Samsung
(4)- .2GB DDR4-2400MHz SODIMM Samsung Original PC19200, CL17, 260pin DIMM 1.2V .2GB DDR4-2400MHz SODIMM Samsung Original PC19200, CL17, 260pin DIMM 1.2V Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 2GB 2400 MHz Объем 2 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 2400 МГц CAS Latency (CL), нс 17 Тип памяти DDR4
- 1 GB SODIMM Samsung DDR3-1333 PC1066 CL9 originalОбщие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Дополнительно Напряже
- 4GB SODIMM DDR4 Samsung M471A5244BB0-CWE PC25600 3200MHz CL22, 1.2V4GB SODIMM DDR4 Samsung M471A5244BB0-CWE PC25600 3200MHz CL22, 1.2V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR4 Объем 4 GB Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность PC19200 Схема таймингов памяти CL22
- 4GB DDR4-3200 SODIMM Samsung,M471A5244CB0-CWE,1.2V - bulk4GB DDR4-3200 SODIMM Samsung, M471A5244CB0-CWE,1.2V - bulk Тип памяти DDR4 Объем 4 GB Тактовая частота 3200 МГц Схема таймингов памяти CL22