LG 990
(9)- M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 990 PRO w/Heatsink RGB Lights, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1200,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 1GB LPDDR4, V-NANDM.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 990 PRO w/Heatsink RGB Lights, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1200,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 1GB LPDDR4, V-NAND Бренд: Samsung Модель 990 PRO Форм-фактор накопителя M.2 NVMe
- M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung SSD 990 PRO w/Hetsing RGB Lights, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1400,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 2GB LPDDR4, V-NAND M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung SSD 990 PRO w/Hetsing RGB Lights, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1400,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 2GB LPDDR4, V-NAND Бренд: Samsung Модель 990 PRO Форм-фактор накопителя M.2 NVMe
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC] Capacitate stocare: 1000 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: Samsung V-NAND Общий объем накопителей: 1000 Гб Система хранения данных: M.2 2280 Интерфе
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC] Capacitate stocare: 1024 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Бренд: Samsung Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Контроллер PCIe
- 1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Производитель Samsung Интерфейс M.2 PCIe NVMe SSD Объем 1 TB
- 1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO w/ Heatsink MZ-V9P1T0CW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO w/ Heatsink MZ-V9P1T0CW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд Samsung Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Контроллер Samsung Phoenix Скорость чтения 7450 Mб/с Скорост
- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO, [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC] Capacitate stocare: 2000 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: MLC (Multi-Level Cell) Объём накопителя 2000 ГБ. Тип ячеек памяти V-NAND MLC Максималь
- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC] Бренд SAMSUNG Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ Контроллер PCIe 4.0 x4 NVMe Тип чипов V-NAND 3bit MLC Скорость чтения 7450 Mб/с Скорость записи 6900 Мб/с IOmeter1400K / 1550K IOPS
- 2TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)2TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд Samsung Модель 990 PRO MZ-V9P2T0BW Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ Тип чипов V-NAND 3bit MLC Скорость чтения 745