GeForce GT730 Zone Edition 4GB DDR3
(21)- 4GB Transcend SODIMM DDR3 PC12800,204pin,1600MHz,CL114GB Transcend DDR3 1600MHz SODIMM 204pin PC12800, CL11, 1.35v 1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1066 МГц Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1066 МГц Пропускная способность 8500 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Под
- 4GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL114GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11 DDR3 сейчас является доминирующим типом памяти для настольных компьютеров, серверов и рабочих станций. DDR3 рассчитана на работу на более высоких частотах, чем DDR, и характеризуется меньшим энергопотреблением. Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600
- 4GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.5V4GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.5V Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти
- 4GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Apacer PC12800, CL11, 1.35V4GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Apacer PC12800, CL11, 1.35V Оперативная память — одна из неотъемлемых составляющих компьютера. Тактовая частота и пропускная способность характеризуют скоростные характеристики памяти. Чем выше эти показатели, тем лучше, но стоит обратить внимание, что частота памяти должна согласовыват
- 4GB SODIMM DDR4 Hynix 4GB HMA851S6DJR6N-XN PC4-25600 3200MHz CL22, 1.2V4GB SODIMM DDR4 Hynix 4GB HMA851S6DJR6N-XN PC4-25600 3200MHz CL22, 1.2V Объем памяти 4 ГБ Частота памяти 3200 МГц Тип памяти DDR4 SDRAM Схема таймингов памяти CL22 Назначение Для ноутбуков Количество планок 1
- 4GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Kingston FURY Impact (KF316LS9IB/4), CL9-9-9, 1.35V, Black4GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Kingston FURY Impact (KF316LS9IB/4), CL9-9-9, 1.35V, Black Производитель: Kingston назначение: для ноутбуков Объем, ГБ: 4 Количество планок в комплекте: 1 стандарт: PC3-12800 Штатные тайминги: CL9 Рабочее напряжение, В: 1,35 радиаторы: нет
- 8GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL118GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11 Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3
- 8GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V8GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V Производитель GOODRAM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1600 МГц Объем 1 модуль 8 Гб Напряжение питания 1.35V Поддержка ECC есть CAS Latency (CL) 11
- 8GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Apacer PC12800, CL11, 1.35V8GB DDR3 1600MHz SODIMM 204pin Apacer PC12800, CL11, 1.35V Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3
- 4GB SODIMM DDR4 Team T-Force Vulcan TLRD44G2666HC18F-S01 PC4-21300 2666MHz CL18, 1.2V4GB SODIMM DDR4 Team T-Force Vulcan TLRD44G2666HC18F-S01 PC4-21300 2666MHz CL18, 1.2V Марка Team Серии T-Force Vulcan Модель TLRD44G2666HC18F-S01 Вместимость 4GB Тип DDR4 SO-DIMM Скорость DDR4 2666 (PC4 21300) CAS Latency 18 Тайминг 18-18-18-38 Напряжение 1.2V
- 4GB DDR3L-1600 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.35V4GB DDR3L-1600 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.35V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR3 Объем 4 GB Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 11 Схема таймингов памяти CL11
- 8GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 2 Rank, Double-sided module, 1.5V8GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 2 Rank, Double-sided module, 1.5V Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти
- 1 GB SODIMM Samsung DDR3-1333 PC1066 CL9 originalОбщие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Дополнительно Напряже
- .4GB DDR4- 3200MHz SODIMM Transcend JetRam, PC25600S, 1Rx8, CL22, 260pin DIMM 1.2V.4GB DDR4-3200MHz SODIMM Transcend JetRam, PC25600S, 1Rx8, CL22, 260pin DIMM 1.2V
- .4GB DDR4 - 2666MHz SODIMM Apacer PC21300, CL19, 260pin DIMM 1.2V.4GB DDR4 - 2666MHz SODIMM Apacer PC21300, CL19, 260pin DIMM 1.2V Модули SO-DIMM от Apacer DDR4 соответствуют стандартам JEDEC. Модули SO-DIMM, изготовленные с использованием высококачественных фирменных чипов DRAM и протестированных на 100%, обеспечивают более высокую производительность, высокую стабильность и выс
- 4GB SODIMM DDR4 Samsung M471A5244BB0-CWE PC25600 3200MHz CL22, 1.2V4GB SODIMM DDR4 Samsung M471A5244BB0-CWE PC25600 3200MHz CL22, 1.2V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR4 Объем 4 GB Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность PC19200 Схема таймингов памяти CL22
- 4GB DDR4-3200 SODIMM Samsung,M471A5244CB0-CWE,1.2V - bulk4GB DDR4-3200 SODIMM Samsung, M471A5244CB0-CWE,1.2V - bulk Тип памяти DDR4 Объем 4 GB Тактовая частота 3200 МГц Схема таймингов памяти CL22
- 4GB DDR4-3200 SODIMM Hynix Original, PC21300, CL19, 1.2V HMA851S6DJR6N-XN - bulk4GB DDR4-3200 SODIMM Hynix Original, PC21300, CL19, 1.2V HMA851S6DJR6N-XN - bulk Тип памяти DDR4 Объем 4 GB Тактовая частота 3200 МГц Схема таймингов памяти CL19
- 8GB (Kit of 2*4GB) DDR3L-1866 SODIMM Kingston FURY Impact, (Dual Channel Kit), PC12800, CL11, 1Rx8, 1.35V or 1.5V w/Heatsink8GB (Kit of 2*4GB) DDR3L-1866 SODIMM Kingston FURY Impact, (Dual Channel Kit), PC12800, CL11, 1Rx8, 1.35V or 1.5V w/Heatsink Бренд KINGSTON Модель KF318LS11IBK2/8 Тип памяти DDR3L Стандарт памяти PC12800 Форм-фактор памяти SO-DIMM Количество модулей в комплекте 2 Объем памяти 8ГБ (2x4ГБ) Частота функционирования пам
- 8GB DDR3L-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 2 Rank, Double-sided module, 1.35V8GB DDR3L-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 2 Rank, Double-sided module, 1.35V Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памя
