SSD
(321)- M.2 SATA SSD 512GB Verbatim Vi560 S3, SATA 6Gb/s, M.2 Type 2280 form factor, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 520 MB/s, Max Random 4k: Read: 101,376 IOPS / Write: 80,400 IOPS, Phison Controller, 3D NAND TLCM.2 SATA SSD 512GB Verbatim Vi560 S3, SATA 6Gb/s, M.2 Type 2280 form factor, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 520 MB/s, Max Random 4k: Read: 101,376 IOPS / Write: 80,400 IOPS, Phison Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 512 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC
- 2.5" SATA SSD 480GB Kingston A400 "SA400S37/480G" [R/W:500/450MB/s, Phison S11, 3D NAND TLC] 2.5" SATA SSD 480GB Kingston A400 SA400S37/480G [R/W:500/450MB/s, Phison S11, 3D NAND TLC] Страна-производитель товара Китай (Тайвань) Объем 480 ГБ Скорость чтения до 500 МБ/с Скорость записи до 450 МБ/с Энергопотребление При чтении: 0.642 Вт При записи: 1.535 Вт В режиме простоя: 0.195 Вт Формфактор 2.5" Время на
- .M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 980 EVO [PCIe 3.0 x4, R/W:2900/1300MB/s, 230/320K IOPS, Pablo, TLC] .M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 980 EVO [PCIe 3.0 x4, R/W:2900/1300MB/s, 230/320K IOPS, Pablo, TLC] Объём памяти : 250 ГБ Форм-фактор : M.2 Размер (Д x Ш x Т) : 80.15 x 22.15 x 2.38 мм Вес : 9 г Модель : 980 EVO Тип : SSD Скорость записи : 2700 Mб/с Capacitate memorie : 250 GB Form factor : M.2 Dimensiuni (L x L x G
- .M.2 NVMe SSD 500GB Transcend 115S [PCIe 3.0 x4, R/W:3200/2000MB/s, 250/170K IOPS, 200TBW,3DTLC].M.2 NVMe SSD 500GB Transcend 115S [PCIe 3.0 x4, R/W:3200/2000MB/s, 250/170K IOPS, 200TBW,3DTLC] Capacitate stocare: 500 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: NVMe PCIe 3.0 x4 Tip de memorie flash: 3D TLC
- M.2 External SSD 480GB Verbatim Vx500 USB 3.1 Gen 2, Sequential Read/Write: up to 500/430 MB/s, Windows®, Mac, PS4 and Xbox One compatible, Light, Portable, Durable, Ultra-compact aluminum housing, Low power consumptionM.2 External SSD 480GB Verbatim Vx500 USB 3.1 Gen 2, Sequential Read/Write: up to 500/430 MB/s, Windows®, Mac, PS4 and Xbox One compatible, Light, Portable, Durable, Ultra-compact aluminum housing, Low power consumption Производитель:Verbatim Модель:Vx500 Тип накопителя:Твердотельный накопитель (SSD) Объем накопител
- Apacer AS340X SSD 2.5" 7mm SATAIII, 480GB , Standard (Single)Apacer AS340X SSD 2.5" 7mm SATAIII, 480GB , Standard (Single) Объём накопителя 480 ГБ
- .mSATA SSD Transcend TS256GMSA230S [R/W:550/400MB/s, 55/70K IOPS, SM2258H, 3D TLC].mSATA SSD Transcend TS256GMSA230S [R/W:550/400MB/s, 55/70K IOPS, SM2258H, 3D TLC] Объем 256 Форм-фактор mSATA Интерфейс подключения SATAIII
- 2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,500 IOPS / Write: 76,800 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC2.5" SSD 512GB GOODRAM CX400 Gen.2, SATAIII, Sequential Reads: 550 MB/s, Sequential Writes: 500 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,500 IOPS / Write: 76,800 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111-S11, 3D NAND TLC Объем 512 ГБ Скорость чтения 550 МБ/с Скорость записи 500 МБ/с Энергопотребление В режиме чтения:
- 2,5" SSD 512GB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 520MB/s, Sequential Write: 430MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 240TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 512GB Patriot P210, SATAIII, Sequential Read: 520MB/s, Sequential Write: 430MB/s, 4K Random Read: 50K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 240TB, SMI 2259XT Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 512 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 430 Максимальная
- 2.5" SSD 512GB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 535 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,000 IOPS / Write: 86,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC2.5" SSD 512GB Verbatim VI550 S3, SATAIII, Sequential Reads: 560 MB/s, Sequential Writes: 535 MB/s, Maximum Random 4k: Read: 75,000 IOPS / Write: 86,000 IOPS, Thickness- 7mm, Controller Phison PS3111, 3D NAND TLC Внутренний 7-мм твердотельный накопитель 2,5'' SATA III Высокая надежность за счет превосходного флэш-ко
- 512GB SSD 2.5" Intenso Top (3812450), 7mm, Read 520MB/s, Write 500MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)512GB SSD 2.5" Intenso Top (3812450), 7mm, Read 520MB/s, Write 500MB/s, SATA III 6.0 Gbps (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Interfata SATA3 SSD (6Gb/s) Capacitate 512 GB Интерфейс SATA3 SSD (6Gb/s) Объем 512 GB
- M.2 NVMe SSD 500GB Kingston NV2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 3500 MB/s, Sequential Writes 2100 MB/s, Phison E19T controller, TBW: 160TB, 3D QLC NAND flashM.2 NVMe SSD 500GB Kingston NV2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 3500 MB/s, Sequential Writes 2100 MB/s, Phison E19T controller, TBW: 160TB, 3D QLC NAND flash Объём накопителя 500 ГБ Тип ячеек памяти QLC 3D NAND Максимальная скорость записи, мб/с 2100 Максимальная скоро
- M.2 NVMe SSD 500GB Silicon Power UD85, Interface:PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 3600 MB/s / Writes 2400 MB/s, MTBF 1.5mln, HMB, ECC, SLC Cache, E2E Data Protection, LDPC, Phison E21T, 3D NAND TLCM.2 NVMe SSD 500GB Silicon Power UD85, Interface:PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 3600 MB/s / Writes 2400 MB/s, MTBF 1.5mln, HMB, ECC, SLC Cache, E2E Data Protection, LDPC, Phison E21T, 3D NAND TLC Бренд SILICON POWER Модель UD85 Форм-фактор накопителя M.2 NVMe Память накопителя 500 ГБ
- 2.5" SATA SSD 500GB Transcend SSD225S [R/W:530/480MB/s, 55K/75K IOPS, 180 TBW, 3DTLC]2.5" SATA SSD 500GB Transcend SSD225S [R/W:530/480MB/s, 55K/75K IOPS, 180 TBW, 3DTLC] Capacitate stocare: 500 GB Sistem de stocare a datelor: 2.5"" Interfa?a SSD: SATA-3 (6 Gb/s) Tip de memorie flash: 3D Viteza maxima de citire: 530 MB/s Форм-фактор 2.5" Объем 500 ГБ Интерфейс SATA III Скорость чтения 53
- .M.2 SATA SSD 512GB Transcend "TS512GMTS830S" [80mm, R/W:560/510MB/s, 85K/85K IOPS, SM2258, 3DTLC].M.2 SATA SSD 512GB Transcend TS512GMTS830S [80mm, R/W:560/510MB/s, 85K/85K IOPS, SM2258, 3DTLC] Объём накопителя, ГБ 512 Максимальная скорость записи, Мбайт/с 510 Максимальная скорость чтения, Мбайт/с 560
- .M.2 NVMe SSD 512GB Apacer AS2280P4X [PCIe 3.0 x4, R/W:2100/1700MB/s, 530/420K IOPS, 350TB,3DTLC].M.2 NVMe SSD 512GB Apacer AS2280P4X [PCIe 3.0 x4, R/W:2100/1700MB/s, 530/420K IOPS, 350TB,3DTLC] Объём накопителя 512 ГБ Тип ячеек памяти 3D TLC Максимальная скорость записи, мб/с 1700 Максимальная скорость чтения, мб/с 2100
- .M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 EVO [PCIe 3.0 x4, R/W:3100/2600MB/s, 400/470K IOPS, Pablo, TLC] .M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 EVO [PCIe 3.0 x4, R/W:3100/2600MB/s, 400/470K IOPS, Pablo, TLC] Объём памяти : 500 ГБ Форм-фактор : M.2 Размер (Д x Ш x Т) : 80.15 x 22.15 x 2.38 мм Вес : 9 г Модель : 980 EVO Тип : SSD Скорость записи : 2700 Mб/с Capacitate memorie : 500 GB Form factor : M.2 Dimensiuni (L x L x G
- .M.2 SATA /NVMe SSD Enclosure ASUS TUF Gaming A1 USB3.1 Type-C/A, Durable Black, IP68, MIL-STD-810H.M.2 SATA /NVMe SSD Enclosure ASUS TUF Gaming A1 USB3.1 Type-C/A, Durable Black, IP68, MIL-STD-810H Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 / 2260 / 2242 Бренд ASUS Модель MIL-STD-810H Тип Внешний корпус для SSD Форма Прямоугольная Совместимость M.2 PCI Express 2280 / 2260 / 2242 Рабочая температура 0?C~ 40?C Интерфе
- 2.5" SSD 480GB KIOXIA (Toshiba) Exceria, SATAIII, SeqReads: 555 MB/s, SeqWrites: 540 MB/s, Read / Write Speed: 82000 IOPS / 88000 IOPS, 7mm, Controller SMI SM2258XT, BiCS Flash TLC2.5" SSD 480GB KIOXIA (Toshiba) Exceria, SATAIII, SeqReads: 555 MB/s, SeqWrites: 540 MB/s, Read / Write Speed: 82000 IOPS / 88000 IOPS, 7mm, Controller SMI SM2258XT, BiCS Flash TLC
- 2,5" SSD 512GB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 500MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 240TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC2,5" SSD 512GB Patriot P220, SATAIII, Sequential Read: 550MB/s, Sequential Write: 500MB/s, 4K Random Read: 40K IOPS, 4K Random Write: 50K IOPS, SMART, TRIM, 7mm, TBW: 240TB, Phison S12 Controller, 3D NAND TLC Объём накопителя 512 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 500 Максимальная
- M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 970 EVO Plus, PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 250GB Samsung 970 EVO Plus, PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) Объём накопителя, ГБ 250 Максимальная скорость записи, Мбайт/с 2300 Максимальная скорость чтения, Мбайт/с 3500
- M.2 NVMe SSD 500GB GOODRAM PX600 Gen2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 4700 MB/s / 1700 MB/s, TBW: 160TB, MTBF: 2mln hours, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal padM.2 NVMe SSD 500GB GOODRAM PX600 Gen2, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads/Writes 4700 MB/s / 1700 MB/s, TBW: 160TB, MTBF: 2mln hours, 3D NAND TLC, heat-dissipating thermal pad Объём накопителя: 500 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максимальная скорость записи, мб/с 1700 Мак
- M.2 NVMe SSD 500GB Patriot P400 Lite, w/Graphene Heatshield, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3500 MB/s, Sequential Write 2400 MB/s, Random Read 220K IOPS, Random Write 500K IOPS, EtE data path protection, TBW: 2M.2 NVMe SSD 500GB Patriot P400 Lite, w/Graphene Heatshield, Interface: PCIe4.0 x4 / NVMe 1.4, M2 Type 2280 form factor, Sequential Read 3500 MB/s, Sequential Write 2400 MB/s, Random Read 220K IOPS, Random Write 500K IOPS, EtE data path protection, TBW: 2 Объём накопителя 500 ГБ Тип ячеек памяти 3D NAND TLC Максималь
- M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND)M.2 NVMe SSD 500GB Samsung 980 , PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280, Read: 3500 MB/s, Write: 2300 MB/s, Read /Write: 250,000/550,000 IOPS, Controller Samsung Phoenix, 3D TLC (V-NAND) форм-фактор: 2280, M емкость: 500 ГБ скорость чтения/записи: 3100 МБ/с / 2600 МБ/с интерфейс подключения: M.2, PCI-E 3.0 x4 тип флэш-п
- .M.2 SATA SSD 500GB Transcend TS500GMTS425S [42mm, R/W:530/480MB/s, 50K/75K IOPS, 180 TBW, 3DTLC].M.2 SATA SSD 500GB Transcend TS500GMTS425S [42mm, R/W:530/480MB/s, 50K/75K IOPS, 180 TBW, 3DTLC] Capacitate stocare: 500 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2242 Interfa?a SSD: SATA-3 (6 Gb/s) Tip de memorie flash: 3D Объём накопителя 500 ГБ Тип ячеек памяти 3D TLC Максимальная скорость записи, мб/с 480
- .M.2 SATA SSD 500GB Transcend TS500GMTS825S [80mm, R/W:530/480MB/s, 55K/75K IOPS, 180 TBW, 3DTLC].M.2 SATA SSD 500GB Transcend TS500GMTS825S [80mm, R/W:530/480MB/s, 55K/75K IOPS, 180 TBW, 3DTLC] Capacitate stocare: 500 GB Sistem de stocare a datelor: M.2 2280 Interfa?a SSD: SATA-3 (6 Gb/s) Tip de memorie flash: 3D Объём накопителя 500 ГБ Тип ячеек памяти 3D TLC Максимальная скорость записи, мб/с 480
- 2.5" External SSD 512GB Store 'n' Go Mini SSD USB 3.2 Gen 1, Black, Includes USB-C to A / USB-C to C cables, Ultra-small and lightweight SSD, Stylish black design with a 3D surface, Nero Backup Software (Windows OS only), 35g2.5" External SSD 512GB Store 'n' Go Mini SSD USB 3.2 Gen 1, Black, Includes USB-C to A / USB-C to C cables, Ultra-small and lightweight SSD, Stylish black design with a 3D surface, Nero Backup Software (Windows OS only), 35g
- 500GB SSD M.2 Type 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe Lexar NM710 LNM710X500G-RNNNG, Read 5000MB/s, Write 2600MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD)500GB SSD M.2 Type 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe Lexar NM710 LNM710X500G-RNNNG, Read 5000MB/s, Write 2600MB/s (solid state drive intern SSD/внутрений высокоскоростной накопитель SSD) Бренд LEXAR Модель NM710 LNM710X500G-RNNNG Форм-фактор накопителя M.2 2280 Память накопителя 500 ГБ Тип чипов TLC Скорость чтения 5000 МБ/с Ско