8 мл
(8)- M.2 NVMe SSD 256GB GOODRAM IRDM, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3000 MB/s/ 1000 MB/s, Random 4K Read/Write 149K IOPS/ 250K IOPS, 8-Channel Phison E12 w/DRAM buffer, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 256GB GOODRAM IRDM, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 3000 MB/s/ 1000 MB/s, Random 4K Read/Write 149K IOPS/ 250K IOPS, 8-Channel Phison E12 w/DRAM buffer, 3D NAND TLC Формфактор SSD M.2 Объем 256 Гб Интерфейс PCI Express 3.0 x4 Скорость чтения 3000 МБ/с Ск
- Intel Optane M.2 Type 2280 16GB PCIe 3.0 x2 with NVMe Memory Module MEMPEK1J016GAHIntel Optane M.2 Type 2280 16GB PCIe 3.0 x2 with NVMe Memory Module MEMPEK1J016GAH Сопряжение с жестким диском SATA для приемлемого увеличения скорости отклика без ущерба для емкости хранилища Используется с процессорами Intel Core 7-го и 8-го поколений, а также с материнской платой Optane Ready и жестким диском SATA
- .M.2 SATA SSD 120GB Transcend "TS120GMTS420" [42mm, R/W:560/500MB/s, 84K IOPS, SM2258, 3D TLC]Transcend TS120GMTS420 .M.2 SATA SSD 120GB Тип SSD Поддержка секторов размером 4 Кб есть Тип флэш-памяти TLC 3D NAND Назначение для ноутбука и настольного компьютера Форм-фактор 2242 Объем 120 Гб Скорость записи/Скорость чтения 500/560 Мб/с Скорость случайной записи (блоки по 4Кб) 85000 IOPS Разъем M.2 да Подключен
- .M.2 NVMe SSD 128GB Transcend 110S [PCIe 3.0 x4, R/W:1800/1500MB/s, 180/150K IOPS, SM2263, 3DTLC].M.2 NVMe SSD 128GB Transcend 110S [PCIe 3.0 x4, R/W:1800/1500MB/s, 180/150K IOPS, SM2263, 3DTLC] Форм-фактор: M.2 2280 Ёмкость: 128 ГБ Тип ячеек памяти: 3D NAND TLC Интерфейс передачи данных: PCI Express NVMe Версия PCI Express: 3.0 x4 Версия NVMe: 1.3 Скорость чтения, до: 1800 МБ/с Скорость записи, до: 1500 МБ/с
- M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) форм-фактор: 2280, M емкость: 500 ГБ скорость чтения/записи: 3100 МБ/с / 2600 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 3.0 x4 тип флэш-п
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) форм-фактор: 2280, M емкость: 1000 ГБ скорость чтения/записи: 3500 МБ/с / 3000 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 3.0 x4 тип флэш-
- 2.0TB (USB3.2/Type-C) Samsung Portable SSD T7 Touch, FP ID, Black (85x57x8mm, 58g, R/W:1050MB/s) 2.0TB (USB3.2/Type-C) Samsung Portable SSD T7 Touch, FP ID, Black (85x57x8mm, 58g, R/W:1050MB/s) Бренд SAMSUNG Модель Portable SSD T7 Touch Black Форм-фактор накопителя Портативный Память накопителя 2.0 ТБ Тип накопителя SSD Скорость чтения 1050 МБ/с Размеры 85 x 57 x 8 мм Интерфейсы USB3.2/Type-C Вес 58г
- 2.5" SATA SSD 8.0TB Samsung 870 QVO MZ-77Q8T0BW [R/W:560/530MB/s, 98/88K IOPS, MJX, 4bit MLC] 2.5" SATA SSD 8.0TB Samsung 870 QVO MZ-77Q8T0BW [R/W:560/530MB/s, 98/88K IOPS, MJX, 4bit MLC] Емкость накопителя 8 ТБ Тип памяти VNAND Материал корпуса Металл Форм-фактор 2,5" Интерфейс SATA 3 Максимальная скорость чтения 560 Мб/сек
![.M.2 SATA SSD 120GB Transcend "TS120GMTS420" [42mm, R/W:560/500MB/s, 84K IOPS, SM2258, 3D TLC]](/img/1793941.jpg)
![.M.2 NVMe SSD 128GB Transcend 110S [PCIe 3.0 x4, R/W:1800/1500MB/s, 180/150K IOPS, SM2263, 3DTLC]](/img/1857510.jpg)
![2.5" SATA SSD 8.0TB Samsung 870 QVO MZ-77Q8T0BW [R/W:560/530MB/s, 98/88K IOPS, MJX, 4bit MLC]](/img/1989244.jpg)
