870 QVO MZ-77Q2T0BW
(38)- 2.5" SATA SSD 2.0TB Samsung 870 QVO "MZ-77Q2T0BW" [R/W:560/530MB/s, 98/88K IOPS, MJX, 4bit MLC] 2.5" SATA SSD 2.0TB Samsung 870 QVO MZ-77Q2T0BW [R/W:560/530MB/s, 98/88K IOPS, MJX, 4bit MLC] Формфактор 2.5" Объем 2 Tб Интерфейс SATA III Скорость чтения 560 МБ/с Скорость записи 530 МБ/с Тип ячеек памяти MLC Энергопотребление 5.0 Вт
- 2TB SSD 2.5" Samsung 870 QVO MZ-77Q2T0BW, Read 560MB/s, Write 530MB/s, SATA III 6.0Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)2TB SSD 2.5" Samsung 870 QVO MZ-77Q2T0BW, Read 560MB/s, Write 530MB/s, SATA III 6.0Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)
- 2.5" SATA SSD 4.0TB Samsung 870 QVO MZ-77Q4T0BW [R/W:560/530MB/s, 98/88K IOPS, MJX, 4bit MLC] 2.5" SATA SSD 4.0TB Samsung 870 QVO MZ-77Q4T0BW [R/W:560/530MB/s, 98/88K IOPS, MJX, 4bit MLC] Объём накопителя 4 ТБ
- 1TB SSD 2.5" Samsung 870 QVO MZ-77Q1T0BW1TB SSD 2.5" Samsung 870 QVO MZ-77Q1T0BW, Read 560MB/s, Write 530MB/s, SATA III 6.0Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Размер (Д x Ш x Т) : 100 x 69.85 x 6.8 мм Вес : 46 г Модель : MZ-77Q1T0BW Тип : SSD 2.5 Объем : 1 ТБ Скорость записи : 530 МБ/с Скорость чтения : 560 МБ/с D
- 2.5" SATA SSD 1.0TB Samsung 870 QVO "MZ-77Q1T0BW" [R/W:560/530MB/s, 98/88K IOPS, MJX, 4bit MLC] 2.5" SATA SSD 1.0TB Samsung 870 QVO MZ-77Q1T0BW [R/W:560/530MB/s, 98/88K IOPS, MJX, 4bit MLC] Формфактор 2.5" Объем 1 Tб Интерфейс SATA III Скорость чтения 560 МБ/с Скорость записи 530 МБ/с Тип ячеек памяти MLC Энергопотребление 30 мВт
- 250GB SSD 2.5" Samsung 870 EVO MZ-77E250BW, Read 560MB/s, Write 530MB/s, SATA III 6.0Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)250GB SSD 2.5" Samsung 870 EVO MZ-77E250BW, Read 560MB/s, Write 530MB/s, SATA III 6.0Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд SAMSUNG Модель 870 EVO MZ-77E250BW Форм-фактор накопителя 2.5" Память накопителя 250 ГБ Контроллер Samsung MKX Тип чипов MLC (Multi Level Cell) Скоро
- 2.5" SSD 2.0TB Samsung SSD 870 QVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, 7mm, Cache 2GB LPDDR4, Samsung MKX controller, V-NAND 4bit MLC2.5" SSD 2.0TB Samsung SSD 870 QVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, 7mm, Cache 2GB LPDDR4, Samsung MKX controller, V-NAND 4bit MLC Категория:SSD Производитель:SAMSUNG Модель:870 QVO Форм-фактор:2.5" Емкость накопителя:2 ТБ Скоро
- 2.5" SATA SSD 4.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E4T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] 2.5" SATA SSD 4.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E4T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Тип внутренний Серия 870 EVO Объём памяти 4 TB Тип флеш-памяти V-NAND 3bit MLC Форм-фактор 2.5" Интерфейс SATA 6Gb/s Скорость чтения, макс. 560 Mb/s Скорость записи, макс. 530 Mb/s Наработка на отказ 1.5 млн.часов Габа
- 2.5" SATA SSD 250GB Samsung 870 EVO MZ-77E250B, [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC]2.5" SATA SSD 250GB Samsung 870 EVO MZ-77E250B [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Capacitate stocare: 250 GB Sistem de stocare a datelor: 2.5" Tip de memorie flash: 3D TLC Viteza maxima de citire: 560 MB/s. Объём накопителя 250 ГБ Тип ячеек памяти V-NAND MLC Максимальная скорость записи, мб/с 5
- 2.5" SSD 1.0TB Samsung SSD 870 QVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, 7mm, Cache 1GB LPDDR4, Samsung MKX controller, V-NAND 4bit MLC2.5" SSD 1.0TB Samsung SSD 870 QVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, 7mm, Cache 1GB LPDDR4, Samsung MKX controller, V-NAND 4bit MLC Формфактор 2.5" Объем 1 Tб Интерфейс SATA III Скорость чтения 560 МБ/с Скорость записи 530 МБ/с Т
- 2.5" SATA SSD 2.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E2T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] 2.5" SATA SSD 2.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E2T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Объём накопителя 2 ТБ Тип ячеек памяти MLC V-NAND
- 2.5" SSD 4.0TB Samsung SSD 870 QVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, 7mm, Cache 4GB LPDDR4, Samsung MKX controller, V-NAND 4bit MLC2.5" SSD 4.0TB Samsung SSD 870 QVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, 7mm, Cache 4GB LPDDR4, Samsung MKX controller, V-NAND 4bit MLC форм-фактор: 2.5" емкость: 4000 ГБ скорость чтения/записи: 560 МБ/с / 530 МБ/с интерфейс подключе
- 2.5" SSD 250GB Samsung 870 EVO V-Nand 3bit MLC, R/W:560 MB/s/530 MB/s MB/s, MZ-77E250B/EU2.5" SSD 250GB Samsung 870 EVO V-Nand 3bit MLC, R/W:560 MB/s/530 MB/s MB/s, MZ-77E250B/EU Объем 250 ГБ Форм-фактор 2.5" Интерфейс подключения SATAIII
- 2.5" SSD 500GB Samsung 870 EVO, SATAIII, Read: 560 MB/s, Write: 530 MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC, MZ-77E500B2.5" SSD 500GB Samsung 870 EVO, SATAIII, Read: 560 MB/s, Write: 530 MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC, MZ-77E500B Общий объем накопителей: 500 Гб Система хранения данных: 2.5"/7 мм Интерфейс накопителя: SATA-3 (6 Гбит/сек) Тип флеш-памяти: MLC (Multi-Level Cell) Макс. скорость чтения: 560 MB/s Макс. скорость пис
- 2.5" SSD 1.0TB Samsung 870 EVO SATAIII Read: 560MB/s, Write: 530MB/s MZ-77E1T0B/EU2.5" SSD 1.0TB Samsung 870 EVO SATAIII Read: 560MB/s, Write: 530MB/s MZ-77E1T0B/EU Tип: SSD Емкость: 1000 ГБ (1ТБ) Form Factor: 2.5" Совместимость: SATA III Cкорость считывания: 560 MB/s Скорость записи: 530 MB/s Размеры: 100 X 69.85 X 6.8mm
- 2.5" SATA SSD 500GB Samsung 870 EVO MZ-77E500BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] 2.5" SATA SSD 500GB Samsung 870 EVO MZ-77E500BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Объём накопителя 500 ГБ Тип ячеек памяти MLC V-NAND
- 2.5" SATA SSD 1.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E1T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] 2.5" SATA SSD 1.0TB Samsung 870 EVO MZ-77E1T0BW [R/W:560/530MB/s, 98K IOPS, MGX, V-NAND 3bit MLC] Объём накопителя 1 ТБ Тип ячеек памяти MLC V-NAND
- 2TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)2TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P2T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд Samsung Модель 990 PRO MZ-V9P2T0BW Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 2.0 ТБ Тип чипов V-NAND 3bit MLC Скорость чтения 745
- 2.5" SSD 250GB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, 7mm, 512MB Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC2.5" SSD 250GB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, 7mm, 512MB Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC Объём накопителя 250 ГБ Тип ячеек памяти MLC
- 2.5" SSD 500GB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, 7mm, 512MB Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC2.5" SSD 500GB Samsung SSD 870 EVO, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 530 MB/s, Max Random 4k: Read: 98,000 IOPS / Write: 88,000 IOPS, 7mm, 512MB Cache, Samsung MKX controller, V-NAND 3bit MLC Объём накопителя 500 ГБ Тип ячеек памяти MLC V-NAND
- 1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO MZ-V9P1T0BW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Производитель Samsung Интерфейс M.2 PCIe NVMe SSD Объем 1 TB
- Mașină de spălat MIELE WCR 870 WPSСтиральная машина MIELE WCR 870 WPS Установка: отдельно стоящая Загрузка 9 кг ШхГхВ 59.60х63.60х85 см Скорость отжима 1600 об/мин Класс энергопотребления A Дополнительные функции контроль баланса, контроль за уровнем пены, отложенный старт Защита от детей, от протечек Особенности конструкции отсек для жидкого поро
- Arctic MX-4 Thermal Compound 2019 Edition 4g, Thermal Conductivity 8.5 W/(mK), Viscosity 870 poise, Density 2.50 g/cm3Arctic MX-4 Thermal Compound 2019 Edition 4g, Thermal Conductivity 8.5 W/(mK), Viscosity 870 poise, Density 2.50 g/cm3
- Arctic MX-4 Thermal Compound 2019 Edition 8g, Thermal Conductivity 8.5 W/(mK), Viscosity 870 poise, Density 2.50 g/cm3Arctic MX-4 Thermal Compound 2019 Edition 8g, Thermal Conductivity 8.5 W/(mK), Viscosity 870 poise, Density 2.50 g/cm3 Производитель Arctic
- Arctic MX-4 Thermal Compound 2019 Edition 20g, Thermal Conductivity 8.5 W/(mK), Viscosity 870 poise, Density 2.50 g/cm3Arctic MX-4 Thermal Compound 2019 Edition 20g, Thermal Conductivity 8.5 W/(mK), Viscosity 870 poise, Density 2.50 g/cm3
- 1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO w/ Heatsink MZ-V9P1T0CW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)1TB SSD PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 M.2 Type 2280 Samsung 990 PRO w/ Heatsink MZ-V9P1T0CW, Read 7450MB/s, Write 6900MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд Samsung Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 1.0 ТБ Контроллер Samsung Phoenix Скорость чтения 7450 Mб/с Скорост
- M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) форм-фактор: 2280, M емкость: 500 ГБ скорость чтения/записи: 3100 МБ/с / 2600 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 3.0 x4 тип флэш-п
- Filtru топлив.ST350*ABG (IR) Alexander 126 01.1975-01.1991 ABG (IR) Alexander 128 01.1975-01.1991 ABG (IR) Alexander 130 09.1985-12.1990 ABG (IR) Alexander 134 09.1985-12.1990 ABG (IR) Alpha 150 04.1991--> ABG (IR) Alpha 160 01.1988--> ABG (IR) Alpha 180 01.1991--> ABG (IR) Alpha 190 01.1986--> ABG (IR) Alpha 192 01.198
- Toaster Tefal TT1301, black-silverТостер Tefal TT1301, black-silver на 2 тоста мощность 870 Вт механическое управление функция размораживания поддон для крошек
- Ink Cartridge HP C51645A blackРесурс при заполнении 5% : 830 страниц Емкость : 42 мл Совместимость : DeskJet 710С, 720C, 815С, 820, 850, 870, 880, 890, 895Cxi, 930с, 950с, 960, 970Cxi, 980, 990, 1100c, 1120c, 1220c, 1600, 6122, 6127; OJ Pro 1150, DesignJet 700, 750C/750C Plus, 755CM; OfficeJet G55, R45, R65; Pho