DDR3L-1600 SODIMM
(201)- 4GB DDR3L-1600 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.35V4GB DDR3L-1600 SODIMM PATRIOT Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.35V Тип комплекта Single Stick Тип памяти DDR3 Объем 4 GB Тактовая частота 1600 МГц Пропускная способность 11 Схема таймингов памяти CL11
- 8GB DDR3L-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 2 Rank, Double-sided module, 1.35V8GB DDR3L-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 2 Rank, Double-sided module, 1.35V Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памя
- 4GB DDR3L-1600 GOODRAM, PC12800, CL11, Single Rank, 1.35V4GB DDR3L-1600 GOODRAM, PC12800, CL11, Single Rank, 1.35V Модуль оперативной памяти для стационарных ПК, тип памяти DDR3 SDRAM, имеет эффективную пропускную способность 12800 Мбит/с, имеет напряжение питания 1,35 В. Чипы памяти выполнены без радиаторов охлаждения. Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая часто
- 4GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.5V4GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 1 Rank, Double-sided module, 1.5V Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти
- 4GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL114GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11 DDR3 сейчас является доминирующим типом памяти для настольных компьютеров, серверов и рабочих станций. DDR3 рассчитана на работу на более высоких частотах, чем DDR, и характеризуется меньшим энергопотреблением. Объем 4 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600
- 8GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V8GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11, 1.35V Производитель GOODRAM Тип памяти DDR3 Тактовая частота 1600 МГц Объем 1 модуль 8 Гб Напряжение питания 1.35V Поддержка ECC есть CAS Latency (CL) 11
- 8GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL118GB DDR3-1600 SODIMM GOODRAM, PC12800, CL11 Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3
- 4GB DDR3L-1866 SODIMM Kingston FURY Impact, PC12800, CL11, 1.35V or 1.5V4GB DDR3L-1866 SODIMM Kingston FURY Impact, PC12800, CL11, 1.35V or 1.5V Количество модулей в комплекте 1 шт. Объем одного модуля 4 ГБ Тип DDR3L SODIMM 204-pin Тактовая частота 1866 МГц Тайминги 10 Напряжение питания 1.35 В Пропускная способность PC14900 Особенности XMP, радиатор
- 4GB Transcend SODIMM DDR3 PC12800,204pin,1600MHz,CL114GB Transcend DDR3 1600MHz SODIMM 204pin PC12800, CL11, 1.35v 1 модуль памяти DDR3 объем модуля 4 Гб форм-фактор SODIMM, 204-контактный частота 1066 МГц Общие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1066 МГц Пропускная способность 8500 Мб/с Объем 1 модуль 4 Гб Под
- 8GB DDR3L-1866 SODIMM Kingston FURY Impact, PC12800, CL11, 2Rx8, 1.35V or 1.5V w/Heatsink8GB DDR3L-1866 SODIMM Kingston FURY Impact, PC12800, CL11, 2Rx8, 1.35V or 1.5V w/Heatsink Бренд Kingston Объём памяти, Гб 8 Максимальная частота оперативной памяти, МГц 1866 Тип оперативной памяти DDR3L Схема таймингов памяти ?CL11-11-11 Предназначение ноутбук Напряжение, В 1.35 / 1.5 Производитель Kingston
- 8GB (Kit of 2*4GB) DDR3L-1866 SODIMM Kingston FURY Impact, (Dual Channel Kit), PC12800, CL11, 1Rx8, 1.35V or 1.5V w/Heatsink8GB (Kit of 2*4GB) DDR3L-1866 SODIMM Kingston FURY Impact, (Dual Channel Kit), PC12800, CL11, 1Rx8, 1.35V or 1.5V w/Heatsink Бренд KINGSTON Модель KF318LS11IBK2/8 Тип памяти DDR3L Стандарт памяти PC12800 Форм-фактор памяти SO-DIMM Количество модулей в комплекте 2 Объем памяти 8ГБ (2x4ГБ) Частота функционирования пам
- 16GB (Kit of 2*8GB) DDR3L-1866 SODIMM Kingston FURY Impact, (Dual Channel Kit), PC12800, CL11, 2Rx8, 1.35V or 1.5V w/Heatsink16GB (Kit of 2*8GB) DDR3L-1866 SODIMM Kingston FURY Impact, (Dual Channel Kit), PC12800, CL11, 2Rx8, 1.35V or 1.5V w/Heatsink Бренд KINGSTON Модель KF318LS11IBK2/16 Тип памяти DDR3L Стандарт памяти PC12800 Форм-фактор памяти SO-DIMM Количество модулей в комплекте 2 Объем памяти 16ГБ (2x8ГБ) Частота функционирования
- 8GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 2 Rank, Double-sided module, 1.5V8GB DDR3-1600 SODIMM Patriot Signature Line, PC12800, CL11, 2 Rank, Double-sided module, 1.5V Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 1600 МГц CAS Latency (CL), нс 11 Тип памяти DDR3 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти
- Goodram DDR3L SODIMM 1600, PC12800, CL11, 1.35V 1X8GBGoodram DDR3L SODIMM 1600, PC12800, CL11, 1.35V 1X8GB Объем памяти 8 ГБ Частота памяти 1600 МГц Количество планок 1
- 256 MB SODIMM DDR2-667 Nanya, PC2-5300, CL5, 32x16Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM 200-контактный Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 1 модуль 256 Мб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 5 Дополнительно Количество чипов каждого мод
- 1 GB SODIMM Samsung DDR3-1333 PC1066 CL9 originalОбщие характеристики Тип памяти DDR3 Форм-фактор SODIMM 204-контактный Тактовая частота 1333 МГц Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 9 RAS to CAS Delay (tRCD) 9 Row Precharge Delay (tRP) 9 Дополнительно Напряже
- 1 GB SODIMM DDR2-800 Hynix original, PC6400 CL5Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM 200-контактный Тактовая частота 800 МГц Пропускная способность 6400 Мб/с Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Дополнительно Напряжение питания 1.8 В
- 1 GB SODIMM DDR2-667 Kingston, PC2-5300, CL 5Общие характеристики Тип памяти DDR2 Форм-фактор SODIMM Тактовая частота 667 МГц Пропускная способность 5300 Мб/с Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC нет Буферизованная (Registered) нет Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 5
- .2GB DDR4-2400MHz SODIMM Samsung Original PC19200, CL17, 260pin DIMM 1.2V .2GB DDR4-2400MHz SODIMM Samsung Original PC19200, CL17, 260pin DIMM 1.2V Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 2GB 2400 MHz Объем 2 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 2400 МГц CAS Latency (CL), нс 17 Тип памяти DDR4
- 8GB SODIMM DDR5-4800 Kingston ValueRAM, PC5-4800, CL40, 1Rx16, 1.1V8GB SODIMM DDR5-4800 Kingston ValueRAM, PC5-4800, CL40, 1Rx16, 1.1V Модель ValueRAM Назначение Для ноутбуков Объем памяти 8 ГБ Тип памяти DDR5 SODIMM Количество планок 1 Частота памяти 4800 МГц Радиаторы на планках Нет Схема таймингов памяти CL40 Эффективная пропускная способность 38400 МБ/с Напряжение питания 1.1 В
- 16GB DDR4-2666 SODIMM GOODRAM, PC21300, CL19, Single Rank, 2048x8, 1.2V16GB DDR4-2666 SODIMM GOODRAM, PC21300, CL19, Single Rank, 2048x8, 1.2V Назначение Для ноутбуков Объем памяти 16 ГБ Тип памяти DDR4 SODIMM Количество планок 1 планка Частота памяти 2666 МГц Радиаторы на планках Нет Схема таймингов памяти CL19 Эффективная пропускная способность 21300 МБ/с Напряжение питания 1.2 В Про
- 16GB DDR5-4800MHz SODIMM Hynix Original, PC5-38400U, 1Rx8, CL40, 1.1V, bulk16GB DDR5-4800MHz SODIMM Hynix Original, PC5-38400U, 1Rx8, CL40, 1.1V, bulk Бренд HYNIX Модель DDR5-4800MHz SODIMM Тип памяти DDR5 Стандарт памяти PC5-38400U Форм-фактор памяти SO-DIMM Количество модулей в комплекте 1 Объем памяти 16 ГБ Частота функционирования памяти 4800 MГц CAS-латентность CL40 Напряжение питани
- Razatoare Maestro Mr-1600-21Razatoare Maestro Mr-1600-21 Тип тёрка Материал нерж. сталь/пластик Размеры 21 см Особенности можно мыть в посудомоечной машине Страна-владелец бренда Китай Производитель Maestro
- .4GB DDR4 - 2666MHz SODIMM Apacer PC21300, CL19, 260pin DIMM 1.2V.4GB DDR4 - 2666MHz SODIMM Apacer PC21300, CL19, 260pin DIMM 1.2V Модули SO-DIMM от Apacer DDR4 соответствуют стандартам JEDEC. Модули SO-DIMM, изготовленные с использованием высококачественных фирменных чипов DRAM и протестированных на 100%, обеспечивают более высокую производительность, высокую стабильность и выс
- .4GB DDR4- 3200MHz SODIMM Transcend JetRam, PC25600S, 1Rx8, CL22, 260pin DIMM 1.2V.4GB DDR4-3200MHz SODIMM Transcend JetRam, PC25600S, 1Rx8, CL22, 260pin DIMM 1.2V
- 2GB DDR2-800 SODIMM Patriot Signature Line, PC6400, CL5, 2 Rank, Double-Sided module, 1.8V2GB DDR2-800 SODIMM Patriot Signature Line, PC6400, CL5, 2 Rank, Double-Sided module, 1.8V Объем 2 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 800 МГц CAS Latency (CL), нс 6 Тип памяти DDR2 Проверка и коррекция ошибок (ECC) Нет (non-ECC) Буферизация Небуферизированная (unbuffered) Схема таймингов памяти CL6
- 4GB DDR3-1600 GOODRAM, PC12800, CL114GB DDR3-1600 GOODRAM, PC12800, CL11 Модули памяти Goodram типа DDR3 широко используются в компьютерах, где требуется большая скорость передачи данных, большая емкость и низкое энергопотребление. Качество модулей памяти Goodram В целях обеспечения высочайшего качества модулей памяти марки Goodram, компания работает
- .8GB DDR4- 3200MHz SODIMM Apacer PC25600, CL22, 260pin DIMM 1.2V .8GB DDR4- 3200MHz SODIMM Apacer PC25600, CL22, 260pin DIMM 1.2V
- .8GB DDR4- 3200MHz SODIMM Transcend PC25600, CL22, 260pin DIMM 1.2V .8GB DDR4-3200MHz SODIMM Transcend PC25600, CL22, 260pin DIMM 1.2V Объем 8 GB Тип комплекта Single Stick Тактовая частота 3200 МГц CAS Latency (CL), нс 22 Тип памяти DDR4
