V 400 75 F42 P4

(34)

Вид:
Aranjează:

485.00 MDL
2.5" SSD 240GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Read: 520 MB/s, Writes: 400 MB/s, 7mm, Controller Marvell 88NV1120, NAND TLC 3D2.5" SSD 240GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Read: 520 MB/s, Writes: 400 MB/s, 7mm, Controller Marvell 88NV1120, NAND TLC 3D Модель Goodram CL100 gen.3 Основной цвет черный Объем накопителя 240 ГБ Физический интерфейс SATA III Тип чипов памяти TLC 3D NAND NVMe нет Максимальная скорость записи (сжатые данные) 40
510.00 MDL
2.5" SSD 240GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Sequential Reads: 520 MB/s, Sequential Writes: 400 MB/s, Thickness- 7mm, Controller Marvell 88NV1120, 3D NAND TLC2.5" SSD 240GB GOODRAM CL100 Gen.3, SATAIII, Sequential Reads: 520 MB/s, Sequential Writes: 400 MB/s, Thickness- 7mm, Controller Marvell 88NV1120, 3D NAND TLC Категория SSD Производитель GOODRAM Форм-фактор 2.5" Емкость накопителя 240 GB Скорость чтения 520 MB/s Скорость записи 400 MB/s Тип ячеек памяти TLC Контролл
1207.00 MDL
2.5" SATA SSD 250GB Samsung 870 EVO MZ-77E250B, [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC]2.5" SATA SSD 250GB Samsung 870 EVO MZ-77E250B [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Capacitate stocare: 250 GB Sistem de stocare a datelor: 2.5" Tip de memorie flash: 3D TLC Viteza maxima de citire: 560 MB/s. Объём накопителя 250 ГБ Тип ячеек памяти V-NAND MLC Максимальная скорость записи, мб/с 5
1257.00 MDL
M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) форм-фактор: 2280, M емкость: 500 ГБ скорость чтения/записи: 3100 МБ/с / 2600 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 3.0 x4 тип флэш-п
1437.00 MDL
2.5" SATA SSD 500GB Samsung 870 EVO MZ-77E500BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] 2.5" SATA SSD 500GB Samsung 870 EVO MZ-77E500BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Объём накопителя 500 ГБ Тип ячеек памяти MLC V-NAND
1962.00 MDL
M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) форм-фактор: 2280, M емкость: 1000 ГБ скорость чтения/записи: 3500 МБ/с / 3000 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 3.0 x4 тип флэш-
2452.00 MDL
2.5" SATA SSD 1.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E1T0B [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC]2.5" SATA SSD 1.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E1T0B [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Capacitate stocare: 1000 GB Sistem de stocare a datelor: 2.5" Interfa?a SSD: SATA-3 (6 Gb/s) Tip de memorie flash: MLC (Multi-Level Cell) Бренд SAMSUNG Модель 870 EVO MZ-77E1T0B Форм-фактор накопителя 2.5" Память
2452.00 MDL
2.5" SATA SSD 1.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E1T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] 2.5" SATA SSD 1.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E1T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Объём накопителя 1 ТБ Тип ячеек памяти MLC V-NAND
2893.00 MDL
M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 990 PRO, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1200,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 1GB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLCM.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung SSD 990 PRO, PCIe4.0 x4 / NVMe2.0, M2 Type 2280 form factor, Seq. Read: 7450 MB/s, Seq. Write: 6900 MB/s, Max Random 4k: Read /Write: 1200,000/1550,000 IOPS, Samsung in-house Controller, 1GB LPDDR4, V-NAND 3-bit MLC Общий объем накопителей: 1000 Гб Система хранения данных: M.2 2280 Интерфе
4008.00 MDL
2.5" SATA SSD 2.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E2T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] 2.5" SATA SSD 2.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E2T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Объём накопителя 2 ТБ Тип ячеек памяти MLC V-NAND
4008.00 MDL
2.5" SATA SSD 2.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E2T0B [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC]2.5" SATA SSD 2.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E2T0B [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Объём накопителя 2 ТБ Тип ячеек памяти V-NAND MLC
7868.00 MDL
2.5" SATA SSD 4.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E4T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] 2.5" SATA SSD 4.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E4T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Тип внутренний Серия 870 EVO Объём памяти 4 TB Тип флеш-памяти V-NAND 3bit MLC Форм-фактор 2.5" Интерфейс SATA 6Gb/s Скорость чтения, макс. 560 Mb/s Скорость записи, макс. 530 Mb/s Наработка на отказ 1.5 млн.часов Габа
818.00 MDL
2.5" SSD 512GB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 535 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,000 IOPS / Write: 86,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC2.5" SSD 512GB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 535 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,000 IOPS / Write: 86,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC Внутренний 7-мм твердотельный накопитель 2,5'' SATA III Высокая надежность за счет превосходного флэш-ко
818.00 MDL
2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,500 IOPS / Write: 76,800 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,500 IOPS / Write: 76,800 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC Объем 512 ГБ Скорость чтения 550 МБ/с Скорость записи 500 МБ/с Энергопотребление В режиме чтения:
995.00 MDL
M.2 SATA SSD 512GB Verbatim Vi560 S3, SATA 6Gb/s, M.2 Type 2280 form factor, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 520 MB/s, Max Random 4k: Read: 101,376 IOPS / Write: 80,400 IOPS, Phison Controller, 3D NAND TLCM.2 SATA SSD 512GB Verbatim Vi560 S3, SATA 6Gb/s, M.2 Type 2280 form factor, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 520 MB/s, Max Random 4k: Read: 101,376 IOPS / Write: 80,400 IOPS, Phison Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 512 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC
1086.00 MDL
2.5" SSD 250GB Samsung 870 EVO V-Nand 3bit MLC, R/W:560 MB/s/530 MB/s MB/s, MZ-77E250B/EU2.5" SSD 250GB Samsung 870 EVO V-Nand 3bit MLC, R/W:560 MB/s/530 MB/s MB/s, MZ-77E250B/EU Объем 250 ГБ Форм-фактор 2.5" Интерфейс подключения SATAIII
1207.00 MDL
2.5" SATA SSD 250GB Samsung 870 EVO MZ-77E250BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] 2.5" SATA SSD 250GB Samsung 870 EVO MZ-77E250BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Объем 250 ГБ Форм-фактор 2,5 дюйма интерфейс подключения SATAIII
1333.00 MDL
2.5" SSD 500GB Samsung 870 EVO, SATAIII, Read: 560 MB/s, Write: 530 MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC, MZ-77E500B2.5" SSD 500GB Samsung 870 EVO, SATAIII, Read: 560 MB/s, Write: 530 MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC, MZ-77E500B Общий объем накопителей: 500 Гб Система хранения данных: 2.5"/7 мм Интерфейс накопителя: SATA-3 (6 Гбит/сек) Тип флеш-памяти: MLC (Multi-Level Cell) Макс. скорость чтения: 560 MB/s Макс. скорость пис
2910.00 MDL
.M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 1200K/1550K IOPS, 600TB, 3DTLC] Capacitate stocare: 1000 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: Samsung V-NAND Общий объем накопителей: 1000 Гб Система хранения данных: M.2 2280 Интерфе
383.00 MDL
2.5" SSD 128GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Read: 550 MB/s, Write: 480 MB/s, 3D NAND TLC SSDPR-CX400-128-G22.5" SSD 128GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Read: 550 MB/s, Write: 480 MB/s, 3D NAND TLC SSDPR-CX400-128-G2 Формфактор 2.5" Объем 128 Гб Интерфейс SATA III Скорость чтения 550 МБ/с Скорость записи 480 МБ/с Тип ячеек памяти 3D V-NAND (TLC) Энергопотребление В режиме чтения: 2.3 Вт, В режиме записи: 4.3 Вт, В режим
485.00 MDL
3.5" HDD 500GB Seagate ST500DM009 Barracuda® Compute, 7200rpm, 32MB, SATAIII, NP3.5" HDD 500GB Seagate ST500DM009 Barracuda® Compute, 7200rpm, 32MB, SATAIII, NP для настольного компьютера объем 500 ГБ форм-фактор 3.5" интерфейс SATA 6Gbit/s скорость вращения 7200 rpm объем буфера 32 МБ скорость записи/чтения: 156/156 МБ/с ШхДхВ: 101.60х146.99х20.17 мм , вес: 400 г
597.00 MDL
M.2 SATA SSD 256GB Verbatim Vi560 S3, SATA 6Gb/s, M.2 Type 2280 form factor, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Max Random 4k: Read: 102,000 IOPS / Write: 80,000 IOPS, Phison Controller, 3D NAND TLCM.2 SATA SSD 256GB Verbatim Vi560 S3, SATA 6Gb/s, M.2 Type 2280 form factor, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Max Random 4k: Read: 102,000 IOPS / Write: 80,000 IOPS, Phison Controller, 3D NAND TLC Форм-фактор: M.2 2280 Основной интерфейс: интерфейс Serial ATA со скоростью передачи данных 6 Гб
693.00 MDL
.mSATA SSD 128GB Transcend "TS128GMSA230S" [R/W:550/400MB/s, 55/70K IOPS, SM2258H, 3D TLC].mSATA SSD 128GB Transcend TS128GMSA230S [R/W:550/400MB/s, 55/70K IOPS, SM2258H, 3D TLC] Объём накопителя, ГБ 128 Максимальная скорость записи, Мбайт/с 400 Максимальная скорость чтения, Мбайт/с 550
878.00 MDL
Накопитель SSD 256GB TRANSCEND TS256GMSA230S mSATAНакопитель SSD 256GB TRANSCEND TS256GMSA230S mSATA Производитель TRANSCEND Модель TS256GMSA230S Форм-фактор накопителя mSATA Память накопителя 256 ГБ Контроллер JMicron JMF616 Тип чипов 3D TLC Скорость чтения 550 МБ/с Скорость записи 400 МБ/с IOmeter 55K/70K IOPS Интерфейс накопителя mSATA
1083.00 MDL
M.2 NVMe SSD 256GB GOODRAM IRDM, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3000 MB/s/ 1000 MB/s, Random 4K Read/Write 149K IOPS/ 250K IOPS, 8-Channel Phison E12 w/DRAM buffer, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 256GB GOODRAM IRDM, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3000 MB/s/ 1000 MB/s, Random 4K Read/Write 149K IOPS/ 250K IOPS, 8-Channel Phison E12 w/DRAM buffer, 3D NAND TLC Формфактор SSD M.2 Объем 256 Гб Интерфейс PCI Express 3.0 x4 Скорость чтения 3000 МБ/с Ск
1295.00 MDL
2.5" SSD 1.0TB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 535 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 71,262 IOPS / Write: 85,241 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC2.5" SSD 1.0TB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 535 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 71,262 IOPS / Write: 85,241 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC Формфактор 2.5" Объем 1 Tб Интерфейс SATA III Скорость чтения 560 МБ/с Скорость записи 535 МБ/с Тип ячее
2875.00 MDL
1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 1.3c M.2 Type 2280 Samsung 980 PRO w/ Heatsink MZ-V8P1T0CW, Read 7000MB/s, Write 5000MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 1.3c M.2 Type 2280 Samsung 980 PRO w/ Heatsink MZ-V8P1T0CW, Read 7000MB/s, Write 5000MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд Samsung Модель 980 PRO Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Тип чипов V-NAND 3bit MLC Скорость чтения 7
3093.00 MDL
.M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 990 PRO w/ Heatsink [PCIe 4.0 x4, R/W:7450/6900MB/s, 600TB, 3DTLC] Capacitate stocare: 1024 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 4.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC Бренд: Samsung Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Контроллер PCIe
3748.00 MDL
Kit - 4TB 7.2K RPM SATA 6Gbps 3.5in Cabled Hard Drive, R430/T430Kit - 4TB 7.2K RPM SATA 6Gbps 3.5in Cabled Hard Drive, R430/T430 Жесткий диск DELL 4TB 7.2K RPM SATA 6Gbps 3.5in Hot-plug Hard Drive, for 13G Servers, CusKit, 400-AEGK Совместимость: Dell PowerEdge R230 Dell PowerEdge R330 Dell PowerEdge R430 Dell PowerEdge R530 Dell PowerEdge R730 Dell PowerEdge R730XD Dell PowerEdg
4136.00 MDL
SYNOLOGY M.2 2280 400Gb Enterprise NVMe solid-state drive SNV3410-400GSYNOLOGY M.2 2280 400Gb Enterprise NVMe solid-state drive SNV3410-400G Бренд SYNOLOGY Модель SNV3410-400G Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 400 Гб Тип чипов 3D NAND QLC Скорость чтения 3000 МБ/с Скорость записи 750 МБ/с IOmeter 255 000 IOPS

Pagina:
1
2

Comenzi la telefon:	Ln-Vn: 9:00 - 19:00; Sm: 9:00 - 15:00
Comenzi online:	24/24

Tel:	0 (22) 852 - 852
Mob:	0 (68) 852 - 852 0 (79) 000 - 852
	dostavka.md
	[email protected]

V 400 75 F42 P4

Despre Internet magazinul nostru

Avantajele dostavka.md

Noutăţi

Participa in tombola noastra de pe facebook si castiga 2 bilete la cinema!

Procurati in credit usor si rapid!

Atentie! Punct nou de preluare a comenzilor in Chisinau.