Galaxy Watch 4 Classic 42mm R885 LTE
(12)- 4 GB DDR3 1600 Transcend JetRam DIMM, PC12800 CL11Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 11 Дополнительно Количество чипов каждого моду
- 4GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Apacer PC12800, CL11, 1.35V4GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Apacer PC12800, CL11, 1.35V Оперативная память — одна из неотъемлемых составляющих компьютера. Тактовая частота и пропускная способность характеризуют скоростные характеристики памяти. Чем выше эти показатели, тем лучше, но стоит обратить внимание, что частота памяти должна согласовыват
- 8GB Transcend JM1600KLN-8GK DDR3 PC12800,1600MHz,CL11 8GB DDR3 1600 MHz Transcend JetRam Dual Channel Kit 2x4 GB PC12800 Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 2 модуля по 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL)
- 256 MB SODIMM DDR2-667 Nanya, PC2-5300, CL5, 32x16Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM 200-контактный Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 1 модуль 256 Мб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 5 Дополнительно Количество чипов каждого мод
- 1 GB DIMM DDR2 PC6400, Apacer, CL5, 800 MHz, 64x8Соответствие стандарту JEDEC DDR2 Speed Grade : 800Mbps Небуферизированный DIMM : 240-коннекторов Сборка памяти : x8 FBGA чипы DRAM Интерфейс DDR2: SSTL_18 Латентность CAS: 5-5-5 Ширина шины : 6400Мб/с Напряжение VDD : 1.8+-0.1V Напряжение VDDQ : 1.8+-0.1V Наличие SPD Высота PCB : 1.18 дюймов Соответстви
- 4GB DDR4-3200 SODIMM Samsung,M471A5244CB0-CWE,1.2V - bulk4GB DDR4-3200 SODIMM Samsung, M471A5244CB0-CWE,1.2V - bulk Тип памяти DDR4 Объем 4 GB Тактовая частота 3200 МГц Схема таймингов памяти CL22
- 4GB DDR3L-1600 GOODRAM, PC12800, CL11, Single Rank, 1.35V4GB DDR3L-1600 GOODRAM, PC12800, CL11, Single Rank, 1.35V Модуль оперативной памяти для стационарных ПК, тип памяти DDR3 SDRAM, имеет эффективную пропускную способность 12800 Мбит/с, имеет напряжение питания 1,35 В. Чипы памяти выполнены без радиаторов охлаждения. Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая часто
- .4GB DDR3- 1600MHz Apacer PC12800, CL11, 1.35V.4GB DDR3-1600MHz Apacer PC12800, CL11, 1.35V Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3
- 4GB DDR3-1600 Kingston FURY Beast DDR3, PC12800, CL10, 1Rx8, 1.5V, Auto-overclocking, Asymmetric BLACK heat spreader4GB DDR3-1600 Kingston FURY Beast DDR3, PC12800, CL10, 1Rx8, 1.5V, Auto-overclocking, Asymmetric BLACK heat spreader Назначение для настольных ПК Тип DDR3 Общий объем 4 ГБ Количество планок 1 Частота 1600 МГц Пропускная способность PC12800 Тайминги 10-10-10 Контроль четности (ECC) non-ECC Рабочее напряжение 1.
- 4GB SODIMM DDR4 Samsung M471A5244BB0-CWE PC25600 3200MHz CL22, 1.2V4GB SODIMM DDR4 Samsung M471A5244BB0-CWE PC25600 3200MHz CL22, 1.2V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR4 Объем 4 GB Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность PC19200 Схема таймингов памяти CL22
- .4GB DDR4 - 2666MHz SODIMM Apacer PC21300, CL19, 260pin DIMM 1.2V.4GB DDR4 - 2666MHz SODIMM Apacer PC21300, CL19, 260pin DIMM 1.2V Модули SO-DIMM от Apacer DDR4 соответствуют стандартам JEDEC. Модули SO-DIMM, изготовленные с использованием высококачественных фирменных чипов DRAM и протестированных на 100%, обеспечивают более высокую производительность, высокую стабильность и выс
- .4GB DDR4- 2666MHz Apacer PC21300, CL19, 288pin DIMM 1.2V.4GB DDR4- 2666MHz Apacer PC21300, CL19, 288pin DIMM 1.2V DDR4 сейчас является доминирующим типом памяти для портативных и настольных компьютеров, серверов и рабочих станций. DDR4 рассчитана на работу на более высоких частотах, чем DDR3, и характеризуется меньшим энергопотреблением. Объем 4 GB Тип комплекта Single S
