Pro Mini 400
(20)- 1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 1.3c M.2 Type 2280 Samsung 980 PRO w/ Heatsink MZ-V8P1T0CW, Read 7000MB/s, Write 5000MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 1.3c M.2 Type 2280 Samsung 980 PRO w/ Heatsink MZ-V8P1T0CW, Read 7000MB/s, Write 5000MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд Samsung Модель 980 PRO Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Тип чипов V-NAND 3bit MLC Скорость чтения 7
- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1.2PB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1.2PB, 3DTLC] Capacitate stocare: 2048 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Бренд: Samsung Модель 990 PRO Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ К
- M.2 NVMe SSD 1.0TB GOODRAM IRDM PRO SLIM, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 7000 MB/s / 5500 MB/s, Random 4K Reads/Writes: 350K IOPS / 700K IOPS, TBW: 700TB, MTBF: 2mln hours, Phison E18 with DRAM Buffer, PM.2 NVMe SSD 1.0TB GOODRAM IRDM PRO SLIM, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 7000 MB/s / 5500 MB/s, Random 4K Reads/Writes: 350K IOPS / 700K IOPS, TBW: 700TB, MTBF: 2mln hours, Phison E18 with DRAM Buffer Объём накопителя: 1000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максима
- 1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Производитель Samsung Интерфейс M.2 PCIe NVMe SSD Объем 1 TB
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 990 PRO, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1200,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 1GB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLCM.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 990 PRO, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1200,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 1GB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLC Общий объем накопителей: 1000 Гб Система хранения данных: M.2 2280 Интерфе
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC] Capacitate stocare: 1000 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: Samsung V-NAND Общий объем накопителей: 1000 Гб Система хранения данных: M.2 2280 Интерфе
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC] Capacitate stocare: 1024 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Бренд: Samsung Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Контроллер PCIe
- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC] Бренд SAMSUNG Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ Контроллер PCIe 4.0 x4 NVMe Тип чипов V-NAND 3bit MLC Скорость чтения 7450 Mб/с Скорость записи 6900 Мб/с IOmeter1400K / 1550K IOPS
- Samsung 980 PRO 2TB SSD M2 Nvme. Gen 4 Samsung 980 PRO 2TB SSD M2 Nvme. Gen 4 Емкость цифрового хранилища 2 ТБ Совместимые устройства Ноутбук, Рабочий стол Интерфейс жесткого диска NVMe Бренд SAMSUNG Ряд 980 ПРО
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 970 PRO [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2700MB/s, 500/500K IOPS, Phoenix, MLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 970 PRO [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2700MB/s, 500/500K IOPS, Phoenix, MLC] Объем накопителя, ГБ 1000 Максимальная скорость записи, Мбайт/с 2700 Максимальная скорость чтения, Мбайт/с 3500
- 2.5" SSD 240GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Read: 520 MB/s, Writes: 400 MB/s, 7mm, Controller Marvell 88NV1120, NAND TLC 3D2.5" SSD 240GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Read: 520 MB/s, Writes: 400 MB/s, 7mm, Controller Marvell 88NV1120, NAND TLC 3D Модель Goodram CL100 gen.3 Основной цвет черный Объем накопителя 240 ГБ Физический интерфейс SATA III Тип чипов памяти TLC 3D NAND NVMe нет Максимальная скорость записи (сжатые данные) 40
- 2.5" SSD 240GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Sequential Reads: 520 MB/s, Sequential Writes: 400 MB/s, Thickness- 7mm, Controller Marvell 88NV1120, 3D NAND TLC2.5" SSD 240GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Sequential Reads: 520 MB/s, Sequential Writes: 400 MB/s, Thickness- 7mm, Controller Marvell 88NV1120, 3D NAND TLC Категория SSD Производитель GOODRAM Форм-фактор 2.5" Емкость накопителя 240 GB Скорость чтения 520 MB/s Скорость записи 400 MB/s Тип ячеек памяти TLC Контролл
- M.2 SATA SSD 512GB Verbatim Vi560 S3, SATA 6Gb/s, M.2 Type 2280 form factor, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 520 MB/s, Max Random 4k: Read: 101,376 IOPS / Write: 80,400 IOPS, Phison Controller, 3D NAND TLCM.2 SATA SSD 512GB Verbatim Vi560 S3, SATA 6Gb/s, M.2 Type 2280 form factor, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 520 MB/s, Max Random 4k: Read: 101,376 IOPS / Write: 80,400 IOPS, Phison Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 512 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC
- 2TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO w/ Heatsink MZ-V9P2T0CW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)2TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO w/ Heatsink MZ-V9P2T0CW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд Samsung Модель MZ-V9P2T0CW Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ Тип чипов V-NAND Скорость чтения 7450 Mб/
- M.2 SATA SSD 256GB Verbatim Vi560 S3, SATA 6Gb/s, M.2 Type 2280 form factor, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Max Random 4k: Read: 102,000 IOPS / Write: 80,000 IOPS, Phison Controller, 3D NAND TLCM.2 SATA SSD 256GB Verbatim Vi560 S3, SATA 6Gb/s, M.2 Type 2280 form factor, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Max Random 4k: Read: 102,000 IOPS / Write: 80,000 IOPS, Phison Controller, 3D NAND TLC Форм-фактор: M.2 2280 Основной интерфейс: интерфейс Serial ATA со скоростью передачи данных 6 Гб
- .mSATA SSD 128GB Transcend "TS128GMSA230S" [R/W:550/400MB/s, 55/70K IOPS, SM2258H, 3D TLC].mSATA SSD 128GB Transcend TS128GMSA230S [R/W:550/400MB/s, 55/70K IOPS, SM2258H, 3D TLC] Объём накопителя, ГБ 128 Максимальная скорость записи, Мбайт/с 400 Максимальная скорость чтения, Мбайт/с 550
- Накопитель SSD 256GB TRANSCEND TS256GMSA230S mSATAНакопитель SSD 256GB TRANSCEND TS256GMSA230S mSATA Производитель TRANSCEND Модель TS256GMSA230S Форм-фактор накопителя mSATA Память накопителя 256 ГБ Контроллер JMicron JMF616 Тип чипов 3D TLC Скорость чтения 550 МБ/с Скорость записи 400 МБ/с IOmeter 55K/70K IOPS Интерфейс накопителя mSATA
- mSATA SSD 1.0TB Kingston KC600, SATAIII,SeqReads:550 MB/s,SeqWrites:500 MB/s, Max Random 4k Read: 90000 IOPS/ Write: 80000 IOPS, 7mm, Controller SM2259, XTS-AES 256-bit encryption, 3D NAND TLCmSATA SSD 1.0TB Kingston KC600, SATAIII,SeqReads:550 MB/s,SeqWrites:500 MB/s, Max Random 4k Read: 90000 IOPS/ Write: 80000 IOPS, 7mm, Controller SM2259, XTS-AES 256-bit encryption, 3D NAND TLC Тип внутренний Назначение для ПК Объем 1000 ГБ Форм-фактор mini-SATA Контроллер Silicon Motion SM2259 Тип памяти 3D TLC NAND
- SYNOLOGY M.2 2280 400Gb Enterprise NVMe solid-state drive SNV3410-400GSYNOLOGY M.2 2280 400Gb Enterprise NVMe solid-state drive SNV3410-400G Бренд SYNOLOGY Модель SNV3410-400G Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 400 Гб Тип чипов 3D NAND QLC Скорость чтения 3000 МБ/с Скорость записи 750 МБ/с IOmeter 255 000 IOPS
- SYNOLOGY M.2 22110 400Gb Enterprise NVMe solid-state drive SNV3510-400GSYNOLOGY M.2 22110 400Gb Enterprise NVMe solid-state drive SNV3510-400G Бренд SYNOLOGY Модель SNV3510-400G Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 400 Гб Контроллер PCIe 3.0 x4 M.2 22110 Тип чипов 3D NAND QLC Скорость чтения 3000 МБ/с Скорость записи 750 МБ/с IOmeter 45000/225000 IOPS


![.M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1.2PB, 3DTLC]](/img/2096098.180.jpg)



![.M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC]](/img/2073361.180.jpg)
![.M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC]](/img/2096107.180.jpg)
![.M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC]](/img/2073362.180.jpg)

![.M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 970 PRO [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2700MB/s, 500/500K IOPS, Phoenix, MLC]](/img/1833024.180.jpg)





![.mSATA SSD 128GB Transcend "TS128GMSA230S" [R/W:550/400MB/s, 55/70K IOPS, SM2258H, 3D TLC]](/img/1857505.180.jpg)










