V 300 65 F41 P4
(20)- 2.5" SSD 500GB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, 7mm, 512MB Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC2.5" SSD 500GB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, 7mm, 512MB Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC Объём накопителя 500 ГБ Тип ячеек памяти MLC V-NAND
- 2.5" SATA SSD 1.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E1T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] 2.5" SATA SSD 1.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E1T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Объём накопителя 1 ТБ Тип ячеек памяти MLC V-NAND
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 990 PRO, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1200,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 1GB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLCM.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 990 PRO, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1200,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 1GB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLC Общий объем накопителей: 1000 Гб Система хранения данных: M.2 2280 Интерфе
- 2.5" SATA SSD 2.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E2T0B [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC]2.5" SATA SSD 2.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E2T0B [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Объём накопителя 2 ТБ Тип ячеек памяти V-NAND MLC
- 2.5" SATA SSD 4.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E4T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] 2.5" SATA SSD 4.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E4T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Тип внутренний Серия 870 EVO Объём памяти 4 TB Тип флеш-памяти V-NAND 3bit MLC Форм-фактор 2.5" Интерфейс SATA 6Gb/s Скорость чтения, макс. 560 Mb/s Скорость записи, макс. 530 Mb/s Наработка на отказ 1.5 млн.часов Габа
- 2.5" SSD 4.0TB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, Thickness - 7mm, 4GB LPDDR4 Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC2.5" SSD 4.0TB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, Thickness - 7mm, 4GB LPDDR4 Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC Объём накопителя 4000 ГБ Тип ячеек памяти V-NAND MLC Максимальная скорость записи,
- 2.5" SSD 128GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 65,000 IOPS / Write: 82,500 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC2.5" SSD 128GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 65,000 IOPS / Write: 82,500 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC Объём накопителя 128 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи 460 МБ/сек Ма
- 2.5" SSD 256GB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 65,000 IOPS / Write: 85,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC2.5" SSD 256GB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 65,000 IOPS / Write: 85,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC Производитель изделия Verbatim Модель 2.5" SSD 256GB Verbatim VI550 S3 Архитектура жесткого диска NAND
- 2.5" SSD 500GB Samsung 870 EVO, SATAIII, Read: 560 MB/s, Write: 530 MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC, MZ-77E500B2.5" SSD 500GB Samsung 870 EVO, SATAIII, Read: 560 MB/s, Write: 530 MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC, MZ-77E500B Общий объем накопителей: 500 Гб Система хранения данных: 2.5"/7 мм Интерфейс накопителя: SATA-3 (6 Гбит/сек) Тип флеш-памяти: MLC (Multi-Level Cell) Макс. скорость чтения: 560 MB/s Макс. скорость пис
- 2.5" SSD 1.0TB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, Thickness - 7mm, 1GB LPDDR4 Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC2.5" SSD 1.0TB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, Thickness - 7mm, 1GB LPDDR4 Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC Объем 1 ТБ Скорость чтения до 560 MБ/сек Скорость записи до 530 MБ/сек Энергопотребле
- BD-ROM Drive Sony NEC BR-5100S, 2xBD-ROM/8xDVD-RW/24xCD-RW, SATA, Black, BulkИспытайте качество Blue-Ray с помощью BR-5100S Добавьте доступный по цене проигрыватель дисков Blue-Ray к вашему компьютеру BR-5100S идеален в качестве проигрывателя контента высокого качества, невероятных картин и звука. На нем можно проигрывать диски Blue-Ray с фильмами (BD-ROM), а также записанные болванки Blue-Ra
- 2.5" SATA SSD 256GB Transcend "SSD230" [R/W:560/520MB/s, 65/85K IOPS, SM2258, 3D NAND TLC, Alu]Transcend SSD230 2.5" SATA SSD 256GB Твердотельный накопитель Transcend SSD230 с интерфейсом SATA III 6 Гбит/с создан на базе самой современной 3D-технологии производства памяти NAND, которая позволяет размещать ячейки памяти в несколько слоев — одна над другой. За счет использования высококачественных микросхем фл
- 2.5" SATA SSD 512GB Transcend "SSD230" [R/W:560/520MB/s, 85/85K IOPS, SM2258, 3D NAND TLC, Alu]Transcend SSD230 2.5 SATA SSD 512GB Твердотельный накопитель Transcend SSD230 с интерфейсом SATA III 6 Гбит/с создан на базе самой современной 3D-технологии производства памяти NAND, которая позволяет размещать ячейки памяти в несколько слоев — одна над другой. За счет использования высококачественных микросхем флэш
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC] Capacitate stocare: 1000 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: Samsung V-NAND Общий объем накопителей: 1000 Гб Система хранения данных: M.2 2280 Интерфе
- 3.5" HDD 1.0TB -SATA-64MB Western Digital "AV-GP (WD10EURX)"3.5" HDD 1.0TB -SATA-64MB Western Digital "AV-GP (WD10EURX)" Надежная круглосуточная работа Эти накопители специально предназначены для надежной круглосуточной работы с потоковой аудио- и видеоинформацией в таких устройствах, как PVR, DVR и средства записи данных видеонаблюдения. Уменьшенное энергопотребление Благо
- 2.5" HDD 100 GB SATA II, 5400 rpm, 8192 k, Fujitsu, 5.56 msОбщие характеристики Линейка MHV2 BH Тип HDD Назначение для ноутбука Форм-фактор HDD 2.5" Характеристики накопителя Объем 100 Гб Объем буферной памяти 8 Мб Скорость вращения 5400 rpm Интерфейс Подключение SATA 1.5Gb/s Внешняя скорость передачи данных 150 Мб/с Временные характеристики Среднее время доступа, ч
- 2.5" SSD 1.0TB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 535 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 71,262 IOPS / Write: 85,241 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC2.5" SSD 1.0TB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 535 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 71,262 IOPS / Write: 85,241 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC Формфактор 2.5" Объем 1 Tб Интерфейс SATA III Скорость чтения 560 МБ/с Скорость записи 535 МБ/с Тип ячее
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC] Capacitate stocare: 1024 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Бренд: Samsung Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Контроллер PCIe
- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC] Бренд SAMSUNG Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ Контроллер PCIe 4.0 x4 NVMe Тип чипов V-NAND 3bit MLC Скорость чтения 7450 Mб/с Скорость записи 6900 Мб/с IOmeter1400K / 1550K IOPS
- .M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1.2PB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1.2PB, 3DTLC] Capacitate stocare: 2048 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Бренд: Samsung Модель 990 PRO Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ К
![2.5" SATA SSD 1.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E1T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC]](/img/1986019.jpg)
![2.5" SATA SSD 2.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E2T0B [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC]](/img/2054747.jpg)
![2.5" SATA SSD 4.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E4T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC]](/img/1991290.jpg)
![2.5" SATA SSD 256GB Transcend "SSD230" [R/W:560/520MB/s, 65/85K IOPS, SM2258, 3D NAND TLC, Alu]](/img/1786949.jpg)
![2.5" SATA SSD 512GB Transcend "SSD230" [R/W:560/520MB/s, 85/85K IOPS, SM2258, 3D NAND TLC, Alu]](/img/1786911.jpg)
![.M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC]](/img/2073361.jpg)
![.M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC]](/img/2096107.jpg)
![.M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1400K/1550K IOPS, 1.2PB, 3DTLC]](/img/2073362.jpg)
![.M.2 NVMe SSD 2.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1.2PB, 3DTLC]](/img/2096098.jpg)
