ATHENA 1
(45)- 1 GB SODIMM Samsung DDR3-1333 PC1066 CL9 originalОбщие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Дополнительно Напряже
- 1 GB SODIMM DDR2-800 Hynix original, PC6400 CL5Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM 200-контактный Тактовая частота 800 МГц Пропускная способность 6400 Мб/с Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Напряжение питания 1.8 В
- 1 GB SODIMM DDR2-667 Kingston, PC2-5300, CL 5Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 5
- 8GB DDR5-4800 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC5-38400, CL40, 1 Rank Single-sided module, On-die ECC, 1.1V8GB DDR5-4800 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC5-38400, CL40, 1 Rank Single-sided module, On-die ECC, 1.1V Бренд PATRIOT Модель PSD58G480041S Тип памяти DDR5 Стандарт памяти PC5-38400 Форм-фактор памяти SO-DIMM Количество модулей в комплекте 1 Объем памяти 8 ГБ Частота функционирования памяти 4800 MГц CAS-латентность
- 4GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.5V4GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.5V Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти
- 4GB DDR3L-1600 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.35V4GB DDR3L-1600 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.35V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR3 Объем 4 GB Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 11 Схема таймингов памяти CL11
- 8GB DDR4-3200 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC25600, CL22, 1 Rank, Single-sided module, 1.2V8GB DDR4-3200 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC25600, CL22, 1 Rank, Single-sided module, 1.2V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR4 Объем 8 GB Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 мб/c Схема таймингов памяти CL22
- 8GB DDR4-2666 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC21300, CL19, 1 Rank, Single-sided module, 1.2V8GB DDR4-2666 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC21300, CL19, 1 Rank, Single-sided module, 1.2V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR4 Объем 8 GB Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 мб/с Схема таймингов памяти CL19
- 16GB DDR4-3200 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC25600, CL22, 1 Rank, Single-sided module, 1.2V16GB DDR4-3200 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC25600, CL22, 1 Rank, Single-sided module, 1.2V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR4 Объем 16 GB Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 мб/с Схема таймингов памяти CL22
- 16GB DDR4-2666 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC21300, CL19, 1 Rank, Single-sided module, 1.2V16GB DDR4-2666 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC21300, CL19, 1 Rank, Single-sided module, 1.2V Тип памяти DDR4 Объем 16 GB Тактовая частота 2666 МГц Пропускная способность 21300 МБ/с Схема таймингов памяти CL19
- 256 MB SODIMM DDR2-667 Nanya, PC2-5300, CL5, 32x16Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM 200-контактный Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 1 модуль 256 Мб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 5 Дополнительно Количество чипов каждого мод
- 4GB Transcend SODIMM DDR3 PC12800,204pin,1600MHz,CL114GB Transcend DDR3 1600MHz SODIMM 204pin PC12800, CL11, 1.35v 1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1066 МГц Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1066 МГц Пропускная способность 8500 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Под
- 4GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Kingston FURY Impact (KF316LS9IB/4), CL9-9-9, 1.35V, Black4GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Kingston FURY Impact (KF316LS9IB/4), CL9-9-9, 1.35V, Black Производитель: Kingston назначение: для ноутбуков Объем, ГБ: 4 Количество планок в комплекте: 1 стандарт: PC3-12800 Штатные тайминги: CL9 Рабочее напряжение, В: 1,35 радиаторы: нет
- 8GB DDR4-2666 SODIMM Kingston FURY® Impact, PC21300, CL15, 1.2V8GB DDR4-2666 SODIMM Kingston FURY® Impact, PC21300, CL15, 1.2V Назначение для ноутбуков (SO-DIMM) Оперативная память (тип) DDR4 - 2666 МГц Оперативная память (объем) 8 Гб Количество планок в комплекте, шт 1 Частота работы шины памяти, МГц 2666 Пропускная способность шины, Мб/сек PC4-21300 Количество контактов 260-р
- 16GB DDR5-5600MHz SODIMM Transcend JetRam, PC5-44800U, 1Rx8, CL46, 1.1V16GB DDR5-5600MHz SODIMM Transcend JetRam, PC5-44800U, 1Rx8, CL46, 1.1V Capacitatea Memoriei (Total): 16GB Tip Memorie: DDR5 SDRAM Frecven?a memorie: 5600 MHz Viteza de memorie nominala: PC5-44800 Laten?a CAS: CL46 Tensiune RAM: 1.1V Емкость памяти (общая): 16 ГБ Тип памяти: DDR5 SDRAM Частота памяти: 56
- 4GB SODIMM DDR4 Hynix 4GB HMA851S6DJR6N-XN PC4-25600 3200MHz CL22, 1.2V4GB SODIMM DDR4 Hynix 4GB HMA851S6DJR6N-XN PC4-25600 3200MHz CL22, 1.2V Объем памяти 4 ГБ Частота памяти 3200 МГц Тип памяти DDR4 SDRAM Схема таймингов памяти CL22 Назначение Для ноутбуков Количество планок 1
- 8GB DDR4-3200 SODIMM GOODRAM, PC25600, CL22, 1024x8, 1.2V8GB DDR4-3200 SODIMM GOODRAM, PC25600, CL22, 1024x8, 1.2V Объем памяти 8 ГБ Тип памяти SODIMM DDR4 Частота памяти 3200 МГц Схема таймингов памяти CL22 Количество планок 1 Назначение Для ноутбуков
- .8GB DDR4-2666MHz SODIMM Kingston FURY Impact (KF426S15IB/8), CL15-17-17, 1.2V, Intel XMP, Black.8GB DDR4-2666MHz SODIMM Kingston FURY Impact (KF426S15IB/8), CL15-17-17, 1.2V, Intel XMP, Black Объем памяти 8 ГБ Тип памяти SODIMM DDR4 Частота памяти 2666 МГц Схема таймингов памяти CL15-17-17 Количество планок 1 Назначение Для ноутбуков
- .8GB DDR4-3200MHz SODIMM Kingston FURY Impact (KF432S20IB/8), CL20-22-22, 1.2V, Intel XMP, Black.8GB DDR4-3200MHz SODIMM Kingston FURY Impact (KF432S20IB/8), CL20-22-22, 1.2V, Intel XMP, Black Объем памяти 8 ГБ Тип памяти SODIMM DDR4 Частота памяти 3200 МГц Схема таймингов памяти CL20-22-22 Количество планок 1 Назначение Для ноутбуков
- 8GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V8GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V Производитель GOODRAM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1600 МГц Объем 1 модуль 8 Гб Напряжение питания 1.35V Поддержка ECC есть CAS Latency (CL) 11
- 8GB DDR4-3200 SODIMM Kingston FURY® Impact, PC25600, CL20, 1.2V8GB DDR4-3200 SODIMM Kingston FURY® Impact, PC25600, CL20, 1.2V Назначение для настольных ПК Тип DDR4 Общий объем 8 ГБ Количество планок 1 Частота 3200 МГц Пропускная способность PC4-25600 Тайминги 20-22-22 Подсветка нет Контроль четности (ECC) non-ECC Рабочее напряжение 1.2 B Производитель Kingston
- Goodram DDR3L SODIMM 1600, PC12800, CL11, 1.35V 1X8GBGoodram DDR3L SODIMM 1600, PC12800, CL11, 1.35V 1X8GB Объем памяти 8 ГБ Частота памяти 1600 МГц Количество планок 1
- 8GB DDR5-4800 SODIMM SK Hynix, PC5-38400, CL40, 1Rx16, 1.1V, Bulk (HMCG66MEBSA092N BA)8GB DDR5-4800 SODIMM SK Hynix, PC5-38400, CL40, 1Rx16, 1.1V, Bulk (HMCG66MEBSA092N BA) Бренд HYNIX Модель HMCG66MEBSA092N BA Тип памяти DDR4 Стандарт памяти PC5-38400 Форм-фактор памяти SO-DIMM Количество модулей в комплекте 1 Объем памяти 8 ГБ Частота функционирования памяти 4800 MГц CAS-латентность CL40 Напряжение
- 8GB DDR5-4800 SODIMM SK Hynix, PC5-38400, CL40, 1Rx16, 1.1V, Bulk (HMCG66MEBSA095N BA)8GB DDR5-4800 SODIMM SK Hynix, PC5-38400, CL40, 1Rx16, 1.1V, Bulk (HMCG66MEBSA095N BA) Бренд HYNIX Модель HMCG66MEBSA095N BA Тип памяти DDR5 Стандарт памяти PC5-38400 Форм-фактор памяти SO-DIMM Количество модулей в комплекте 1 Объем памяти 8 ГБ Частота функционирования памяти 4800 MГц CAS-латентность CL40 Напряжение
- 8GB DDR5-4800 SODIMM GOODRAM, PC5-38400, CL40, 1024x16, 1.1V8GB DDR5-4800 SODIMM GOODRAM, PC5-38400, CL40, 1024x16, 1.1V Бренд GOODRAM Модель GR4800S564L40S/8G Тип памяти DDR5 Стандарт памяти PC5-38400 Форм-фактор памяти SO-DIMM Количество модулей в комплекте 1 Объем памяти 8 ГБ Частота функционирования памяти 4800 MГц CAS-латентность CL40 Напряжение питания 1.1 В
- 8GB SODIMM DDR5 Hynix HMCG66MEBSA095N PC5-38400 4800MHz CL40, 1.1V8GB SODIMM DDR5 Hynix HMCG66MEBSA095N PC5-38400 4800MHz CL40, 1.1V Тип DDR5 Общий объем 8 ГБ Количество планок 1 Частота 4800 МГц Пропускная способность PC5-38400 Тайминги? 40 Контроль четности (ECC) non-ECC Рабочее напряжение 1.1 B Ранг памяти одноранговая Производитель Hynix
- 8GB SODIMM DDR5-4800 Kingston ValueRAM, PC5-4800, CL40, 1Rx16, 1.1V8GB SODIMM DDR5-4800 Kingston ValueRAM, PC5-4800, CL40, 1Rx16, 1.1V Модель ValueRAM Назначение Для ноутбуков Объем памяти 8 ГБ Тип памяти DDR5 SODIMM Количество планок 1 Частота памяти 4800 МГц Радиаторы на планках Нет Схема таймингов памяти CL40 Эффективная пропускная способность 38400 МБ/с Напряжение питания 1.1 В
- 16GB DDR4-2666MHz SODIMM Kingston FURY Impact (KF426S15IB1/16), CL15-17-17, 1.2V, Intel XMP, Black16GB DDR4-2666MHz SODIMM Kingston FURY Impact (KF426S15IB1/16), CL15-17-17, 1.2V, Intel XMP, Black Объем памяти: 16 ГБ Тип памяти: SODIMM DDR4 Частота памяти: 2666 МГц Схема таймингов памяти: CL15-17-17 Количество планок: 1 Назначение: Для ноутбуков
- 16GB DDR4-2666 SODIMM GOODRAM, PC21300, CL19, Single Rank, 2048x8, 1.2V16GB DDR4-2666 SODIMM GOODRAM, PC21300, CL19, Single Rank, 2048x8, 1.2V Назначение Для ноутбуков Объем памяти 16 ГБ Тип памяти DDR4 SODIMM Количество планок 1 планка Частота памяти 2666 МГц Радиаторы на планках Нет Схема таймингов памяти CL19 Эффективная пропускная способность 21300 МБ/с Напряжение питания 1.2 В Про
- 16GB DDR4-3200 SODIMM GOODRAM, PC25600, CL22, 1024x8, 1.2V16GB DDR4-3200 SODIMM GOODRAM, PC25600, CL22, 1024x8, 1.2V Объем памяти 16 ГБ Тип памяти SODIMM DDR4 Частота памяти 3200 МГц Схема таймингов памяти CL22 Количество планок 1 Назначение Для ноутбуков
