tag: promo
(12)- 256 MB SODIMM DDR2-667 Nanya, PC2-5300, CL5, 32x16Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM 200-контактный Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 1 модуль 256 Мб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 5 Дополнительно Количество чипов каждого мод
- 1 GB SODIMM Samsung DDR3-1333 PC1066 CL9 originalОбщие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Дополнительно Напряже
- 1 GB SODIMM DDR2-800 Hynix original, PC6400 CL5Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM 200-контактный Тактовая частота 800 МГц Пропускная способность 6400 Мб/с Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Напряжение питания 1.8 В
- 1 GB DIMM DDR2 PC6400, Apacer, CL5, 800 MHz, 64x8Соответствие стандарту JEDEC DDR2 Speed Grade : 800Mbps Небуферизированный DIMM : 240-коннекторов Сборка памяти : x8 FBGA чипы DRAM Интерфейс DDR2: SSTL_18 Латентность CAS: 5-5-5 Ширина шины : 6400Мб/с Напряжение VDD : 1.8+-0.1V Напряжение VDDQ : 1.8+-0.1V Наличие SPD Высота PCB : 1.18 дюймов Соответстви
- 1 GB SODIMM DDR2-667 Kingston, PC2-5300, CL 5Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 5
- .1GB DDR3 1333MHz Hynix Original PC3 10600, CL9Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Напряжение питания 1.5 В
- Transcend 256 MB 44 pin IDE FLASH MODULE (V)Диски Disk On Module со стандартным IDE-интерфейсом подключаются к процессорной плате компьютера и автоматически определяются BIOS. Они совместимы с любой операционной системой, имеют небольшие размеры, отличаются низким энергопотреблением и надежностью (среднее время наработки на отказ составляет 300 000 часов). Кром
- 2 GB DDR3 1333MHz Hynix Original DIMM, PC3 10600, CL9Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 2 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Напряжение питания 1.5 В
- 1GB Transcend JM800QLU-1G DIMM DDR2 PC6400,800MHz,CL5Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 800 МГц Пропускная способность 6400 Мб/с Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 5 Дополнительно Количество чипов каждого модуля
- 4 GB DDR3 1600 Transcend JetRam DIMM, PC12800 CL11Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 11 Дополнительно Количество чипов каждого моду
- 8GB Transcend DDR3 PC3 12800,1600MHz,CL11Модуль оперативной памяти для ПК емкостью 8 ГБ работающий на частоте 1600 МГц. Отличный выбор для не дорогого апгрейда, позволяющий повысить производительность большинства приложений.
- 8GB Transcend JM1600KLN-8GK DDR3 PC12800,1600MHz,CL11 8GB DDR3 1600 MHz Transcend JetRam Dual Channel Kit 2x4 GB PC12800 Тип памяти DDR3 Форм-фактор DIMM 240-контактный Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 12800 Мб/с Объем 2 модуля по 4 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL)
