ECC M393A8G40AB2-CWE
(22)- 4GB SODIMM DDR4 Samsung M471A5244BB0-CWE PC25600 3200MHz CL22, 1.2V4GB SODIMM DDR4 Samsung M471A5244BB0-CWE PC25600 3200MHz CL22, 1.2V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR4 Объем 4 GB Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность PC19200 Схема таймингов памяти CL22
- 4GB DDR4-3200 SODIMM Samsung,M471A5244CB0-CWE,1.2V - bulk4GB DDR4-3200 SODIMM Samsung, M471A5244CB0-CWE,1.2V - bulk Тип памяти DDR4 Объем 4 GB Тактовая частота 3200 МГц Схема таймингов памяти CL22
- 8GB DDR5-4800 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC5-38400, CL40, 1 Rank Single-sided module, On-die ECC, 1.1V8GB DDR5-4800 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC5-38400, CL40, 1 Rank Single-sided module, On-die ECC, 1.1V Бренд PATRIOT Модель PSD58G480041S Тип памяти DDR5 Стандарт памяти PC5-38400 Форм-фактор памяти SO-DIMM Количество модулей в комплекте 1 Объем памяти 8 ГБ Частота функционирования памяти 4800 MГц CAS-латентность
- 16GB DDR5-4800 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC5-38400, CL40, 2 Rank Single-sided module, On-die ECC, 1.1V16GB DDR5-4800 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC5-38400, CL40, 2 Rank Single-sided module, On-die ECC, 1.1V Бренд PATRIOT Модель PSD516G480081S Тип памяти DDR5 Стандарт памяти PC5-38400 Форм-фактор памяти SO-DIMM Количество модулей в комплекте 1 Объем памяти 16 ГБ Частота функционирования памяти 4800 MГц CAS-латентно
- 32GB DDR5-4800 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC5-38400, CL40, 2 Rank Single-sided module, On-die ECC, 1.1V32GB DDR5-4800 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC5-38400, CL40, 2 Rank Single-sided module, On-die ECC, 1.1V Бренд PATRIOT Модель PSD532G48002S Тип памяти DDR5 Стандарт памяти PC5-38400 Форм-фактор памяти SO-DIMM Количество модулей в комплекте 1 Объем памяти 32ГБ Частота функционирования памяти 4800 MГц CAS-латентност
- 4GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.5V4GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.5V Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти
- 2GB DDR2-800 SODIMM Patriot Signature Line, PC6400, CL5, 2 Rank, Double-Sided module, 1.8V2GB DDR2-800 SODIMM Patriot Signature Line, PC6400, CL5, 2 Rank, Double-Sided module, 1.8V Объем 2 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 800 МГц CAS Latency (CL), нс 6 Тип памяти DDR2 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти CL6
- 8GB DDR3L-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 2 Rank, Double-sided module, 1.35V8GB DDR3L-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 2 Rank, Double-sided module, 1.35V Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памя
- 8GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 2 Rank, Double-sided module, 1.5V8GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 2 Rank, Double-sided module, 1.5V Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти
- 8GB DDR4-3200 SODIMM Kingston FURY® Impact, PC25600, CL20, 1.2V8GB DDR4-3200 SODIMM Kingston FURY® Impact, PC25600, CL20, 1.2V Назначение для настольных ПК Тип DDR4 Общий объем 8 ГБ Количество планок 1 Частота 3200 МГц Пропускная способность PC4-25600 Тайминги 20-22-22 Подсветка нет Контроль четности (ECC) non-ECC Рабочее напряжение 1.2 B Производитель Kingston
- 8GB SODIMM DDR5 Hynix HMCG66MEBSA095N PC5-38400 4800MHz CL40, 1.1V8GB SODIMM DDR5 Hynix HMCG66MEBSA095N PC5-38400 4800MHz CL40, 1.1V Тип DDR5 Общий объем 8 ГБ Количество планок 1 Частота 4800 МГц Пропускная способность PC5-38400 Тайминги? 40 Контроль четности (ECC) non-ECC Рабочее напряжение 1.1 B Ранг памяти одноранговая Производитель Hynix
- 16GB DDR4-2666 SODIMM Kingston FURY® Impact, PC21300, CL15, 2Rx8, 1.2V16GB DDR4-2666 SODIMM Kingston FURY® Impact, PC21300, CL15, 2Rx8, 1.2V Объем 16 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 2660 МГц CAS Latency (CL), нс 15 Тип памяти DDR4 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти CL15
- 32GB DDR4- 3200MHz SODIMM Kingston FURY Impact (KF432S20IB/32), CL20-22-22, 1.2V, Intel XMP, Black32GB DDR4- 3200MHz SODIMM Kingston FURY Impact (KF432S20IB/32), CL20-22-22, 1.2V, Intel XMP, Black Capacitatea Memoriei (Total): 32GB Tip Memorie: DDR4 SDRAM Frecven?a memorie: 3200 MHz Viteza de memorie nominala: PC4-25600 Laten?a CAS: CL2 Назначение для ноутбуков Тип DDR4 Общий объем 32 ГБ Количество пл
- 32GB DDR4-2666 SODIMM Kingston FURY® Impact, PC21300, CL16, 2Rx8, 1.2V32GB DDR4-2666 SODIMM Kingston FURY® Impact, PC21300, CL16, 2Rx8, 1.2V Объем 32 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 2666 МГц CAS Latency (CL), нс 16 Тип памяти DDR4 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти CL16
- 256 MB SODIMM DDR2-667 Nanya, PC2-5300, CL5, 32x16Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM 200-контактный Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 1 модуль 256 Мб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 5 Дополнительно Количество чипов каждого мод
- 1 GB SODIMM Samsung DDR3-1333 PC1066 CL9 originalОбщие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Дополнительно Напряже
- 1 GB SODIMM DDR2-800 Hynix original, PC6400 CL5Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM 200-контактный Тактовая частота 800 МГц Пропускная способность 6400 Мб/с Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Напряжение питания 1.8 В
- 1 GB SODIMM DDR2-667 Kingston, PC2-5300, CL 5Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 5
- 4GB Transcend SODIMM DDR3 PC12800,204pin,1600MHz,CL114GB Transcend DDR3 1600MHz SODIMM 204pin PC12800, CL11, 1.35v 1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1066 МГц Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1066 МГц Пропускная способность 8500 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Под
- 8GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V8GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V Производитель GOODRAM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1600 МГц Объем 1 модуль 8 Гб Напряжение питания 1.35V Поддержка ECC есть CAS Latency (CL) 11
- 16GB DDR4-2666 SODIMM GOODRAM, PC21300, CL19, Single Rank, 2048x8, 1.2V16GB DDR4-2666 SODIMM GOODRAM, PC21300, CL19, Single Rank, 2048x8, 1.2V Назначение Для ноутбуков Объем памяти 16 ГБ Тип памяти DDR4 SODIMM Количество планок 1 планка Частота памяти 2666 МГц Радиаторы на планках Нет Схема таймингов памяти CL19 Эффективная пропускная способность 21300 МБ/с Напряжение питания 1.2 В Про
- 32GB (Kit of 2*16GB) SODIMM DDR5-4800 Kingston ValueRAM, Dual Channel Kit, PC5-4800, CL40, 1Rx16, 1.1V32GB (Kit of 2*16GB) SODIMM DDR5-4800 Kingston ValueRAM, Dual Channel Kit, PC5-4800, CL40, 1Rx16, 1.1V Модель ValueRAM Назначение Для ноутбуков Объем памяти 32 ГБ Тип памяти DDR5 SODIMM Количество планок 1 Частота памяти 4800 МГц Радиаторы на планках Нет Схема таймингов памяти CL40 Эффективная пропускная способность