GT1030 2GB GDDR5 Silent Low Profile
(11)- 2GB DDR2-800 SODIMM Patriot Signature Line, PC6400, CL5, 2 Rank, Double-Sided module, 1.8V2GB DDR2-800 SODIMM Patriot Signature Line, PC6400, CL5, 2 Rank, Double-Sided module, 1.8V Объем 2 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 800 МГц CAS Latency (CL), нс 6 Тип памяти DDR2 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти CL6
- 32GB DDR5-4800 SODIMM Kingston FURY® Impact DDR5, PC38400, CL38, 2Rx8, 1.1V, Intel XMP 3.0 (Extreme Memory Profiles)32GB DDR5-4800 SODIMM Kingston FURY® Impact DDR5, PC38400, CL38, 2Rx8, 1.1V, Intel XMP 3.0 (Extreme Memory Profiles) Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR5 Объем 32 GB Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 мб/с Схема таймингов памяти CL38
- 64GB (Kit of 2*32GB) DDR5-4800 SODIMM Kingston FURY® Impact DDR5, PC38400, CL38, 2Rx8, 1.1V, Intel XMP 3.0 (Extreme Memory Profiles)64GB (Kit of 2*32GB) DDR5-4800 SODIMM Kingston FURY® Impact DDR5, PC38400, CL38, 2Rx8, 1.1V, Intel XMP 3.0 (Extreme Memory Profiles) Тип комплекта Kit of 2x32GB Тип памяти DDR5 Объем 64 GB Тактовая частота 4800 МГц Пропускная способность 38400 мб/с Схема таймингов памяти CL38
- 64GB (Kit of 2*32GB) DDR5-5600 SODIMM Kingston FURY® Impact DDR5, PC44800, CL40, 2Rx8, 1.1V, Intel XMP 3.0 (Extreme Memory Profiles)64GB (Kit of 2*32GB) DDR5-5600 SODIMM Kingston FURY® Impact DDR5, PC44800, CL40, 2Rx8, 1.1V, Intel XMP 3.0 (Extreme Memory Profiles) Бренд KINGSTON Модель KF556S40IBK2-64 Тип памяти DDR5 Стандарт памяти PC44800 Форм-фактор памяти SO-DIMM Количество модулей в комплекте 2 Объем памяти 64ГБ (2x32ГБ) Частота функциониров
- 64GB (Kit of 2*32GB) DDR4-3200 SODIMM Kingston FURY® Impact, PC25600, CL20, 2Rx8, 1.2V Intel® XMP 2.0 (Extreme Memory Profiles)64GB (Kit of 2*32GB) DDR4-3200 SODIMM Kingston FURY® Impact, PC25600, CL20, 2Rx8, 1.2V Intel® XMP 2.0 (Extreme Memory Profiles) Тип комплекта Kit of 2x32GB Тип памяти DDR4 Объем 64 GB Тактовая частота 3200 МГц Пропускная способность 25600 мб/с Схема таймингов памяти CL20
- 4GB Transcend SODIMM DDR3 PC12800,204pin,1600MHz,CL114GB Transcend DDR3 1600MHz SODIMM 204pin PC12800, CL11, 1.35v 1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1066 МГц Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1066 МГц Пропускная способность 8500 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Под
- 256 MB SODIMM DDR2-667 Nanya, PC2-5300, CL5, 32x16Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM 200-контактный Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 1 модуль 256 Мб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 5 Дополнительно Количество чипов каждого мод
- 1 GB SODIMM Samsung DDR3-1333 PC1066 CL9 originalОбщие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Дополнительно Напряже
- 1 GB SODIMM DDR2-800 Hynix original, PC6400 CL5Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM 200-контактный Тактовая частота 800 МГц Пропускная способность 6400 Мб/с Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Напряжение питания 1.8 В
- 1 GB SODIMM DDR2-667 Kingston, PC2-5300, CL 5Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 5
