EE2-U2S-5
(36)- 2,5" SSD 128GB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 450MB/s, Sequential Write: 350MB/s, 4K Random Read: 30K IOPS, 4K Random Write: 30K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 60TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 128GB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 450MB/s, Sequential Write: 350MB/s, 4K Random Read: 30K IOPS, 4K Random Write: 30K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 60TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 128 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 450 Максимальная с
- 2,5" SSD 128GB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 480MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 60TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 128GB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 480MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 60TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 128 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 480 Максимальная с
- 2,5" SSD 256GB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 490MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 120TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 256GB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 490MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 120TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 256 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 490 Максимальная
- 2,5" SSD 256GB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 500MB/s, Sequential Write: 400MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 30K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 120TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 256GB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 500MB/s, Sequential Write: 400MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 30K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 120TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 256 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 5546 Максимальная
- 2,5" SSD 512GB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 520MB/s, Sequential Write: 430MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 240TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 512GB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 520MB/s, Sequential Write: 430MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 240TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 512 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 430 Максимальная
- 2,5" SSD 512GB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 500MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 240TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 512GB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 500MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 240TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 512 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 500 Максимальная
- 2,5" SSD 1.0TB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 520MB/s, Sequential Write: 430MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 480TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 1.0TB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 520MB/s, Sequential Write: 430MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 480TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 1000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 430 Максимальная
- 2,5" SSD 1.0TB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 500MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 480TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 1.0TB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 500MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 480TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 1000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 500 Максимальная
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Patriot P400 Lite, w/Graphene Heatshield, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3500 MB/s, Sequential Write 2700 MB/s, Random Read 340K IOPS, Random Write 540K IOPS, EtE data path protection, TBW: 5M.2 NVMe SSD 1.0TB Patriot P400 Lite, w/Graphene Heatshield, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3500 MB/s, Sequential Write 2700 MB/s, Random Read 340K IOPS, Random Write 540K IOPS, EtE data path protection, TBW: 5 Объём накопителя 1000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Макси
- 2,5" SSD 2.0TB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 520MB/s, Sequential Write: 430MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 960TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 2.0TB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 520MB/s, Sequential Write: 430MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 960TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 2000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 430 Максимальная
- 2,5" SSD 2.0TB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 500MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 960TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 2.0TB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 500MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 960TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя: 2000 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 500 Максимальна
- M.2 SATA SSD 256GB Verbatim Vi560 S3, SATA 6Gb/s, M.2 Type 2280 form factor, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Max Random 4k: Read: 102,000 IOPS / Write: 80,000 IOPS, Phison Controller, 3D NAND TLCM.2 SATA SSD 256GB Verbatim Vi560 S3, SATA 6Gb/s, M.2 Type 2280 form factor, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Max Random 4k: Read: 102,000 IOPS / Write: 80,000 IOPS, Phison Controller, 3D NAND TLC Форм-фактор: M.2 2280 Основной интерфейс: интерфейс Serial ATA со скоростью передачи данных 6 Гб
- .M.2 SATA SSD 256GB Transcend TS256GMTS430S.M.2 SATA SSD 256GB Transcend TS256GMTS430S [42mm, R/W:530/400MB/s, 45K/70K IOPS, SM2258, 3DTLC] Volum 256 GB Viteza de citire 500 MB / s (SATA 6 GB / s) Viteza de inregistrare 410 MB / s Consumul de energie 3,3V ± 5% Factorul de forma M.2 MTBF 1.500.000 h Interfata SATAIII Tipul de celule de memorie 3D NAND (TLC)
- 2.5" SATA SSD 500GB Transcend SSD220Q2.5" SATA SSD 500GB Transcend SSD220Q [R/W:550/500MB/s, 57K/59K IOPS, SM2259XT, 3D-NAND QLC] Бренд TRANSCEND Модель SSD220Q Форм-фактор накопителя 2,5" Память накопителя 500 ГБ Тип чипов 3D-NAND QLC Скорость чтения 550 МБ/с Скорость записи 500 MБ/с IOmeter 57K/59K IOPS Интерфейс накопителя SATA III (6ГБ/с) Brand T
- M.2 NVMe SSD 1.0TB Verbatim Vi3000, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3300 MB/s, Sequential Write 3300 MB/s, Random Read 150K IOPS, Random Write 100K IOPS, Phison E13T, TBW: 750TB, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 1.0TB Verbatim Vi3000, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe 1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3300 MB/s, Sequential Write 3300 MB/s, Random Read 150K IOPS, Random Write 100K IOPS, Phison E13T, TBW: 750TB, 3D NAND TLC Форм-фактор: M.2 Основной интерфейс: PCI Express 3-го поколения, X4 линии на один п
- Fujitsu SSD SATA 6G 480GB Mixed-Use 3.5' H-P EPFujitsu SSD SATA 6G 480GB Mixed-Use 3.5' H-P EP Модель S26361-F5732-L480 Жесткий диск SATA 6 гбит / с, 480 ГБ 3,5 дюйма Тип диска SSD Форм-фактор диска 3,5" (LFF) Тип привода Внутренний Емкость накопителя 480 ГБ Интерфейс жесткого диска SATA
- Dell 480GB SSD SATA Mix used 6Gbps 512e 2.5in Hot plug, 3.5in HYB CARR Drive,S4610 CKDell 480GB SSD SATA Mix used 6Gbps 512e 2.5in Hot plug, 3.5in HYB CARR Drive,S4610 CK емкость: 480GB Тип жесткого диска: 2,5-дюймовый накопитель с возможностью горячей замены в 3,5 HYB CARR скорость: SSD совместимость R440; R540; R640; R6415; R740; R740XD; R7415; R7425
- 2.5" SSD 128GB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 430 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 61,000 IOPS / Write: 81,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC2.5" SSD 128GB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 430 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 61,000 IOPS / Write: 81,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC Производитель изделия Verbatim Модель 2.5" SSD 128GB Verbatim VI550 S3 Формат жесткого диска 2,5 Интерф
- 2.5" SSD 256GB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 65,000 IOPS / Write: 85,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC2.5" SSD 256GB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 460 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 65,000 IOPS / Write: 85,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC Производитель изделия Verbatim Модель 2.5" SSD 256GB Verbatim VI550 S3 Архитектура жесткого диска NAND
- 2.5" SSD 256GB GOODRAM IRDM PRO GEN.2, SATAIII, Sequential Reads: 555 MB/s, Sequential Writes: 535 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 96,000 IOPS / Write: 81,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller 8Channel Phison PS3112-S12, DRAM DDR3L cache, 3D NAND TLC2.5" SSD 256GB GOODRAM IRDM PRO GEN.2, SATAIII, Sequential Reads: 555 MB/s, Sequential Writes: 535 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 96,000 IOPS / Write: 81,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller 8Channel Phison PS3112-S12, DRAM DDR3L cache, 3D NAND TLC Модель IRDM PRO GEN.2 IRP-SSDPR-S25C-256 Форм-фактор накопителя 2,5"
- SSD Kingston SKC600/256GSSD Kingston SKC600/256G Твердотельный накопитель SKC600, входящий в линейку Kingston KC600 — высокопроизводительный SATA Rev. 3.0 SSD, построенный на новом контроллере SMI 2259 и 3D TLC флеш-памяти, позволяющий пользователям эффективно работать с ПК или ноутбуком, ведь скорость обмена данными у SKC600 может достигат
- 2.5" SSD 512GB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 535 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,000 IOPS / Write: 86,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC2.5" SSD 512GB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 535 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,000 IOPS / Write: 86,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC Внутренний 7-мм твердотельный накопитель 2,5'' SATA III Высокая надежность за счет превосходного флэш-ко
- 2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,500 IOPS / Write: 76,800 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,500 IOPS / Write: 76,800 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC Объем 512 ГБ Скорость чтения 550 МБ/с Скорость записи 500 МБ/с Энергопотребление В режиме чтения:
- .M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 970 EVO Plus [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2300MB/s, 250/550K IOPS, Phx, TLC].M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 970 EVO Plus [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/2300MB/s, 250/550K IOPS, Phx, TLC] SSD накопитель, который предлагает большее Твердотельные накопители (SSD) Samsung серии 970 Evo обеспечивают невероятную скорость, лучшую в своем классе надежность и широкий выбор емкостей вплоть до 2 ТБ*. Новейшая тех
- SSD Kingston SKC600/512GSSD Kingston SKC600/512G Производитель KINGSTON Модель KC600 SKC600/512G Форм-фактор накопителя 2,5" Память накопителя 512 ГБ Скорость чтения 550 МБ/с Скорость записи 520 МБ/с IOmeter 90,000/80,000 IOPS Интерфейс накопителя SATA III (6ГБ/с)
- 2.5" SSD 1.0TB Silicon Power Ace A55, SATAIII, SeqReads: 560 MB/s, SeqWrites: 530 MB/s, Controller Silicon Motion SM2258XT, MTBF 1.5mln, SLC Cash, BBM, SP Toolbox, 7mm, 3D NAND TLC2.5" SSD 1.0TB Silicon Power Ace A55, SATAIII, SeqReads: 560 MB/s, SeqWrites: 530 MB/s, Controller Silicon Motion SM2258XT, MTBF 1.5mln, SLC Cash, BBM, SP Toolbox, 7mm, 3D NAND TLC Бренд Silicon Power Модель Ace A55 Форм-фактор накопителя 2,5" Память накопителя 1.0 ТБ Контроллер Silicon Motion Тип чипов SLC (Singl
- .M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 970 EVO Plus [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/3200MB/s, 480/550K IOPS, Phx, TLC].M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 970 EVO Plus [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/3200MB/s, 480/550K IOPS, Phx, TLC] SSD накопитель, который предлагает большее Твердотельные накопители (SSD) Samsung серии 970 Evo обеспечивают невероятную скорость, лучшую в своем классе надежность и широкий выбор емкостей вплоть до 2 ТБ*. Новейшая тех
- 2.5" SSD 1.0TB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 77,500 IOPS / Write: 85,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC2.5" SSD 1.0TB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 77,500 IOPS / Write: 85,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC Volum 1 TB Viteza de citire 550 MB / s Viteza de inregistrare 490 MB / s Consumul de energie Func?
- .M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 970 EVO Plus [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/3300MB/s, 600/550K IOPS, Phx, TLC].M.2 NVMe SSD 1.0TB Samsung 970 EVO Plus [PCIe 3.0 x4, R/W:3500/3300MB/s, 600/550K IOPS, Phx, TLC] SSD накопитель, который предлагает большее Твердотельные накопители (SSD) Samsung серии 970 Evo обеспечивают невероятную скорость, лучшую в своем классе надежность и широкий выбор емкостей вплоть до 2 ТБ*. Новейшая техн