Uneori producătorii nu furnizează fotografiile mărfurilor în toate culorile. Pentru a evita neînțelegeri, bazați-vă pe denumirea și descrierea mărfurilor, iar dacă aveți dubii, contactați-ne pentru detalii.

2.5" SSD 2.0TB Samsung SSD 860 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 520 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 90,000 IOPS, 7mm, Samsung MJX controller, V-NAND 3bit MLC

Благодаря новейшей технологии Samsung 3D V-NAND, SSD-накопители серии 850 Evo сочетают большой объем и великолепную надежность с непревзойденной скоростью передачи данных и при последовательном, и при случайного доступе к ним.

3D V-NAND

SSD-накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND, в которой ячейки имеют цилиндрическую форму, устраняющую взаимные помехи, а увеличение емкости достигается за счет расположения их в несколько слоев — без ущерба для надежности хранения данных и скорости работы. Чипы памяти в накопителях серии 850 Evo имеют 32 слоя ячеек, расположенных друг над другом. Такая конструкция позволяет создать память, одновременно емкую, быструю и надежную, преодолев все основные недостатки традиционной планарной NAND-архитектуры.

Переключитесь на высшую передачу в режиме RAPID

Подобно переключению на более высокую передачу в автомобиле, программа Samsung Magician позволит вам еще больше увеличить скорость работы SSD, включив режим RAPID. Он использует свободную оперативную память компьютера в качестве интеллектуального кэша — и поэтому особенно эффективен для ПК с большим объемом ОЗУ.

Работает быстрее и дольше

SSD-накопитель серии 850 Evo позволит вашему ноутбуку работать не только быстрее, но и дольше — благодаря высокоэффективному управлению энергопотреблением. В специальном режиме сна DIPM (Device Initiated Link Power Management) SSD-накопитель 850 Evo потребляет всего лишь 2 мВт — в десятки раз меньше, чем типичные SSD-накопители без поддержки DIPM, не говоря уже об обычных жёстких дисках. Кроме того, использование 3D V-NAND и буферной памяти типа LPDDR2 вместо обычно DDR2 или DDR3 позволяет снизить энергопотребление накопителя даже при активной работе.

Объём накопителя, ГБ 2000

Максимальная скорость записи, Мбайт/с 520

Максимальная скорость чтения, Мбайт/с 550