-USB-04, CD-DA, CD-R, CD-RW, DVD+R, DVD+R DL, DVD+RW, DVD-R, DVD-R DL, DVD-RAM, DVD-ROM DL, DVD-RW, DVD-Video, Supported disc diameter: 80 mm,120 mm, USB2.0, Black, RetailExternal DVD USB Drive Gembird DVD-USB-04, CD-DA, CD-R, CD-RW, DVD+R, DVD+R DL, DVD+RW, DVD-R, DVD-R DL, DVD-RAM, DVD-ROM DL, DVD-RW, DVD-Video, Supported disc diameter: 80 mm,120 mm, USB2.0, Black, Retail Тип DVD RW Воспроизводит диски DVD, CD Записывает диски DVD, CD Интерфейс USB 3.0 Цвет корпуса черный
- 1 GB SODIMM Samsung DDR3-1333 PC1066 CL9 originalОбщие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Дополнительно Напряже
- 1 GB SODIMM DDR2-800 Hynix original, PC6400 CL5Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM 200-контактный Тактовая частота 800 МГц Пропускная способность 6400 Мб/с Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Напряжение питания 1.8 В
- 1 GB SODIMM DDR2-667 Kingston, PC2-5300, CL 5Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 5
- 2 GB DDR3 1333MHz Hynix Original DIMM, PC3 10600, CL9Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 2 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Напряжение питания 1.5 В
- 4 GB DDR3 1600 Transcend JetRam DIMM, PC12800 CL11Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 11 Дополнительно Количество чипов каждого моду
- 2.5" HDD 100 GB SATA II, 5400 rpm, 8192 k, Fujitsu, 5.56 msОбщие характеристики Линейка MHV2 BH Тип HDD Назначение для ноутбука Форм-фактор HDD 2.5" Характеристики накопителя Объем 100 Гб Объем буферной памяти 8 Мб Скорость вращения 5400 rpm Интерфейс Подключение SATA 1.5Gb/s Внешняя скорость передачи данных 150 Мб/с Временные характеристики Среднее время доступа, ч
- 1 GB DIMM DDR2 PC6400, Apacer, CL5, 800 MHz, 64x8Соответствие стандарту JEDEC DDR2 Speed Grade : 800Mbps Небуферизированный DIMM : 240-коннекторов Сборка памяти : x8 FBGA чипы DRAM Интерфейс DDR2: SSTL_18 Латентность CAS: 5-5-5 Ширина шины : 6400Мб/с Напряжение VDD : 1.8+-0.1V Напряжение VDDQ : 1.8+-0.1V Наличие SPD Высота PCB : 1.18 дюймов Соответстви
- DIMM 2 GB DDR-II PC2-5300, 667 MHz, Kingston, CL 5, for dual channel 2x1024 MB kitОбщие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 2 модуля по 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 5 RAS to CAS Delay (tRCD) 5 Row Precharge Del
- .M.2 SSD 120GB Transcend "TS120GMTS820" [80mm, R/W:550/420MB/s, 78K/78K IOPS, SM2256KAB, TLC].M.2 SSD 120GB Transcend "TS120GMTS820" [80mm, R/W:550/420MB/s, 78K/78K IOPS, SM2256KAB, TLC] Модель TS120GMTS820 Основные характеристики Объем 120 GB Интерфейс SATA 3 Скорость записи 420 MBps Скорость чтения 550 MBps Скорость случайной записи 78 K IOPS Поддержка RAID Да Форм-фактор и назначание Тип SSD Форм
- 512GB SSD 2.5" Intenso Top (3812450), 7mm, Read 520MB/s, Write 500MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)512GB SSD 2.5" Intenso Top (3812450), 7mm, Read 520MB/s, Write 500MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Interfata SATA3 SSD (6Gb/s) Capacitate 512 GB Интерфейс SATA3 SSD (6Gb/s) Объем 512 GB
- .M.2 SATA SSD 256GB Transcend TS256GMTS430S.M.2 SATA SSD 256GB Transcend TS256GMTS430S [42mm, R/W:530/400MB/s, 45K/70K IOPS, SM2258, 3DTLC] Volum 256 GB Viteza de citire 500 MB / s (SATA 6 GB / s) Viteza de inregistrare 410 MB / s Consumul de energie 3,3V ± 5% Factorul de forma M.2 MTBF 1.500.000 h Interfata SATAIII Tipul de celule de memorie 3D NAND (TLC)
- 8GB Transcend JM1600KLN-8GK DDR3 PC12800,1600MHz,CL11 8GB DDR3 1600 MHz Transcend JetRam Dual Channel Kit 2x4 GB PC12800 Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 2 модуля по 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL)
- Fujitsu 16GB (1x16GB) 2Rx8 DDR4-2666 U ECCFujitsu 16GB (1x16GB) 2Rx8 DDR4-2666 U ECC Конфигурация памяти (модули х емкость) 1 x 16 GB Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered) Оперативная память 16 GB Тактовая частота памяти 2666 MHz Тип внутренней памяти DDR4 Error-correcting code (ECC) Да
- Fujitsu 16GB (1x16GB) 1Rx4 DDR4-2933 R ECCFujitsu 16GB (1x16GB) 1Rx4 DDR4-2933 R ECC Конфигурация памяти (модули х емкость) 1 x 16 GB Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered) Оперативная память 16 GB Тактовая частота памяти 2933 MHz Тип внутренней памяти DDR4 Error-correcting code (ECC) Да
- Fujitsu 32GB (1x32GB) 2Rx8 DDR4-2666 U ECCFujitsu 32GB (1x32GB) 2Rx8 DDR4-2666 U ECC Конфигурация памяти (модули х емкость) 1 x 32 GB Тип буферной памяти Unregistered (unbuffered) Оперативная память 32 GB Тактовая частота памяти 2666 MHz Тип внутренней памяти DDR4 Error-correcting code (ECC) Да
- 32GB DDR5-7200MHz Kingston FURY Renegade (Kit of 2x16GB) (KF572C38RSK2-32), CL38-44, 1.45V, Silver32GB DDR5-7200MHz Kingston FURY Renegade (Kit of 2x16GB) (KF572C38RSK2-32), CL38-44, 1.45V, Silver Capacitatea Memoriei (Total): 32 GB Tip Memorie: DDR5 SDRAM Frecven?a memorie: 7200 MHz Laten?a CAS: CL38 Tensiune RAM: 1.45V Тип комплекта Kit of 2x16GB Тип памяти DDR5 Объем 32 GB Тактовая частота 7200 М
- .1GB DDR3 1333MHz Hynix Original PC3 10600, CL9Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Напряжение питания 1.5 В
- 1GB Apacer DDR3,PC10600,1333MHz,CL9Apacer DDR3 1GB DIMM - модуль памяти, который работает на частоте 1333 МГц. Данная оперативная память обеспечит максимальную производительность вашего ПК и стабильность его работы в условиях экстремального разгона.
- 2.5" SATA SSD 120GB Apacer AS340X [R/W:550/500MB/s, 38/75K IOPS, 3D-NAND TLC], Retail 2.5" SATA SSD 120GB Apacer AS340X [R/W:550/500MB/s, 38/75K IOPS, 3D-NAND TLC], Retail Объём памяти : 120 ГБ Форм-фактор : SATA Размер (Д x Ш x Т) : 100 x 69.9 x 7 мм Модель : AS340X Тип : SSD Скорость записи : 520 МБ/с Скорость чтения : 550 МБ/с Capacitate memorie : 120 GB Form factor : SATA Dimensiuni (L x L x G
- 4GB DDR4-2666 PATRIOT Signature Line, PC21300, CL19, 1Rank, Single Sided Module, 1.2V4GB DDR4-2666 PATRIOT Signature Line, PC21300, CL19, 1Rank, Single Sided Module, 1.2V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR4 Объем 4 GB Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Схема таймингов памяти CL19
- .4GB DDR4- 2666MHz Apacer PC21300, CL19, 288pin DIMM 1.2V.4GB DDR4- 2666MHz Apacer PC21300, CL19, 288pin DIMM 1.2V DDR4 сейчас является доминирующим типом памяти для портативных и настольных компьютеров, серверов и рабочих станций. DDR4 рассчитана на работу на более высоких частотах, чем DDR3, и характеризуется меньшим энергопотреблением. Объем 4 GB Тип комплекта Single S
- .4GB DDR4 - 2666MHz SODIMM Apacer PC21300, CL19, 260pin DIMM 1.2V.4GB DDR4 - 2666MHz SODIMM Apacer PC21300, CL19, 260pin DIMM 1.2V Модули SO-DIMM от Apacer DDR4 соответствуют стандартам JEDEC. Модули SO-DIMM, изготовленные с использованием высококачественных фирменных чипов DRAM и протестированных на 100%, обеспечивают более высокую производительность, высокую стабильность и выс
- 4GB SODIMM DDR4 Samsung M471A5244BB0-CWE PC25600 3200MHz CL22, 1.2V4GB SODIMM DDR4 Samsung M471A5244BB0-CWE PC25600 3200MHz CL22, 1.2V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR4 Объем 4 GB Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность PC19200 Схема таймингов памяти CL22
- 4GB DDR3L-1600 GOODRAM, PC12800, CL11, Single Rank, 1.35V4GB DDR3L-1600 GOODRAM, PC12800, CL11, Single Rank, 1.35V Модуль оперативной памяти для стационарных ПК, тип памяти DDR3 SDRAM, имеет эффективную пропускную способность 12800 Мбит/с, имеет напряжение питания 1,35 В. Чипы памяти выполнены без радиаторов охлаждения. Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая часто
- 4GB DDR3-1600 PATRIOT Signature Line, PC12800, CL11, 1Rank, Double-sided Module, 1.5V4GB DDR3-1600 PATRIOT Signature Line, PC12800, CL11, 1Rank, Double-sided Module, 1.5V Тип памяти DDR3 Объем 4 GB Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 мб/с Схема таймингов памяти CL11
- 4GB DDR3L-1600 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.35V4GB DDR3L-1600 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.35V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR3 Объем 4 GB Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 11 Схема таймингов памяти CL11
![.M.2 SSD 120GB Transcend "TS120GMTS820" [80mm, R/W:550/420MB/s, 78K/78K IOPS, SM2256KAB, TLC]](/img/1782307.jpg)
![2.5" SATA SSD 120GB Apacer AS340X [R/W:550/500MB/s, 38/75K IOPS, 3D-NAND TLC], Retail](/img/1997098.jpg)
