IR 2535/2545
(5)- 8Gb DDR4-3200 GOODRAM Iridium X, PC25600, CL16, Latency 16-18-18, 1.35V, 1024x8, Aluminium BLACK heatsink8Gb DDR4-3200 GOODRAM Iridium X, PC25600, CL16, Latency 16-18-18, 1.35V, 1024x8, Aluminium BLACK heatsink Объем памяти 8 ГБ Тип DDR4 DIMM 288-pin Тактовая частота 3200 МГц Тайминги 16-20-20 Напряжение питания 1.35 В Пропускная способность PC25600 Особенности радиатор, игровая
- 16GB DDR4-3200 SODIMM GOODRAM IRDM, PC25600, CL16, 16-18-18, 1024x8, 1.35V, Black Aluminium Heatsink16GB DDR4-3200 SODIMM GOODRAM IRDM, PC25600, CL16, 16-18-18, 1024x8, 1.35V, Black Aluminium Heatsink Тип памяти SODIMM DDR4 Объем 16 ГБ Частота памяти 3200 МГц Пропускная способность 25600 Мб/с Проверка и коррекция ошибок Нет Латентность CL 16 Буферизация Нет Напряжение питания 1.35 В
- 16Gb DDR4-3200 GOODRAM Iridium X, PC25600, CL16, Latency 16-18-18, 1.35V, 1024x8, Aluminium BLACK heatsink16Gb DDR4-3200 GOODRAM Iridium X, PC25600, CL16, Latency 16-18-18, 1.35V, 1024x8, Aluminium BLACK heatsink Объем памяти 16 ГБ Тип памяти DDR4 SDRAM Частота памяти 3200 МГц Схема таймингов памяти CL16-18-18 Количество планок 1 Назначение Для настольных ПК
- M.2 NVMe SSD 1.0TB GOODRAM IRDM w/Heatsink, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3200 MB/s/ 3000 MB/s, Random 4K Read/Write 255K IOPS/ 500K IOPS, 8-Channel Phison E12 w/DRAM buffer, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 1.0TB GOODRAM IRDM w/Heatsink, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3200 MB/s/ 3000 MB/s, Random 4K Read/Write 255K IOPS/ 500K IOPS, 8-Channel Phison E12 w/DRAM buffer, 3D NAND TLC Объем 1 ТБ Страна-производитель Китай (Тайвань) Скорость чтения до 3200 МБ/с С
- M.2 NVMe SSD 2.0TB GOODRAM IRDM w/Heatsink, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3200 MB/s/ 3000 MB/s, Random 4K Read/Write 490K IOPS/ 500K IOPS, 8-Channel Phison E12 w/DRAM buffer, TBW 1200, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 2.0TB GOODRAM IRDM w/Heatsink, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3200 MB/s/ 3000 MB/s, Random 4K Read/Write 490K IOPS/ 500K IOPS, 8-Channel Phison E12 w/DRAM buffer, TBW 1200, 3D NAND TLC Объем 2 ТБ Скорость чтения 3200 Скорость записи 3000 Форм-фактор M.2